?
Optical manifestation of the Stoner ferromagnetic transition in two-dimensional electron systems
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2017. Vol. 96. P. 235401-1-235401-8.
Ключевые слова: semiconductorsполупроводникиLandau levelsуровни Ландауцелочисленный квантовый эффект Холлаquantum Hall effecttwo-dimensional electron systemдвумерные электронные системы
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Горбунов А. В., Кулик Л. В., Кузнецов В. А. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2017 Т. 106 № 10 С. 651-654
В настоящей работе мы показываем, как в GaAs/AlGaAs квантовой яме с помощью простых методик фотовозбуждения и детектирования фотолюминесценции двумерного электронного газа с пространственным разрешением можно создавать плотные ансамбли спиновых экситонов, переносить их на макроскопические расстояния порядка сотен микрон и регистрировать появление этих экситонов в области, пространственно удаленной от точки возбуждения. ...
Добавлено: 11 декабря 2017 г.
Глушков В. В., Божко А. Д., Богач А. В. и др., Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2016 Vol. 10 No. 4 P. 320-323
Добавлено: 25 февраля 2017 г.
Kagan M.Yu., Turlapov A. V., J. Phys.: Condens. Matter 2017 Vol. 29 No. 383004 P. 1-22
Добавлено: 23 июня 2017 г.
Pudalov V.M., Моргун Л. А., Kuntsevich A.Yu, Journal of Superconductivity and Novel Magnetism 2017 Vol. 30 No. 3 P. 783-787
Добавлено: 16 октября 2017 г.
Belykh V. V., Кунцевич А. Ю., Glazov M. M. и др., Physical Review X 2018 Vol. 8 P. 031021-1-031021-8
Добавлено: 10 сентября 2018 г.
Larionov A. V., Kulik L. V., Dickmann S. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2015 Vol. 92 P. 1654171-1654175
Добавлено: 23 октября 2016 г.
Ваньков А. Б., Кайсин Б. Д., Кукушкин И. В., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2018 Т. 107 № 2 С. 110-114
В сильновзаимодействующих двумерных электронных системах в гетероструктурах MgZnO/ZnO
изучено термодинамическое поведение изинговых квантово-холловских ферромагнетиков при факторе
заполнения nu= 2. Cпиновая поляризация холловских ферромагнетиков детектировалась по сигналу
неупругого рассеяния света на внутриподзонном спиновом экситоне. Наблюдался скачок спиновой поляризации при фазовом переходе на факторах заполнения nu= 2, 3, 4 для гетероструктур с различной
электронной плотностью. Была исследована термодинамическая устойчивость ...
Добавлено: 11 сентября 2018 г.
Kulik L. V., Kuznetsov V. A., Gorbunov A. V. и др., Scientific Reports 2018 Vol. 8 No. 1 P. 1-6
Добавлено: 3 сентября 2018 г.
Издательство "Перо", 2019
Конференция посвящена фундаментальным проблемам физики полупроводников.Основные разделы программы:
Объемные полупроводники: электрические и оптические свойства, релаксация носителей заряда, сверхбыстрые явления, экситоны, фононы, фазовые переходы, упорядочение.
Поверхность, пленки, слои: эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности, адсорбция и поверхностные реакции, процессы формирования (самоорганизации) нанокластеров, СТМ и АСМ, оптическая микроскопия ближнего поля.
Гетероструктуры, сверхрешетки, одномерные системы: структурные и оптические свойства, электронный транспорт.
Двумерные системы: структурные, электронные, магнитные ...
Добавлено: 28 октября 2019 г.
Muravev V. M., Andreev I. V., Gubarev S. I. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2016 Vol. 93 P. 0411101-0411105
Добавлено: 23 октября 2016 г.
Ваньков А. Б., Кукушкин И. В., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2020 Т. 112 № 1 С. 62-67
В сильновзаимодействующих двумерных электронных системах на основе ZnO/MgZnO методом комбинационного рассеяния света обнаружена аномально сильная по интенсивности спектральная линия
антистоксовой компоненты спинового экситона. Данная особенность проявляется в окрестности фактора заполнения v = 2 при ферромагнитном упорядочении спиновой подсистемы, при этом в условиях
парамагнитного упорядочения она не наблюдается. Показано, что происхождение данной линии может
быть вызвано формированием ансамбля долгоживущих ...
Добавлено: 25 января 2021 г.
A.B. Van'kov, Кукушкин И. В., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 102 No. 23 P. 235424-1-235424-6
Добавлено: 22 января 2021 г.
Maximov M., Надточий А. М., Крыжановская Н. В. и др., Applied Sciences (Switzerland) 2020 Vol. 10 No. 3 Article 1038
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
СПб. : Научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, 2012
В книге представлены тезисы работ по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе. Обсуждаются проблемы по кругу вопросов, включающему рост и материаловедение кристаллов и пленок кремния, а также родственных материалов. ...
Добавлено: 13 декабря 2012 г.
Kozyrev N. V., Akhmadullin R. R., Namozov B. R. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2019 Vol. 99 No. 3 P. 1-7
Добавлено: 31 мая 2021 г.
Пудалов В. М., Гершензон М. Е., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2020 Т. 111 № 4 С. 237-241
При измерении осциллирующего магнитосопротивления в двумерной системе в Si-MOS структурах
в слабом перпендикулярном магнитом поле мы обнаружили, что квантовые осцилляции наблюдаются
вплоть до критической электронной концентрации nc перехода в режим сильной локализации. При столь
малых концентрациях осцилляции имеют ожидаемый период, фазу и амплитуду, несмотря на то, что
значение проводимости становится менее e2/h, и, следовательно, длина пробега становится менее \lambda_F.
Это ...
Добавлено: 13 мая 2020 г.
Строганкова Н. И., М. : РИО МИЭМ НИУ ВШЭ, 2012
Описана методика расчета равновесных электрофизических параметров твердых тел и приведены справочные данные, необходимые для выполнения курсовых работ по дисциплине "Физика конденсированного состояния". ...
Добавлено: 17 февраля 2014 г.
Alexey A. Sokolik, Yurii E. Lozovik, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2018 Vol. 97 No. 07-5416 P. 1-8
Добавлено: 28 ноября 2017 г.
Dziom V., Shuvaev A. V., Щепетильников А. В. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2019 Vol. 99 No. 4 Article 045305
Добавлено: 11 декабря 2020 г.
Лапшинов Б. А., Магунов А. Н., Приборы и техника эксперимента 2010 Т. 53 № 1 С. 159-164
Описывается установка для измерения температурной зависимости показателя преломления n(T) полупроводников и диэлектриков в диапазоне температур 300-700К на длинах волн He-Ne-лазера λ=0.633, 1.15 и 3.39 мкм. Образцы в виде плоскопараллельных пластинок выполняют роль эталонов Фабри-Перо, оптическая толщина которых изменяется с температурой. При нагревании и последующем остывании образца регистрируются интерференционные осцилляции интенсивности отраженного света, по которым определяется ...
Добавлено: 23 апреля 2012 г.
Budkin G. V., Makhov I. S., Firsov D. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2021 Vol. 33 No. 16 Article 165301
Добавлено: 8 октября 2021 г.
Alexey A. Sokolik, Yurii E. Lozovik, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2019 Vol. 100 No. 12 P. 125409-1-125409-8
Добавлено: 18 октября 2019 г.