Макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, учитывающая радиационные эффекты

Петросянц Константин Орестович; Харитонов Игорь Анатольевич; Самбурский Лев Михайлович; Адонин Алексей Сергеевич

Глава

Макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, учитывающая радиационные эффекты

С. 8-20.

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Адонин А. С.

Описана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, построенная на базе стандартной модели EKV. Макромодель дополнительно учитывает эффекты плавающей подложки и различных видов радиационного воздействия и легко встраивается в программу SPICE и её разновидности.

Макромодель опробована на конкретных примерах расчёта аналоговых и цифровых узлов радиационно стойких КНИ/КНС КМОП БИС и обеспечивает достаточную для практических применений точность.

Язык: русский

Полный текст (PDF, 772 Кб)

Ключевые слова: радиационные эффекты радиационная стойкость компактная модель схемотехническая модель схемотехническое моделирование макромодельный подход экстракция параметров

В книге

Макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, учитывающая радиационные эффекты

Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г.

Под науч. редакцией: В. Я. Стенин М.: НИЯУ МИФИ, 2012.

Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных МОП-транзисторах со структурой кремний-на-изоляторе

Петросянц К. О., Орехов Е. В., Самбурский Л. М. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 2 (82). С. 81-83.

При моделировании случайных сбоев, эффектов узкого канала, токов утечки по боковым изолирующим граням, а также при исследовании влияния топологии транзистора на радиационную стойкость необходимо использовать трехмерное моделирование, так как двумерное моделирование принципиально не может учесть вышеперечисленные эффекты. В настоящей работе представлены результаты трехмерного моделирования радиационных токов утечки в субмикронном частично обедненном n-канальном МОП-транзисторе со структурой КНИ.

Добавлено: 12 апреля 2012

Определение параметров схемотехнических моделей элементов КМОП КНИ БИС по результатам радиационных испытаний

Харитонов И. А. В кн.: Труды IX Межотраслевой конференции по радиационной стойкости, Снежинск, Челябинская область, Россия, 12-15 октября 2010 г. Россия. Т. 1. Снежинск: РФЯЦ-ВНИИТФ, 2010. С. 49-52.

В работе рассматриваются вопросы определения параметров схемотехнических моделей элементов радиационно стойких КНИ БИС с учетом суммарной поглощенной дозы для уровней схемных фрагментов и выше. Описана макромодель КНИ КМОП транзистора для моделирования схем, приведены методика и результаты определения параметров макромодели из результатов радиационных испытаний КМОП КНИ схем.

Добавлено: 12 апреля 2012

Современные информационные технологии в профессиональной деятельности: труды международной научно-практической конференции "СИТ-2014"

М.: МФЮА, 2014.

Сборник составлен по материала Межународной научно-практической коференции "Современные информациооные технологии в профессинальной деятельности (СИТ-2014)", и содержит статьи, подготовленные преподавателями, аспирантами, соискателями и студентами российских вузов, а также опытными специалитами, работающими в сфере информационных технологий.

Добавлено: 11 ноября 2014

Тезисы докладов 17 научно-технической конференции по радиационной стойкости электронных систем «Стойкость-2014»: Научн. техн. сб. 2014

М.: НИЯУ МИФИ, 2014.

Рассматриваются внешние радиационные условия эксплуатации изделий электронной техники, электротехники и аппаратуры, проблемы оценки и обеспечения радиационной стойкости и надежности изделий электронной техники, электротехники, аппаратуры, радиотехнических материалов, в том числе материалов космического назначения.

Добавлено: 28 февраля 2014

Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных КНИ МОП-транзисторах c различной топологией

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др. В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).. М.: НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84-89.

В работе представлены результаты применения cредств трехмерного приборно-технологического моделирования для анализа влияния конструктивно-топологических вариантов КНИ МОП-транзисторов на возникающие в них радиационные токи утечки.

Добавлено: 12 апреля 2012

Тезисы докладов 18 Всероссийской научно-технической конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость 2015". Научно-технический сборник

Под науч. редакцией: П. К. Скоробогатов Лыткарино МО: 2015.

Настоящий научно-технический сборник содержит тезисы докладов 18 Всероссийской технической научно-конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость 2015"

Добавлено: 18 сентября 2015

BSIMSOI-RAD – макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора для схемотехнического расчета КМОП БИС с учетом радиационных эффектов

Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 5 (85). С. 81-83.

Макромодель BSIMSOI-RAD разработана для описания характеристик субмикронных КНИ/КНС КМОП-транзисторов, изготовленных по технологии кремний–на–изоляторе/сапфире, с учетом радиационных эффектов: суммарной поглощенной дозы, импульсного облучения и одиночных ядерных частиц (ОЯЧ). Макромодель предназначена для оценки эффективности предлагаемых конструктивно-технологических и схемотехнических решений, выявления «слабых» схемных узлов.

Добавлено: 12 апреля 2012