• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Найдено 16 публикаций
Сортировка:
по названию
по году
Статья
Grigoryev F. I., Aleksandrova A., Gafurov V. Russian Microelectronics. 2016. Vol. 45. No. 7. P. 469-473.

The dependence of the thermal characteristics of TVS-diodes during the passage of the pulse overload has been studied. The time dependences of the pulse voltage limitation and current are analyzed. Based on the analysis of the dependences, the thermal characteristics of the TVS-diode are calculated. It is shown that the parameters of the TVS-diodes deteriorate on reaching a current density of 160–300 A/cm2 and critical temperature of 250–300°С. The dependences of the thermal resistance and critical temperature of the TVS-diodes on the current density and the pulse duration are presented.

Добавлено: 14 апреля 2017
Статья
Smirnov I. S., Novoselova E., Monakhov I. S. et al. Russian Microelectronics. 2014. Vol. 43. No. 8. P. 587-589.

The monitoring methods for measuring the film structure parameters in formation process, namely, the in situ methods, are currently of special significance. Their application provides obtaining the films with the given characteristics, which results in a fast correction of the technological modes. The possibilities of the in situ method of the X-ray reflectometry for defining the parameters of the nanodimensional films during their formation are discussed. The results are given of testing the magnetron deposition of the silicon films and other materials on the silicon substrate.

Добавлено: 11 марта 2015
Статья
Силкин Д. С., Падеров В. П. Микроэлектроника. 2018. Т. 47. № 7. С. 468-471.

Представлен расчет влияния топологических параметров шунтов в катодных областях фототиристора на эффект dV/dt. Получено аналитическое условие, позволяющее в первом приближении определить, в какой области начнется включение структуры из-за эффекта dV/dt. Полученное условие может быть использовано при проектировании фототиристоров со встроенной защитой от разрушения при неконтролируемом включении, вызванном эффектом dV/dt.

Добавлено: 6 октября 2020
Статья
Lysenko A. P., Bykov D., Grigoryev F. I. et al. Russian Microelectronics. 2015. Vol. 44. No. 7. P. 463-467.
Добавлено: 1 декабря 2014
Статья
Rudnev V., Kretov V. I., Dyuzhev N. A. et al. Russian Microelectronics. 2012. Vol. 41. No. 7. P. 387-392.

The factors affecting the thermal degradation of a single silicon field-emission pointed cathode during the take-off of the emission current are described experimentally. The results of the numerical modeling of the temperature dynamics of the field-emission cathode in conditions of the presence of a free interface between the liquid and solid phases allowing for the surface tension are described.

Добавлено: 15 апреля 2013
Статья
Eminov P. A., Sokolov V., Gordeeva S. Russian Microelectronics. 2014. Vol. 43. No. 5. P. 343-354.

Представлена теория дисперсии поверхностных плазменных волн в полупроводниковых нанотрубках. Исследован эффект экранировки кулоновского поля неподвижного точечного заряда намагниченным электронным газом нанотрубки. Проведено сравнение основных свойств плазмы полупроводниковой нанотрубки, трехмерной плазмы и плоской двухмерной плазмы. Изучена зависимость критической температуры и термодинамических свойств сверхпроводящего квантового цилиндра от характерных параметров системы.

Добавлено: 4 февраля 2016
Статья
Petrosyants K. O., Popov D. Russian Microelectronics. 2019. Vol. 48. No. 7. P. 467-469.
Добавлено: 24 марта 2020
Статья
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A. et al. Russian Microelectronics. 2011. Vol. 40. No. 7. P. 457-462.

Разработана компактная макромодель BSIMSOI-RAD для КНИ/КНС КМОП-транзисторов, учитывающая факторы радиационного воздействия. Описана автоматизированная процедура определения параметров макромодели, показаны возможности ее использования для анализа радиационной стойкости схемных фрагментов КМОП БИС в зависимости от суммарной поглощенной дозы. Приведены оценки затрат времени на моделирование.

Добавлено: 12 апреля 2012
Статья
Petrosyants K., Popov D., L. M. Sambursky et al. Russian Microelectronics. 2016. Vol. 45. No. 7. P. 460-463.
Добавлено: 2 марта 2017
Статья
Petrosyants K., Popov D., Bykov D. Russian Microelectronics. 2018. Vol. 47. No. 7. P. 487-493.
Добавлено: 30 января 2018
Статья
K. O. Petrosyants, M. R. Ismail-Zade, L. M. Sambursky. Russian Microelectronics. 2020. Vol. 49. No. 7. P. 501-506.
Добавлено: 31 января 2021
Статья
Андреев В. В., Барышев В. Г., Бондаренко Г.Г. и др. Микроэлектроника. 1997. Т. 26. № 6. С. 440-446.

Проведено сравнительное исследование высокополевой зарядовой деградации МДП-систем Si - Si2 - ФСС - Аl и Si - SiO2 - Al при туннельной по Фаулеру-Нордгейму инжекции электронов из кремния импульсами постоянного тока в диапазоне 10-7 – 10-5 А/см2. На основе полученных экспериментальных данных предложена модель, позволяющая количественно описать процессы высокополевой зарядовой деградации МДП-систем с двухслойным диэлектриком SiO2 - ФСС, учитывающая изменение параметров накапливаемых зарядов и перераспределение локальных электрических полей.

Добавлено: 6 декабря 2013
Статья
Андреев В. В., Барышев В. Г., Бондаренко Г.Г. и др. Микроэлектроника. 2000. Т. 29. № 2. С. 105-112.
Добавлено: 28 января 2014
Статья
Андреев В. В., Барышев В. Г., Бондаренко Г.Г. и др. Микроэлектроника. 2003. Т. 32. № 2. С. 152-158.
Добавлено: 30 января 2014
Статья
Эминов П. А., Соколов В., Гордеева С. Микроэлектроника. 2014. Т. 43. № 4. С. 333-344.

Представлена теория дисперсии поверхностных плазменных волн в полупроводниковых нанотрубках. Исследован эффект экранировки кулоновского поля неподвижного точечного заряда намагниченным электронным газом нанотрубки. Проведено сравнение основных свойств плазмы полупроводниковой нанотрубки, трехмерной плазмы и плоской двухмерной плазмы. Изучена зависимость критической температуры и термодинамических свойств  сверхпроводящего квантового цилиндра от характерных параметров системы.

Добавлено: 4 февраля 2016
Статья
Пинтус С., Карасёв В., Гладченков Е. В. Микроэлектроника. 2011. Т. 40. № 6. С. 430-440.
Рассмотрены проблемы обработки алмаза при создании изделий микроэлектроники. Изложены основные положения новой физической модели волнового возмущения кристаллов алмаза при их механической обработке по специальным алгоритмам. Показана принципиальная возможность реализации волнового процесса при движении обрабатывающего инструмента по поверхности кристалла с точки зрения динамики сплошной изотропной среды. Рассмотрен механизм нанокластерного удаления материала и производство энтропии в условиях квантово-размерного поглощения волновой энергии, излучаемой системой источников. Получено соотношение, определяющее функциональную взаимосвязь между производством энтропии и средней величиной шероховатости обрабатываемой поверхности.
Добавлено: 30 сентября 2015