?
Воздействие ЭСР на полупроводниковые компоненты: моделирование схем защиты, методов средств защиты
Рассматривается моделирование одного из базовых встроенных элементов защиты на МОП-транзисторе: n-МОП транзистор с заземлённым затвором (Grounded Gate NMOS Transistor, GGNMOST). Модель этого элемента защиты, включенная в модели некоторых микросхем, позволит проводить виртуальные эксперименты по воздействию ЭСР на элементную базу и на аппаратуру, в которой она применяется. Рассматривается моделирование работы микросхем в условиях воздействия ЭСР. Даются методы измерения электростатических зарядов, потенциалов, напряжённости электростатического поля для использования в промышленности. Такие измерения важны для обеспечения защиты радиоэлектронной аппаратуры от электростатического разряда. Рассмотрены зондовый метод, метод динамического конденсатора и оптические методы. Сравниваются достоинства и недостатки данных методов.