?
TCAD моделирование дозовых радиационных эффектов в суб-100 нм high-k МОП-транзисторных структурах
Известия высших учебных заведений. Электроника. 2017. Т. 22. № 6. С. 569-581.
В работе моделируется воздействие ионизирующего излучения на 45 нм МОП-транзисторы с high-k диэлектриком, изготовленные по технологии на объёмном кремнии и диэлектрической подложке. Разработан и введен набор новых полуэмпирических моделей, учитывающих деградацию радиационно-зависимых параметров от воздействия ионизирующего излучения: подвижность, время жизни, зависимость плотности заряда в объеме SiO2 и HfO2 и на границах HfO2/Si от дозы ионизирующего излучения. Достигнуто приемлемое соотношение между результатами моделирования и экспериментальными данными.
Научное направление:
Электроника и электротехника
Приоритетные направления:
инженерные науки
Язык:
русский
50584562, Попов Д. А., L. M. Sambursky и др., Russian Microelectronics 2016 Vol. 45 No. 7 P. 460-463
Добавлено: 2 марта 2017 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Russian Microelectronics 2019 Vol. 48 No. 7 P. 467-469
Добавлено: 24 марта 2020 г.
Добавлено: 30 января 2018 г.
Konstantin O. Petrosyants, Попов Д. А., , in : 2nd International Conference on Modeling Identification and Control. MIC 2015. Vol. 119.: P. : Atlantis Press, 2015. P. 174-176.
Добавлено: 20 февраля 2016 г.
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Кожухов М. В., , in : 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). : Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
Добавлено: 16 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., В кн. : Труды XXV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 6-11 июля 2015г.). : М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2015. С. 424-431.
В работе рассмотрены физические модели Synopsys TCAD для моделирования МОП-транзисторов с high-k диэлектриком. В описание модели туннелирования и радиационной модели внесены изменения, позволившие достичь хорошей сходимости с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 20 февраля 2016 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in : 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). : Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
Добавлено: 16 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 42-45
Приведены результаты анализа отечественных и зарубежных работ в области TCAD- и SPICE-моделирования компонентов КМОП, КМОП КНИ, SiGe БиКМОП СБИС, предназначенных для работы в условиях воздействия радиации (нейтроны, электроны, протоны, у- и Х-лучи, ОЯЧ, импульсное воздействие), высоких (до +300°С) и низких (до –200°С) температур. Описаны TCAD и SPICE модели биполярных и МОП транзисторов, а также методы ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Известия высших учебных заведений. Электроника 2018 Т. 23 № 5 С. 521-525
КНИ МОП-транзисторы имеют худшие условия для отвода тепла из рабочей об-ласти, что негативно сказывается на надежности и производительности микро-схем. С помощью TCAD-моделирования исследован эффект саморазогрева в структурах КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида: традиционная структура на объемном кремнии, структура кремний на изоляторе, структура с «окном» в скрытом оксиде (SELBOX), КНИ-структура с неполным скрытым оксидом ...
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., В кн. : Международный форум "Микроэлектроника-2017" 3-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и электронные модули". Республика Крым, г. Алушта, 02-07 октября 2017 г. : М. : Техносфера, 2017. С. 344-347.
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 18 октября 2017 г.
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Известия высших учебных заведений. Электроника 2013 № 4 С. 96-97
Для корректного учета совместного действия радиации и температуры на характеристики МОП-транзисторов с помощью системы TCAD в модель расчета объемной плотности ловушек в оксиде введен нелинейный поправочный коэффициент, который учитывает изменение концентрации ловушек от температуры. ...
Добавлено: 6 октября 2013 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Самбурский Л. М. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2015 Т. 20 № 1 С. 38-43
В статье с помощью расчёта в системе приборно-технологического моделирования TCAD проанализирована зависимость токов утечки транзисторной МОП-структуры размера 45 нм от внешних факторов. ...
Добавлено: 20 ноября 2014 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В., Journal of Physics: Conference Series 2019 Vol. 1163 P. 1-6
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Advanced Materials Research 2013 Vol. 718–720 P. 750-755
Добавлено: 23 января 2014 г.
Добавлено: 30 октября 2022 г.
Новиков Л. С., Voronina E. N., Chirskaya N. P., Inorganic Materials: Applied Research 2014 Vol. 4 No. 2 P. 107-115
Добавлено: 2 марта 2015 г.
Jinshun B., Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017
Добавлено: 16 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Pugachev A. и др., Journal of Physics: Conference Series 2019 Vol. 1353 No. 1 P. 1-7
The complete analysis of I-V characteristics and set of basical parameters (Voc, Jsc, Idark, Pmax, η) for betavoltaic silicon batteries under Nickel-63 irradiation in temperature range 213-330 K is carried out using universal physical TCAD model. The standard TCAD optical generation model was adopted for simulation of electron-hole generation for beta particles irradiation. The pn-junction ...
Добавлено: 10 июня 2019 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Кожухов М. В. и др., , in : 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). : Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
Добавлено: 16 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2023 Т. 28 № 6 С. 826-837
С уменьшением размеров транзисторов возникают условия, когда удар одной частицы затрагивает сразу несколько транзисторов в составе ячейки памяти. Вследствие этого при моделировании недостаточно учитывать один транзистор, в который непосредственно попадает частица. В работе рассмотрена полноразмерная 3D-модель двух n-канальных транзисторов, являющихся частью 6T-ячейки памяти, в которую ударяет заряженная частица. Предложен способ моделирования удара частицы, который позволяет ...
Добавлено: 11 января 2024 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., , in : 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS). : Cluj : IEEE, 2019. P. 1-4.
Добавлено: 31 мая 2019 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in : Proceedings of the 2nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2019). : Barcelona : International Frequency Sensor Association (IFSA), 2019. P. 24-28.
Добавлено: 4 июня 2019 г.