Статья
CALCULATION OF THE INFLUENCE OF SHUNT PARAMETERS ON THE DV/DT EFFECT IN POWER PHOTOTHYRISTORS
Представлен расчет влияния топологических параметров шунтов в катодных областях фототиристора на эффект dV/dt. Получено аналитическое условие, позволяющее в первом приближении определить, в какой области начнется включение структуры из-за эффекта dV/dt. Полученное условие может быть использовано при проектировании фототиристоров со встроенной защитой от разрушения при неконтролируемом включении, вызванном эффектом dV/dt.
Проведено моделирование пробоя тиристорной структуры с прямой и обратной фаской в прямом блокирующем направлении. Исследована зависимость напряжения пробоя тиристора от глубины травления в области фаски. Приведены графики этих зависимостей, из которых можно определить оптимальную глубину травления.
Представлен расчет влияния топологических параметров шунтов в катодных областях фототиристора на эффект dV/dt. Получено аналитическое условие, позволяющее в первом приближении определить, в какой области начнется включение структуры из-за эффекта dV/dt. Полученное условие может быть использовано при проектировании фототиристоров со встроенной защитой от разрушения при неконтролируемом включении, вызванном эффектом dV/dt.
Рассмотрено воздействие мелких водородсодержащих доноров и акцептороподобных дефектов, возникающих при протонном облучении кремния, на напряжение пробоя высоковольтного p–n пе- рехода. Получены соотношения, позволяющие рассчитать напряжение пробоя облученного p–n пе- рехода с учетом роста критической напряженности поля при попадании водородсодержащих доно- ров в область ударной ионизации p–n перехода. Предложена методика определения положения слоя и минимальной дозы водородсодержащих доноров, позволяющих уменьшить напряжение пробоя на заданную величину.
Подробно излагаются виды и причины отказов современных РЭС на основе данных проектных исследований и эксплуатации.
Предназначено для студентов ВУЗов, обучающихся по специальности "Конструирование и технология РЭС", при изучении дисциплины "Теоретические основы конструирования, технологии, моделирования и надежности РЭС" и может быть полезно для аспирантов и научных работников, занимающихся вопросами анализа отказов, инженеров-надежнистников и др.
В сборник трудов включены доклады Третьей Всероссийской научно-технической конференции «Радиовысотометрия - 2010», проходившей с 19 по 21 октября 2010 года в городе Каменск-Уральский.
В сборнике трудов рассмотрены актуальные проблемы радиолокации земной поверхности, совершенствования бортовых радиоэлектронных систем, повышения их точности, надежности и качества цифровой обработки информации, математическое и физическое моделирование бортовых радиоэлектронных систем.
Оргкомитет выражает свою признательность промышленным и научным предприятиям, которые приняли самое непосредственное участие в организации и проведении конференции, и благодарит всех авторов за представленные материалы.
Оргкомитет планирует проведение Четвертой Всероссийской научно-технической конференции по радиовысотометрии в сентябре - октябре 2013 г.
В книгу включены материалы ведущих предприятий, организаций, учреждений радиоэлектронной отрасли об истории, современном состоянии и перспективах развития отечественной компонентной базы, использовании новейших технологий в создании совремнных изделий электронной техники, их технических и конструктивных особенностях.
Рассмотрены концептуальные вопросы моделирования бизнеса, проектного управления, роли управления персоналом в оптимизации бизнеса. Изложены концептуальные подходы к определению путей повышения эффективности управления. Дана характеристика особенностей внедрения информационных систем в экономике, значения систем управления качеством. Пособие предназначено для студентов очной и очно-заочной форм обучения по специальности «Менеджмент организации», однако может быть полезно и студентам других специальностей, изучающим дисциплины «Информационные технологии управления», «Автоматизированные информационные системы», «Информационные системы в экономике», «Управление качеством».
В данной работе рассматривается пятое уравнение Пенлеве, которое имеет 4 комплексных параметра α, β, γ, δ. Методами степенной геометрии ищутся асимптотические разложения его решений при x → ∞. При α≠0 найдено 10 степенных разложений с двумя экспоненциальными добавками каждое. Шесть из них - по целым степеням x (они были известны), и четыре по полуцелым (они новые). При α=0 найдено 4 однопараметрических семейства экспоненциальных асимптотик y(x) и 3 однопараметрических семейства сложных разложений x=x(y). Все экспоненциальные добавки, экспоненциальные асимптотики и сложные разложения найдены впервые. Также уточнена техника вычисления экспоненциальных добавок.
Пусть G — полупростая алгебраическая группа, разложение которой в произведение простых групп не содержит групп типа A, и P⊆G — параболическая подгруппа. Дополняя результаты Попова [7], мы перечисляем все тройки (G, P, n), такие что (а) в кратном многообразии флагов G/P × G/P × . . . × G/P (n множителей) существует открытая G-орбита, (б) число G-орбит на кратном многообразии флагов конечно.
Я выписываю точную формулу для (теоретико-множественной) системы результантов как набора коэффициентов одного результанта.