?
Гибридизация ферромагнитного и циклотронного резонансов в двумерной электронной системе на ферромагнитной пленке
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2026. Т. 123. № 4. С. 293–299.
Теоретически изучен микроволновый отклик двумерной (2D) электронной системы, расположенной на диэлектрической ферромагнитной пленке, которая, в свою очередь, лежит на проводящем металле (затворе), при этом вся система помещена во внешнее постоянное магнитное поле. Найдено, что ферромагнитный резонанс пленки и циклотронный резонанс электронов 2D системы в магнитном поле взаимодействуют, что приводит к их расталкиванию (“антикроссингу”). Обнаружено, что в области антикроссинга происходит не только модификация частот резонансов, по сравнению со случаем циклотронного резонанса в 2D системе без ферромагнитой подложки и ферромагнитного резонанса в пленке без 2D системы, но и сильное изменение ширин линий резонансов.
Goncharov A., Чибисов А. Н., Advanced Theory and Simulations 2023 Vol. 12 No. 13 Article 2200816
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Prokhorenko A., Чибисов А. Н., Gnidenko A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2024 Vol. 15 No. 41 P. 10295–10300
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Чибисов А. Н., Chibisova M., Modern Electronic Materials 2025 Vol. 71 P. 99–103
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Tyagi V., Srivastava A., Mangal A. и др., Surfaces and Interfaces 2025 Vol. 73 Article 107591
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Vangapandu E., Agrawal S., Kumar S. и др., Materials Science in Semiconductor Processing 2026 Vol. 211 Article 110752
Добавлено: 10 октября 2026 г.
В данной работе исследуются теоретические пределы обнаружения объектов в изотропных рассеивающих средах с использованием однофотонного лидара. В рамках упрощенной модели мы выводим фундаментальную зависимость между максимальной достижимой дальностью обнаружения и необходимым количеством фотонов в импульсе. Анализируются два различных предельных режима: режим баллистических фотонов, который сохраняет высокое пространственное разрешение, но требует экспоненциального увеличения мощности источника с ...
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Исаев Т. Ф., Шаров А. Н., Журнал вычислительной математики и математической физики 2026 Т. 66 № 1 С. 83–93
Исследуются свойства оптических покрытий на основе использования упрощенного симулятора ошибок в толщинах слоев покрытий при их напылении. Обосновывается возможность такого подхода. Выводятся аналитические оценки среднеквадратичного значения нормы вектора ошибок и степени коррелированности ошибок в толщинах слоев покрытия. Изучается зависимость среднеквадратичного значения нормы вектора ошибок и свойств покрытия от уровня случайных ошибок в слоях. ...
Добавлено: 5 октября 2026 г.
Осипова А. М., Пилипенко С. В., Novikov D. I. и др., Physical Review D - Particles, Fields, Gravitation and Cosmology 2026 Vol. 114 Article 063522
Добавлено: 5 октября 2026 г.
Gribova N. I., Osmanov S. V., Lyashko S. D. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2025 No. 614 P. 1–8
Добавлено: 4 октября 2026 г.
Seleznev G., Fominov Yakov V., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074505
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Углов Т. В., Пахлов П. Н., Бодров Д. А. и др., Journal of High Energy Physics 2026 Vol. 04 Article 101
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Углов Т. В., Пахлов П. Н., Бодров Д. А. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. D No. 113 Article L051102
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Бодров Д. А., Пахлова Г. В., Aushev Т. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. 136 No. 23 Article 231801
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Пахлова Г. В., Бодров Д. А., Aushev Т. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. D No. 113 Article 052009
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Бодров Д. А., Пахлова Г. В., Aushev Т. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. D No. 113 Article 032004
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Калябин Д. В., Демидов В. В., Никитов С. А., Физика металлов и металловедение 2025 Т. 126 № 11 С. 1220–1225
Исследован спиновый транспорт в антиферромагнитных проводниках. Спиновый ток инжектировали из ферромагнитной пленки Co в антиферромагнитный проводник FeMn, после чего было исследовано постоянное напряжение, возникающее в слое Pt в условиях ферромагнитного резонанса при различных углах поворота ориентации постоянного магнитного поля в плоскости пленки. Был рассчитан вклад, вызванный чистым спиновым током (спиновой накачкой), зарегистрированный с помощью обратного ...
Добавлено: 27 марта 2026 г.
Kushchuk L. I., Veretimus D. K., Lega P. V. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2025 Vol. 18 No. 4 P. 859–863
Добавлено: 16 марта 2026 г.
В настоящей работе проведено исследование влияния легирования на электронные и магнитные свойства монослойного соединения Cr(ClxF1-x)3 на основании расчета из первых принципов. В ходе работы рассчитаны плотности электронных состояний, значения ширины запрещенной зоны, постоянные кристаллической решетки и разности полных энергий для ферромагнитной и антиферромагнитной конфигураций при различных взаимных концентрациях атомов хлора и фтора. Расчеты выполнены в рамках ...
Добавлено: 16 марта 2026 г.