?
Simulation of CMOS IC’s Waveforms Distortions in PCB Traces with Account for Radiation Effects
P. 1–4.
В книге
Beograd: IEEE Region 8, Telekom Srbija a.d., 2016.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., , in: 2025 31st International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC), 24-26 Sept. 2025.: IEEE, 2025. P. 1–4.
Добавлено: 5 ноября 2025 г.
Святодух С. С., Селиверстов С. В., Applied Physics Letters 2023 Vol. 124 No. 12
Добавлено: 12 мая 2024 г.
Konstantin O. Petrosyants, Mamed R. Ismail-zade, Самбурский Л. М., , in: 2022 28th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC).: IEEE, 2022. P. 1–4.
Добавлено: 15 декабря 2022 г.
Романова Д. С., Непомнящий О. В., А. И. Легалов и др., Программная инженерия 2022 Т. 13 № 6 С. 259–271
Рассмотрены проблемы и решения в области обеспечения архитектурной независимости и организации процесса сквозного проектирования цифровых интегральных схем. Представлены метод и язык параллельного программирования для функционально потокового синтеза проектных решений. При реализации метода функционально-потокового синтеза выделены задачи редукции параллелизма и оценки занимаемых ресурсов. Предложен способ свертки (сокращения) параллелизма, базирующийся на введении дополнительного слоя в процесс синтеза. ...
Добавлено: 13 сентября 2022 г.
Igor Kharitonov, Gleb Klopotov, Valentin Kobyakov и др., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–5.
Добавлено: 26 июля 2022 г.
Харитонов И.А., Белопашенцев А.С., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 195–200
С использованием модифицированных SPICE-моделей МОПТ, расширенного пакета SPICE-моделирования с учетом эффектов старения даны количественные оценки усиления влияния эффектов горячих носителей и пробоя подзатворного диэлектрика на характеристики КМОП ОУ, а также время их бессбойной работы при уменьшении минимальных размеров транзисторов от 180 до 28 нм. ...
Добавлено: 7 июля 2022 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В. и др., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 183–194
Для компонентов БиКМОП БИС с субмикронными и нанометровыми размерами разработаны версии TCAD- и SPICE-моделей, учитывающие воздействие различных видов радиации, температуры в сверхшироком диапазоне -260...+300°C и старения при длительной эксплуатации. ...
Добавлено: 7 июля 2022 г.
D. Abrameshin, S. Tumkovskiy, V. Saenko и др., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–4.
Добавлено: 5 июля 2022 г.
Харитонов И. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 2.: ИППМ РАН, 2021. С. 73–80.
Описаны дополнения к стандартным SPICE моделям МОП элементов схем, учитывающие эф-фекты их старения, обусловленные влиянием горячих но-сителей, пробоя диэлектрика и электромиграции. Наборы таких моделей вместе со средствами определения их параметров и средствами SPICE моделирования объ-единены в подсистему SPICE моделирования КМОП схем с учетом факторов старения и оценки параметров надеж-ности и времени бессбойной работы. Приведены примеры ...
Добавлено: 8 июня 2022 г.
Петросянц К. О., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 112–116.
Добавлено: 30 ноября 2021 г.
Dergachev S., Романов А. Ю., Solovyev R., , in: 2021 International Russian Automation Conference (RusAutoCon).: IEEE, 2021. P. 997–1001.
Добавлено: 12 ноября 2021 г.
Рассмотрены и проанализированы SPICE-модели различной сложности для анализа влияния отдельных тяжелых (ядерных) частиц (ОЯЧ) на КМОП-схемы. Для варианта модели, учитывающей влияние электрического смещения в узле на параметры импульса тока, приведены выражения для оценки основных параметров такой модели в зависимости от параметров частицы и структуры транзисторов. Приведено сравнение параметров всплесков тока для используемой модели и из ...
