• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Определение распределения элементов методом Резерфордовского обратного рассеяния в пленках, напыленных на установке Плазменный фокус

Колокольцев В. Н., Куликаускас В. С., Бондаренко Г. Г., Ерискин А. А., Никулин В. Я., Силин П. В.

Методом резерфордовского обратного рассеяния ионов He+ с энергией 2 МэВ изучены профили распределения элементов C, Cu и W в пленках, напыленных на электроразрядной установке типа “плазменный фокус”. Пленки наносили на стеклянные подложки в плазмообразующем газе Ar. Установлено, что профили распределения элементов существенно зависят от кинетической энергии частиц. Частицы, имеющие скорость ~105 м/с, проникают на глубину ~1.5 мкм. Соответствующие профили распределения элементов по толщине стекла являются нелинейными. Для каждого элемента существует максимальная глубина залегания слоя под поверхностью стекла. Особенностью пленок, получаемых на установке типа “плазменный фокус”, является образование слоев из элементов Cu, W и C под поверхностью стекла и их взаимное перекрытие. Такое расположение слоев существенно отличает описываемый метод нанесения пленок от традиционно используемых методов нанесения при низких скоростях осаждения атомов, а также за счет диффузии. Установлено, что полученные пленки являются диэлектриками.