The dependence of the thermal characteristics of TVS-diodes during the passage of the pulse overload has been studied. The time dependences of the pulse voltage limitation and current are analyzed. Based on the analysis of the dependences, the thermal characteristics of the TVS-diode are calculated. It is shown that the parameters of the TVS-diodes deteriorate on reaching a current density of 160–300 A/cm2 and critical temperature of 250–300°С. The dependences of the thermal resistance and critical temperature of the TVS-diodes on the current density and the pulse duration are presented.

The monitoring methods for measuring the film structure parameters in formation process, namely, the in situ methods, are currently of special significance. Their application provides obtaining the films with the given characteristics, which results in a fast correction of the technological modes. The possibilities of the in situ method of the X-ray reflectometry for defining the parameters of the nanodimensional films during their formation are discussed. The results are given of testing the magnetron deposition of the silicon films and other materials on the silicon substrate.

Представлен расчет влияния топологических параметров шунтов в катодных областях фототиристора на эффект dV/dt. Получено аналитическое условие, позволяющее в первом приближении определить, в какой области начнется включение структуры из-за эффекта dV/dt. Полученное условие может быть использовано при проектировании фототиристоров со встроенной защитой от разрушения при неконтролируемом включении, вызванном эффектом dV/dt.

The factors affecting the thermal degradation of a single silicon field-emission pointed cathode during the take-off of the emission current are described experimentally. The results of the numerical modeling of the temperature dynamics of the field-emission cathode in conditions of the presence of a free interface between the liquid and solid phases allowing for the surface tension are described.

Представлена теория дисперсии поверхностных плазменных волн в полупроводниковых нанотрубках. Исследован эффект экранировки кулоновского поля неподвижного точечного заряда намагниченным электронным газом нанотрубки. Проведено сравнение основных свойств плазмы полупроводниковой нанотрубки, трехмерной плазмы и плоской двухмерной плазмы. Изучена зависимость критической температуры и термодинамических свойств сверхпроводящего квантового цилиндра от характерных параметров системы.

Разработана компактная макромодель BSIMSOI-RAD для КНИ/КНС КМОП-транзисторов, учитывающая факторы радиационного воздействия. Описана автоматизированная процедура определения параметров макромодели, показаны возможности ее использования для анализа радиационной стойкости схемных фрагментов КМОП БИС в зависимости от суммарной поглощенной дозы. Приведены оценки затрат времени на моделирование.

Проведено сравнительное исследование высокополевой зарядовой деградации МДП-систем Si - Si2 - ФСС - Аl и Si - SiO2 - Al при туннельной по Фаулеру-Нордгейму инжекции электронов из кремния импульсами постоянного тока в диапазоне 10-7 – 10-5 А/см2. На основе полученных экспериментальных данных предложена модель, позволяющая количественно описать процессы высокополевой зарядовой деградации МДП-систем с двухслойным диэлектриком SiO2 - ФСС, учитывающая изменение параметров накапливаемых зарядов и перераспределение локальных электрических полей.

Представлена теория дисперсии поверхностных плазменных волн в полупроводниковых нанотрубках. Исследован эффект экранировки кулоновского поля неподвижного точечного заряда намагниченным электронным газом нанотрубки. Проведено сравнение основных свойств плазмы полупроводниковой нанотрубки, трехмерной плазмы и плоской двухмерной плазмы. Изучена зависимость критической температуры и термодинамических свойств  сверхпроводящего квантового цилиндра от характерных параметров системы.

Рассмотрены проблемы обработки алмаза при создании изделий микроэлектроники. Изложены основные положения новой физической модели волнового возмущения кристаллов алмаза при их механической обработке по специальным алгоритмам. Показана принципиальная возможность реализации волнового процесса при движении обрабатывающего инструмента по поверхности кристалла с точки зрения динамики сплошной изотропной среды. Рассмотрен механизм нанокластерного удаления материала и производство энтропии в условиях квантово-размерного поглощения волновой энергии, излучаемой системой источников. Получено соотношение, определяющее функциональную взаимосвязь между производством энтропии и средней величиной шероховатости обрабатываемой поверхности.