Измерение электрических характеристик и определение параметров моделей биполярных и МОП-транзисторов с учетом тепловых и радиационных эффектов

Исмаил-Заде Мамед Рашидович; Самбурский Лев Михайлович

Глава

Измерение электрических характеристик и определение параметров моделей биполярных и МОП-транзисторов с учетом тепловых и радиационных эффектов

С. 280-281.

Рассмотрены особенности измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов в присутствии тепловых и радиационных эффектов. Описаны характеристики автоматизированного аппаратно-программного комплекса, в основе которого лежит набор измерительных приборов, методик измерений и обработки их результатов для транзисторов различного типа. Приведены примеры использования комплекса для исследования БТ и МОПТ, определения параметров их SPICE-моделей.

Язык: русский

Полный текст (PDF, 4.56 Мб)

Ключевые слова: SPICE-модель экстракция параметров МОП-транзисторы программно-аппаратный комплекс радиационные эффекты тепловые эффекты биполярные транзисторы

В книге

Измерение электрических характеристик и определение параметров моделей биполярных и МОП-транзисторов с учетом тепловых и радиационных эффектов

Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции

М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016.

Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных МОП-транзисторах со структурой кремний-на-изоляторе

Петросянц К. О., Орехов Е. В., Самбурский Л. М. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 2 (82). С. 81-83.

При моделировании случайных сбоев, эффектов узкого канала, токов утечки по боковым изолирующим граням, а также при исследовании влияния топологии транзистора на радиационную стойкость необходимо использовать трехмерное моделирование, так как двумерное моделирование принципиально не может учесть вышеперечисленные эффекты. В настоящей работе представлены результаты трехмерного моделирования радиационных токов утечки в субмикронном частично обедненном n-канальном МОП-транзисторе со структурой КНИ.

Добавлено: 12 апреля 2012

Материалы X Международной конференции "Взаимодействие излучений с твердым телом" (Минск, Беларусь, 24-27 сентября 2013)

Под науч. редакцией: В. Анищик, В. Углов, Л. Баран и др. Мн.: Издательский центр БГУ, 2013.

В сборнике приведены доклады, представленные на 10-й Международной конференции "Взаимодействие излучений с твердым телом" (24-27 сентября 2013 г., Минск) и охватывающие следующие тематики: процессы взаимодействия излучений с твердым телом, радиационные эффекты в твердом теле, взаимодействие плазмы с поверхностью, модификация свойств материалов, структура и свойства покрытий, оборудование для радиационных технологий.

Адресуется научным сотрудникам и студентам естественнонаучных факультетов вузов.

Добавлено: 5 декабря 2013

Анализ влияния суммарной поглощенной дозы на характеристики элементной базы КНИ КМОП БИС ОЗУ

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др. В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).. М.: НИЯУ МИФИ, 2010. С. 90-95.

С использованием характеристик облучённых тестовых n– и p–канальных 0.5 мкм КНИ МОП транзисторов разработана библиотека SPICE-моделей для CADENCE на основе модели BSIMSOI, учитывающая фактор суммарной поглощённой дозы. Методами схемотехнического моделирования проанализирована работа схемы БИС ОЗУ 512 кбит, выявлены схемные фрагменты, ограничивающие стойкость всей БИС и проведена их оптимизация для повышения стойкости всей БИС.

Добавлено: 12 апреля 2012

Thermal Analysis of the Ball Grid Array Packages

Petrosyants K., Rjabov N. In bk.: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11). Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 275-278.

Новая квази-3D модель для анализа теплового режима BGA корпуса представлена. Трехмерная задача сведена к набору двумерных уравнений для распределений температуры в слоях конструкции. В результате существенно уменьшена сложность задачи и затраты процессорного времени. Дана результаты теплового моделирования BGA корпуса микросхемы.

Добавлено: 12 апреля 2012

Влияние изохронного и изотермического отжига на процесс восстановления коэффициента усиления по току кремниевого биполярного транзистора, подвергнутого воздействию радиации

К. О. Петросянц, М. В. Кожухов, Смирнов Д. С. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 6. С. 85-87.

В настоящей работе приводятся экспериментальные результаты влияния изохронного и изотермического отжига на процесс восстановления статического коэффициента усиления h21E биполярного транзистора гигагерцового диапазона, подвергнутого облучению гамма-квантами. Определяются оптимальные значения температуры и времени отжига, обеспечивающие восстановление коэффициента усиления до значений, наблюдаемых у необлученных транзисторов.

Добавлено: 29 января 2014

Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure

Petrosyants K., Torgovnikov R., Vologdin E. et al. In bk.: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11). Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267-270.

С помощью Synopsys TCAD промоделированы эффекты воздействия нейтронного излучения на кремниевые и SiGe биполярные транзисторы. В модель включена деградация времени жизни от облучения. Результаты моделирования согласуются с результатами экспериментальных исследований.

Добавлено: 12 апреля 2012

Приборы сверхвысоких частот и оптического диапазона в вопросах и ответах

Аристархов Г. М., Елизаров А. А., Николотов В. И. Ч. 2: Полупроводниковые приборы СВЧ. М.: МТУСИ, 2012.

Учебное пособие содержит тестовые задания по современным СВЧ приборам: детекторным диодам, варикапам, p-i-n диодам, диодам с барьером Шотки, диодам Ганна, лавинно-пролетным диодам, биполярным транзисторам, полевым транзисторам, в т.ч. на гетеропереходах.

Пособие предназначено для промежуточного контроля знаний студентов 3 курса, для проведения контроля остаточных знаний на старших курсах, а также для самоконтроля при самостоятельном (внеаудиторном) изучении дисциплины «Приборы СВЧ и оптического диапазона».

Добавлено: 1 ноября 2012

Материалы XI Международной конференции "Взаимодействие излучений с твердым телом" (Минск, Беларусь, 23-25 сентября 2015 г.)

Под науч. редакцией: В. Анищик, В. Углов, Л. Баран и др. Мн.: Издательский центр БГУ, 2015.

В сборнике приведены доклады, представленные на 11-й Международной конференции "Взаимодействие излучений с твердым телом" (23-25 сентября 2015 г., Минск) и охватывающие следующие тематики: процессы взаимодействия излучений с твердым телом, радиационные эффекты в твердом теле, пучковые методы формирования наноматериалов и наноструктур, модификация свойств материалов, структура и свойства покрытий, оборудование для радиационных технологий.

Адресуется научным сотрудникам и студентам естественнонаучных факультетов вузов.

Добавлено: 6 октября 2015

BSIMSOI-RAD – макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора для схемотехнического расчета КМОП БИС с учетом радиационных эффектов

Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 5 (85). С. 81-83.

Макромодель BSIMSOI-RAD разработана для описания характеристик субмикронных КНИ/КНС КМОП-транзисторов, изготовленных по технологии кремний–на–изоляторе/сапфире, с учетом радиационных эффектов: суммарной поглощенной дозы, импульсного облучения и одиночных ядерных частиц (ОЯЧ). Макромодель предназначена для оценки эффективности предлагаемых конструктивно-технологических и схемотехнических решений, выявления «слабых» схемных узлов.

Добавлено: 12 апреля 2012