?
Высокодобротные состояния в спектрах излучения линейных периодических цепочек Si-нанодисков со встроенными GeSi-квантовыми точками
Физика и техника полупроводников. 2024. Т. 58. № 5. С. 238–241.
Зиновьев В. А., Смагина Ж. В., Зиновьева А. Ф., Родякина Е. Е., Кацюба А. В., Кучинская П. А., Астанькова К. Н., Барышникова К. В., Петров М. И., Михайловский М. С., Вербус В. А., Степихова М. В., Новиков А. В.
Исследованы люминесцентные свойства структур с линейными периодическими цепочками Si-нанодисков со встроенными GeSi-квантовыми точками. Получено, что формирование линейных цепочек резонаторов приводит к изменению интенсивности и направленности излучения квантовых точек. В спектре появляются узкие высокодобротные пики, связанные с коллективными модами в линейных цепочках. Теоретический анализ зависимости добротности мод от параметров линейных цепочек показал, что при определенных параметрах могут реализоваться состояния, близкие по природе к симметрийно-защищенным связанным состояниям в континууме. Ключевые слова: люминесценция, квантовые точки, кремний, германий, нанодиски, линейные цепочки, коллективные моды.