?
Тепловизионный контроль и исследования теплового состояния микросхемы 1НТ251А
С. 25–27.
Язык:
русский
В книге
М., Сочи: [б.и.], 1999.
Мадера А. Г., Компьютерные исследования и моделирование 2018 Т. 10 № 4 С. 483–494
Статья посвящена эффекту тепловой обратной связи, возникающему при функционировании интегральных микросхем и электронных систем, использующих микросхемы. Тепловая обратная связь обусловливается тем, что потребляемая при функционировании микросхемы мощность нагревает ее и, в силу значительной зависимости ее электрических параметров от температуры, между ее электрическими и тепловыми процессами возникает интерактивное взаимодействие. Воздействие тепловой обратной связи приводит к изменению ...
Добавлено: 6 ноября 2019 г.
Мадера А. Г., Тепловые процессы в технике 2018 Т. 10 № 3-4 С. 144–151
Рассматривается эффект тепловой обратной связи, возникающий в электронных системах (интегральных микросхемах, резисторах, электро- радиоэлементах) в процессе своего функционирования. Тепловая обратная связь возникает во всех электронных системах, у которых эксплуатационные параметры и мощности потребления зависят от температуры саморазогрева, а температуры, в свою очередь, – от потребляемых мощностей. Возникающее при этом интерактивное взаимовлияние параметров функционального и теплового ...
Добавлено: 29 октября 2018 г.
Мадера А. Г., Труды НИИСИ РАН 2018 Т. 8 № 2 С. 26–28
Потребляемая микросхемой мощность преобразуется в тепло, которое приводит к нагреванию микросхемы. В силу значительной зависимости электрических параметров микросхемы от температуры ее мощность потребления подвергается изменению, которое, в свою очередь, изменяет температуру и, как следствие, мощность потребления. Взаимно-обусловленное взаимодействие и влияние параметров электрического и теплового режимов друг на друга, возникающее в процессе работы микросхемы, называется тепловой ...
Добавлено: 29 октября 2018 г.
Рассматриваются вопросы моделирования электронных средств в задачах обеспечения внутриаппаратурной электромагнитной совместимости, основные программные средства и их возможности при проектировании печатных плат. Впервые в отечественной литературе детально рассмотрены IBIS-модели интегральных микросхем. Описаны ключевые слова и правила составления спецификации IBIS для интегральных компонентов, даны рекомендации по практическому применению IBIS-моделей, в том числе в составе коммерческих пакетов. Значительное ...
Добавлено: 13 мая 2016 г.
Свиридов А. С., Колганов А. А., В кн.: Сборник трудов VIII международной научно-практической конференции "Информационные и коммуникационные технологии в образовании, науке и производстве".: Протвино: Управление образования и науки г. Протвино, 2014. С. 730–737.
Исследование различных схем малошумящего усилителя МАХ2659 на стабильность S-параметров ...
Добавлено: 13 декабря 2015 г.
Кечиев Л. Н., Шатов Д. С., В кн.: Вторая научно-техническая конференция "Технологии, измерения и испытания в области электромагнитной совместимости" ТехноЭМС-2015.: М.: Грифон, 2014. С. 52–54.
Рассматривается применение программного обеспечения для моделирования развязывающих конденсаторов в цепях питания микросхем. Даются рекомендации по рациональному выбору конденсаторов. ...
Добавлено: 4 апреля 2015 г.
Увайсов С. У., Кофанов Ю. Н., Пятницкая Г. А. и др., В кн.: Методы и средства оценки и повышения надежности приборов, устройств и систем.: Пенза: [б.и.], 1995. С. 117–118.
Добавлено: 6 февраля 2014 г.
Андреевская Т. М., Пашев Р. Ю., Абрамешин А. Е., В кн.: Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26Т. 3.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 527–530.
В статье дается метод диагностирования интегральных схем на основании идентификации внутренних параметров тестовой структуры в виде полупроводникового диода. ...
Добавлено: 5 ноября 2013 г.
Кечиев Л. Н., Абрамешин А. Е., Галухин И. А. и др., Технологии электромагнитной совместимости 2012 № 3 С. 44–58
Рассматривается моделирование одного из базовых встроенных элементов защиты на МОП-транзисторе: n-МОП транзистор с заземлённым затвором (Grounded Gate NMOS Transistor, GGNMOST). Модель этого элемента защиты, включенная в модели некоторых микросхем, позволит проводить виртуальные эксперименты по воздействию ЭСР на элементную базу и на аппаратуру, в которой она применяется. Рассматривается моделирование работы микросхем в условиях воздействия ЭСР. Даются ...
Добавлено: 17 октября 2012 г.
, Рябов Н. И., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 275–278.
Новая квази-3D модель для анализа теплового режима BGA корпуса представлена. Трехмерная задача сведена к набору двумерных уравнений для распределений температуры в слоях конструкции. В результате существенно уменьшена сложность задачи и затраты процессорного времени. Дана результаты теплового моделирования BGA корпуса микросхемы. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.