• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • УРОВНИ ЛАНДАУ НА ПОВЕРХНОСТИ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА С ЗАДАННЫМ БЕСПОРЯДКОМ
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
28 апреля 2026 г.
Почему слабые участники соревнований сдаются - и как это изменить
Доцент факультета экономических наук НИУ ВШЭ Анастасия Анцыгина разработала модель распределения призов, которая максимально стимулирует активность участников соревнований. Она предложила пересмотреть классический принцип «победитель получает все» и в некоторых случаях предлагать небольшую награду даже проигравшему. По ее мнению, это может повысить мотивацию участников и сделать соревнование более конкурентным. Результаты исследования опубликованы в журнале Economic Theory.
28 апреля 2026 г.
Исследователи НИУ ВШЭ собрали научную базу данных для изучения пищевых привычек у детей
Созданная в Высшей школе экономики база данных может стать основой для изучения пищевых привычек у детей. Об этом говорится в исследовании «Влияние возрастных, гендерных и социально-ролевых факторов на соответствие пищевого выбора детей возрастным нормам: экспериментальное исследование с веб-приложением Dish-I-Wish». Работа выполнена в рамках Программы фундаментальных исследований НИУ ВШЭ. Исследование было представлено в рамках XXVI Апрельской международной научной конференции.
27 апреля 2026 г.
«Уезжаешь с чемоданом новых идей и гипотез»
Апрельская международная научная конференция ежегодно привлекает молодых исследователей из разных регионов России. С 2019 года они могут принять участие в конкурсе, организованном НИУ ВШЭ, по итогам которого им компенсируются расходы на проезд и проживание в Москве. В этом году на конкурс поступило 17 заявок, было отобрано 8. Своими впечатлениями от конференции поделились его победители.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

УРОВНИ ЛАНДАУ НА ПОВЕРХНОСТИ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА С ЗАДАННЫМ БЕСПОРЯДКОМ

С. 20–23.
Амиров Э. Ш., Карабасов Т., Васенко А. С.

Феноменологически топологический изолятор – это материал, который проводит ток по поверхности, в то же время являясь изолятором изнутри [2]. Данный материал представляет интерес в области квантовых вычислений из-за сильного спин-орбитального взаимодействия; нашлось практическое применения топологического изолятора в оптоэлектронных устройствах, сверхпроводниковых диодах [1; 5; 10; 11; 12; 13]. В данной работе изучаются влияние примесей на поверхности топологического изолятора (в данном случае теллурида висмута Bi Te ) на плотность состояний и уровни Ландау электронов. Показано, что наличие примеси сказывается на том, что уровни Ландау начинают пересекаться.

Язык: русский
Полный текст
Текст на другом сайте
Ключевые слова: уровни Ландаутопологический изолятор
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Квантовые эффекты в низкоразмерных гибридных наноструктурах  (2025)

