Различные режимы электронного транспорта в допированных нанопроволоках InAs

Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2024. Т. 165. № 3. С. 424–437.

Жуков А. А., И. E. Батов

Представлены результаты измерения магнитотранспорта в допированных кремнием нанопроволоках InAs
в присутствии проводящего острия атомно-силового микроскопа, так называемая техника scanning gate
microscopy (SGM). Увеличивая концентрацию носителей в нанопроволоке путем прикладывания поло-
жительного напряжения на нижний затвор, удалось последовательно провести транспорт в нанопрово-
локе через четыре различных режима, а именно, остаточный режим кулоновской блокады, резонансный
нелинейный и линейный режимы и, наконец, режим практичски однородного диффузного транспорта.
Продемонстрирована связь между особенностями результатов сканирования техникой SGM и спектром
универсальных флуктуаций проводимости (R^(−1)(B)). Кроме того, показано фрактальное поведение кри-
вой R^(−1)(B) в нелинейном и линейном режимах резонансного транспорта.

Ключевые слова: электронный транспорт, electronic transport, нанопроволока, InAs, InAs, nanowire