• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Разработка и исследование туннельных p-i-n-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения

Калиновский В. С., Контрош Е. В., Климко Г. В., Иванов С. В., Юферев В. С., Бер Б. Я., Казанцев Д. Ю., Андреев В. М.

Создание соединительных туннельных диодов с высокой плотностью пикового туннельного тока, превышающей плотность тока короткого замыкания фотоактивных p-n-переходов, является важной задачей при разработке многопереходных фотопреобразователей (AIIIBV) мощного оптического излучения. На основе результатов численного моделирования вольт-амперных характеристик туннельных диодов предложен способ повышения плотности пикового туннельного тока путем включения между вырожденными слоями туннельного диода тонкого нелегированного i-слоя толщиной в несколькo нанометров. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены структуры p-i-n-GaAs/Al0.2Ga0.8As туннельных соединительных диодов со значениями пиковой плотности туннельного тока до 200 A/см2. Ключевые слова: туннельный диод, квантовое туннелирование, вольт-амперная характеристика, многопереходный фотопреобразователь, молекулярно-пучковая эпитаксия.