• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Модификация МДП-структур в процессе электронного облучения и инжекции электронов в сильных электрических полях

Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Столяров А. А.
Исследовано изменение зарядового состояния МДП-структур с двухслойным подзатворным диэлектриком диоксид кремния–фосфорно-силикатное стекло при их модификации в процессе электронного облучения и инжекции электронов в сильных электрических полях. Тонкая пленка стекла образовывалась в результате легирования фосфором термической пленки SiO2, сформированной на поверхности кремниевой пластины. Установлено, что отрицательный заряд, накаплива- ющийся в тонкой пленке фосфорно-силикатного стекла в процессе туннельной инжекции электронов в сильных электрических полях или при электронном облучении, может быть использован для корректировки пороговых напряжений, повышения зарядовой стабильности и увеличения пробивных напряжений МДП-приборов. Показано, что для получения высокой термополевой стабильности МДП-структур после модификации зарядового состояния в процессе инжекции электронов или электронного облучения их необходимо отжигать при температуре около 200°С. Установлено, что применение двухслойного подзатворного диэлектрика диоксид кремния–фосфорно-силикатное стекло позволяет повысить среднюю величину заряда, инжектированного в диэлектрик до его пробоя, и уменьшить количество дефектных структур.