Глава
Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure
В книге
Данная работа посвящена учёту эффекта релаксации упругих напряжений в структуре SiGe ГМОПТ методом приборно-технологического моделирования.
Электрические характеристики облученного транзистора в ряде случаев приходиться измерять внутри радиационной камеры с использованием длинных кабелей, что приводит к существенной погрешности измерения. В этой статье сравниваются электрические характеристики биполярного транзистора после воздейсвтия радиации и измеренные по 4-х проводной и 2-х проводной схеме, а также приведены результаты прямых (без кабелей) измерений. Показано значительное увеличение погрешности измерений по 2-х проводной схеме по сравнению с 4-х проводной схемой при различных режимах работы биполярного транзистора.
В настоящей работе приводятся экспериментальные результаты влияния изохронного и изотермического отжига на процесс восстановления статического коэффициента усиления h21E биполярного транзистора гигагерцового диапазона, подвергнутого облучению гамма-квантами. Определяются оптимальные значения температуры и времени отжига, обеспечивающие восстановление коэффициента усиления до значений, наблюдаемых у необлученных транзисторов.
The possibilities of commercial SPICE are expanded in the new field—space environment electronics design. For this purpose, the set of BJT and MOSFET models with account for radiation influence is included into commercial SPICE device library. The characteristics of devices and circuits subjected to space radiation exposure (gamma-rays, protons, neutrons, electrons, heavy ions) are presented and examined with emphasis on application for radiation hardened electronics systems.
С помощью Synopsys TCAD промоделированы эффекты воздействия нейтронного излучения на кремниевые и SiGe биполярные транзисторы. В модель включена деградация времени жизни от облучения. Результаты моделирования согласуются с результатами экспериментальных исследований.