?
Фотолюминесценция ближнего ИК-диапазона в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs с различным положением компенсирующей акцепторной примеси
Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки. 2022. Т. 15. № 4. С. 32–43.
Адамов Р. Б., Петрук А. Д., Мелентьев Г. А., Седова И. В., Сорокин С. В., Махов И. С., Фирсов Д. А., Шалыгин В. А.
В работе проведены сравнительные исследования фотолюминесценции (ФЛ) ближнего ИК-диапазона в структурах с квантовыми ямами n-GaAs/AlGaAs с различными профилями селективного легирования. Проанализированы спектры ФЛ, зарегистрированные при температуре 5 K для различной интенсивности межзонной оптической накачки, определены основные каналы излучательной рекомбинации. Получены зависимости интенсивности основных линий ФЛ от уровня накачки. Результаты проведенного исследования позволяют утверждать, что с точки зрения эффективности использования наноструктур GaAs/AlGaAs для генерации терагерцового излучения на примесных переходах, наиболее эффективны структуры с особым профилем легирования, когда компенсирующая акцепторная примесь располагается не в квантовой яме n-GaAs, а в формирующих ее барьерах.
The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 18 P. 5386–5394
Добавлено: 16 мая 2026 г.
Дас А., Paul R., Sharma N. и др., Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2026 Vol. 728 P. 138830
Добавлено: 16 мая 2026 г.
Колоколов И. В., Лебедев В. В., Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics 2026 Vol. 113 Article 054117
Добавлено: 15 мая 2026 г.
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Гущина В. А., Mendeleev Communications 2025 Vol. 35 No. 2 P. 193–195
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным оптическим свойствам, хотя синтез однофазных наночастиц представляет собой сложную задачу. В данной работе подробно описан метод синтеза однофазных наночастиц CsPbBr3 и Cs4PbBr6, а также их химический и фазовый анализ. В рамках современной концепции зонной структуры перовскитов выявлены и объяснены характерные оптические свойства, такие ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Гущина В. А., Physics of Complex Systems, Russia 2026 Vol. 7 No. 1 P. 3–15
Гетероструктуры на основе наностержней ZnO и наночастиц CsPbBr3 были ис-следованы с целью оценки их потенциала в качестве полупроводниковых SERS-субстратов. Было выявлено, что морфология ZnO определяет эффективность межфазного переноса энергии, уве-личивая фотолюминесценцию при длине возбуждения 390 нм и вызывая снижение ширины за-прещенной зоны в композитах. Анализ спектров комбинационного рассеяния выявил значитель-ное усиление интенсивности и появление низкочастотных ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Bisnovatyi-Kogan G., Кондратьев И. А., Моисеенко С. Г., International Journal of Modern Physics A 2025 Vol. 40 No. 7 Article 2550018
Добавлено: 11 мая 2026 г.
Торопина О. Д., Бисноватый-Коган Г. С., Моисеенко С. Г., Astronomy Reports 2025 Vol. 69 No. Suppl. 1 P. 80–90
Представлены результаты МГД-моделирования сверхзвуковых астрофизических и лабораторных струй во внешнем полоидальном магнитном поле (Br,Bz) с учетом вращения вещества. Выброшенное вещество коллимируется магнитным полем, степень коллимации и структура потока зависят от соотношения между индукцией магнитного поля и угловой скоростью вещества. При сильном магнитном поле и умеренном вращении образуется бочкообразная структура вытянутой формы, оставляющая после себя стабильный ...
Добавлено: 11 мая 2026 г.
Гущина В. А., Russian Journal of Inorganic Chemistry 2024 Vol. 69 No. 6 P. 940–948
В настоящее время наночастицы ABX3 (NPs) на основе галогенидов свинца привлекают внимание благодаря своим уникальным оптическим свойствам и широкому спектру применения. Получение наночастиц со свинцом в качестве частичной или полной замены особенно интересно из-за токсичности этого химического элемента и большинства его соединений. В этом исследовании мы предлагаем модифицированный метод синтеза наночастиц перовскита с использованием марганца в качестве ...
Добавлено: 6 мая 2026 г.
Morozov E. V., Demin A. S., Borovitskaya I. V. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2026 Vol. 17 No. 3 P. 619–626
Добавлено: 4 мая 2026 г.
A. A. Ponomarev, N. L. Aleksandrov, Plasma Physics Reports 2026 Vol. 52 No. 3 P. 367–378
Добавлено: 27 апреля 2026 г.
