• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Модификация МДП-структур сильнополевой инжекцией электронов и электронным облучением

С. 242-252.
Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А.
В  работе рассмотрена возможность модификации МДП-структур c пленкой SiO2, легированной фосфором путём сильнополевой туннельной инжекции электронов в подзатворный диэлектрик и облучения кристаллов низкоэнергетичными электронами, а также проведено исследование режимов легирования пленки SiO2 фосфором на характеристики МДП-структур.Установлено, что отрицательный заряд, накапливающийся в плёнке ФСС в структурах с двухслойным подзатворным диэлектриком SiO2-ФСС как в процессе сильнополевой туннельной инжекции электронов, так и при электронном облучении может использоваться для модификации МДП-приборов.