Добавлено: 16 апреля 2021 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. и др., Наноиндустрия 2020 Т. 13 № S5-2 С. 386–392
С использованием универсального подхода для суб-100 нм МОП-транзисторных структур были разработаны SPICE-модели с учётом радиационных и низкотемпературных эффектов, а также процедура идентификации параметров моделей на основе результатов натурного/машинного эксперимента. Подход состоит в комбинации макромоделирования на базе стандартной модели из состава SPICE-симулятора и введения дополнительных аналитических функций для радиационно-/температурно-зависимых параметров. Возможности разработанных SPICE-моделей и процедуры идентификации ...
Добавлено: 11 апреля 2021 г.
Добавлено: 19 декабря 2020 г.
Звягинцев Д. Е., Елисеева А. В., Куликов Н. А. и др., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 232–235.
На основании результатов измерений характеристик КМОП ИС в диапазоне дозы до 0.5 Мрад с интенсивностью 0,1 рад/с были рассчитаны изменения концентрации дефектов Nit, Not, идентифицированы параметры SPICE-моделей МОП-транзисторов ИС. Схемотехническое моделирование позволило оценить критическое значение дозы для деградации параметров исследуемых ИС. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 394–397.
Представлена унифицированная SPICE-модель Si БТ/SiGe ГБТ, позволяющая проводить схемотехническое моделирование интегральных схем с учетом воздействия проникающей радиации. Представлены результаты измерений и моделирования электрических характеристик биполярных транзисторов до и после воздействия различных видов радиационного излучения. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Кечиев Л. Н., Технологии электромагнитной совместимости 2020 № 1(72) С. 18–30
Рассматриваются вопросы конструирования электронной аппаратуры на современном этапе развития электронных средств. Выделяются наиболее актуальные задачи конструирования: обеспечение целостности сигнала, обеспечение целостности питания, электромагнитная совместимость. Решение этих задач требует от разработчиков и конструкторов более глубокого понимания электрофизических процессов, происходящих при распространении информационного сигнала по линиям передачи и подачи питания по шине питания. Выявлены основные направления, требующие ...
Добавлено: 20 мая 2020 г.
Иванов Ф. И., Крук Е. А., Крещук А. А., , in: 2019 XVI International Symposium "Problems of Redundancy in Information and Control Systems" (REDUNDANCY).: IEEE, 2019. P. 133–138.
Добавлено: 17 марта 2020 г.
Альбатша А. М., В кн.: Информационные технологии в науке, бизнесе и образовании: сборник трудов X Международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых.: М.: Московский государственный лингвистический университет, 2018. С. 11–15.
В статье дается краткий обзор современных подходов к защите дизайна (средств технического обеспечения) от различных угроз защите интеллектуальной собственности, таких как обратный инжиниринг, пиратство интеллектуальной собственности, несанкционированное вмешательство. Дается определение понятию «аппаратная (дизайн/хардвер) обфускация», описываются несколько технических решений для аппаратной обфускации на основе анализа опубликованных за последние годы научных изданий и патентов. ...
Добавлено: 6 декабря 2019 г.
Альбатша А. М., В кн.: Передовые инновационные разработки. Перспективы и опыт использования, проблемы внедрения в производство: сборник научных статей по итогам четвертой международной научной конференцииЧ. 2.: Каз.: [б.и.], 2019. С. 90–92.
В статье приводится обзор современных подходов к защите аппаратных средств компьютерных систем, нацеленных на противодействие угрозам безопасности аппаратной интеллектуальной собственности ...
Добавлено: 6 декабря 2019 г.
Добавлено: 1 апреля 2019 г.
Приведены требования к моделям, особенностям определения их параметров, пакетам схемотехнического моделирования при проектировании низковольтных и микромощных КМОП СБИС. Представлены результаты схемотехнического моделирования характеристик КМОП схемы (L = 0,35 мкм) 2И-НЕ при уменьшении напряжения питания от 0,7 до 0,3 В. Показана работоспособность (выполнение логических функций) указанных схем при наименьшем значении питания с соответствующим значительным снижением быстродействия. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.