Добавлено: 27 апреля 2026 г.
Tsareva O. O., Malova H. V., V. Yu. Popov и др., Plasma Physics Reports 2026 Vol. 52 No. 2 P. 179–185
Добавлено: 27 апреля 2026 г.
Адамов Р. Б., Мелентьев Г. А., Подоскин А. А. и др., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 8 С. 663–673
Исследованы фото- и электролюминесценция в p-i-n-структурах с компенсированными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs с различными профилями легирования: с пространственным разделением доноров и акцепторов (доноры локализованы в квантовых ямах, акцепторы - в барьерах) и без него (и доноры, и акцепторы локализованы в квантовых ямах). Изучались спектральные характеристики люминесценции в ближнем ИК диапазоне при гелиевых температурах. Выявлены линии излучательной ...
Добавлено: 5 февраля 2024 г.
Adamov R. B., Melentev G. A., Sedova I. V. и др., Journal of Luminescence 2024 Vol. 266 Article 120302
Добавлено: 12 ноября 2023 г.
Мельниченко И. А., Крыжановская Н. В., Иванов К. А. и др., Оптика и спектроскопия 2023 Т. 131 № 8 С. 1112–1117
Исследованы оптические свойства цилиндрических мезаструктур на основе GaAs до и после пассивации, выполненной с применением обработки структур в водородной плазме с последующим атомно-слоевым осаждением слоя Al2O3. В качестве светоизлучающей области мезаструктур использованы квантовая яма In0.2Ga0.8As/GaAs и сверхрешетка GaAs/AlAs. Диаметр мез изменялся от 3 до 20 μm. В результате пассивации получено 8-кратное увеличение интенсивности фотолюминесценции мез ...
Добавлено: 26 октября 2023 г.
Новиков И. И., Няпшаев И. А., Гладышев А. Г. и др., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 9 С. 933–939
Исследовано влияние состава волновода InGaAlAs на фотолюминесценцию и электролюминесценцию гетероструктур спектрального диапазона 1550 нм на основе тонких напряженных квантовых ям In0.74Ga0.26As. Предложен подход, позволяющий на основе анализа электролюминесценции провести сравнительный анализ параметров усиления изготовленных лазерных гетероструктур. Показано, что уменьшение доли алюминия в составе волноводных слоев гетероструктуры, согласованных по постоянной решетки с фосфидом индия, приводит к ...
Добавлено: 4 января 2023 г.
Vinnichenko M., Махов И. С., Panevin V. и др., , in: Proceedings of the 9th International Symposium OPTICS-2022.: Springer, 2022. Ch. 7 P. 79–90.
Добавлено: 7 ноября 2022 г.
Firsov D., Махов И. С., Panevin V. и др., , in: Proceedings of the 9th International Symposium OPTICS-2022.: Springer, 2022. Ch. 2 P. 21–38.
Добавлено: 7 ноября 2022 г.
Добавлено: 5 июля 2022 г.
Bahovadinov M. S., Matveenko S., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 No. 31 Article 315601
Добавлено: 20 мая 2022 г.
Малевская А. В., Калюжный Н. А., Малевский Д. А. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 8 С. 699–703
Поведены исследования инфракрасных светодиодов (длина волны 850 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии и имеющих множественные квантовые ямы InGaAs в области, генерирующей излучение. Разработаны постростовые приемы по удалению подложки GaAs и переносу гетероструктуры на инородный носитель с оптическим отражателем. Оптимизированы технологические режимы изготовления отражателя, и достигнуто увеличение коэффициента отражения инфракрасного излучения до ...
Добавлено: 14 октября 2021 г.
Vinnichenko M. Y., Makhov I. S., Panevin V. Y. и др., , in: 21st Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics, RYCPS 2019Vol. 1482.: Bristol: IOP Publishing, 2020.
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Бобров М. А., Блохин А. А., Кузьменков А. Г. и др., Оптика и спектроскопия 2019 Т. 127 № 7 С. 145–149
Представлены результаты исследования внутренних оптических потерь и эффективности токовой инжекции в вертикально-излучающих лазерах спектрального диапазона 1.55 μm, полученных методом спекания пластин высокодобротных брэгговских отражателей и активной области на основе тонких напряженных InGaAs/InAlGaAs квантовых ям. Показано, что предложенная конструкция лазера при комнатной температуре обеспечивает рекордно низкий уровень внутренних оптических потерь (менее 6.5 cm-1) и высокую эффективность ...
Добавлено: 9 декабря 2020 г.