В книге

Избранные труды II Всероссийской молодежной школы-конференции «СОВРЕМЕННЫЕ ФИЗИКА, МАТЕМАТИКА, ЦИФРОВЫЕ И НАНОТЕХНОЛОГИИ В НАУКЕ И ОБРАЗОВАНИИ (ФМЦН-23)»
Уфа: Издательство БГПУ, 2023.
Похожие публикации
Strain-induced superconducting proximity effect in the topological insulator TaSe3
Lukmanova R.M., Cohn I.A., Minakova V. E. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 111 No. 22 Article 224510
Магнитосопротивление структур сверхпроводник–топологический изолятор–сверхпроводник, где индий выступает в роли сверхпроводника, а TaSe3 – в роли топологического изолятора, демонстрирует ступенчатые особенности сопротивления под действием магнитных полей. Эти ступени сопротивления являются результатом подавления сверхпроводимости, вызванного эффектом сверхпроводящей близости как в объёмных, так и в поверхностных состояниях топологического изолятора. Положение и амплитуда ступеней, возникающих приблизительно при 0,1 Тл, ...
Добавлено: 11 марта 2026 г.
Electronic localization on the structural inhomogeneities formed due to Bi and Te deficiency in the MBE grown films of AF topological insulator MnBi2Te4: Evidence from spectroscopic ellipsometry and infrared studies
Kovaleva N. N., Chvostova D., Fursova T. N. и др., Journal of Chemical Physics 2025 Vol. 163 No. 19 Article 194711
Добавлено: 18 февраля 2026 г.
Competitive helical bands and highly efficient diode effect in F/S/TI/S/F hybrid structures
Карабасов Т., Бобкова И. В., Pavel M. Marychev и др., Beilstein Journal of Nanotechnology 2025 Vol. 17 P. 15–23
Добавлено: 22 декабря 2025 г.
Mastering the growth of antimonene on Bi2Se3: Strategies and insights
Flammini R., Hogan C., Colonna S. и др., Applied Physics Reviews 2025 Vol. 12 No. 1 Article 011336
Добавлено: 6 сентября 2025 г.
Drift velocity of edge magnetoplasmons due to magnetic edge channels
Alexey A. Sokolik, Yurii E. Lozovik, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2024 Vol. 109 No. 16 Article 165430
Добавлено: 23 апреля 2024 г.
Role of the band-gap parameter in the characterization of Landau levels in a gapped-phase semi-Dirac system: Monolayer phosphorene
Sisakht E. T., Fazileh F., Hashemifar S. J. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2023 Vol. 107 No. 12 Article 125417
Two-dimensional gapped semi-Dirac (GSD) materials are systems with a finite band gap that whose carriers behave relativistically in one direction and Schrödinger-like in the other. In the present paper, we show that besides the two well-known energy band features (curvature and chirality), the band-gap parameter also plays a crucial role in the index and magnetic-field ...
Добавлено: 2 ноября 2023 г.
Topological Josephson junction in transverse magnetic field
Backens S., Shnirman A., Махлин Ю. Г., JETP Letters 2022 Vol. 116 No. 12 P. 891–895
Добавлено: 10 декабря 2022 г.
Прерывание нелокальной проводимости двумерного топологического изолятора на основе HgTe
Галиуллин А. А., Соболевский О. А., Михайлов Н. Н. и др., В кн.: XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников.: Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 2022. С. 153.
Демонстрируется влияние длины края двумерного топологического изолятора на основе квантовой 8 нм ямы HgTe на нелокальный транспорт. Предложена и реализована геометрия структуры типа длинного края. Показано, что вклад длинного края в кондактанс мал по сравнению с вкладом короткого края. Данная геометрия позволяет полностью поляризовать ток по спину. ...
Добавлено: 7 декабря 2022 г.
О перколяционном режиме объемного транспорта в топологическом изоляторе Bi1.08Sn0.02Sb0.9Te2S
Пудалов В. М., Сахин В. О., Куковицкий Е. Ф. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2022 Т. 115 № 4 С. 270–276
C помощью электронного спинового резонанса было зафиксировано формирование наноразмерных “капель” заряда в объеме трехмерного топологического изолятора Bi1.08Sn0.02Sb0.9Te2S. Поскольку электроны и дырки “заперты” в этих каплях на большом расстоянии друг от друга, их участие в проводимости путем обычного переноса заряда невозможно. Наши транспортные измерения показывают,что при относительно высоких температурах объемная проводимость носит активационный характер с энергиями активации, которые ...
Добавлено: 16 ноября 2022 г.
Effect of Sr Doping on Structural and Transport Properties of Bi2Te3
Кунцевич А. Ю., Materials 2022 Vol. 14 No. 24 P. 7528–7528
Добавлено: 17 июня 2022 г.
Газ свободных электронов и равновесие электрон-позитронных пар в магнитном поле
Бисноватый-Коган Г. С., Кондратьев И. А., Успехи физических наук 2021 Т. 191 № 5 С. 543–557
Термодинамические свойства электронного газ в экстремальных условиях высоких температуры, плотности материи и/или сильных магнитных полей во многом определяют поведение вещества во внешних слоях нейтронных звёзд, а также в аккреционных колонках замагниченных нейтронных звёзд в двойных системах. В перечисленных объектах при наличии сильного магнитного поля важной чертой является существенно квантовый характер движения электронов поперёк него, а ...
Добавлено: 29 марта 2022 г.
Reentrant superconductivity in proximity to a topological insulator
T. Karabassov, A.A. Golubov, Silkin V. M. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 103 P. 224508-1–224508-9
Добавлено: 4 июня 2021 г.
Heavy-Atom Antiferromagnet GdBiTe: An Interplay of Magnetism and Topology in a Symmetry-Protected Topological Semimetal
Gebauer P., Poddig H., Corredor-Bohorquez L. T. и др., Chemistry of Materials 2021 Vol. 33 No. 7 P. 2420–2435
Добавлено: 30 апреля 2021 г.
Supercurrent vortices and Majorana zero modes induced by an in-plane Zeeman field on the surface of a three-dimensional topological insulator
Mal'shukov A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 101 P. 134514-1–134514-7
Добавлено: 20 января 2021 г.
Подавление сверхпроводимости в гибридных структурах
Карабасов Т., Васенко А. С., Известия Уфимского научного центра РАН 2021 Т. 1 С. 10–16
Материалы, обладающие сильным спин-орбитальным взаимодействием вызывают большой интерес последние несколько лет, в частности, в активно развивающейся области квантовых вычислений. Таковым материалом, например, является топологический изолятор. Топологический изолятор имеет высокую проводимость поверхности, в то время как в объеме проявляет свойства изолятора, что является чисто феноменологическим определением такой материи. Сверхпроводящие гибридные структуры также являются многообещающей элементной базой ...
Добавлено: 30 декабря 2020 г.
Spin Fluctuations at the Surface of Strongly Correlated Topological Insulator SmB6
S. V. Demishev, Gilmanov M. I., Samarin A. N. и др., Applied Magnetic Resonance 2020 Vol. 51 No. 1 P. 71–84
Добавлено: 24 декабря 2020 г.
AC anomalous Hall effect in topological insulator Josephson junctions
Мальшуков А. Г., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2019 Vol. 100 P. 035301-1–035301-7
Добавлено: 11 марта 2020 г.
Edge magnetoplasmons in graphene: Effects of gate screening and dissipation
Alexey A. Sokolik, Yurii E. Lozovik, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2019 Vol. 100 No. 12 P. 125409-1–125409-8
Добавлено: 18 октября 2019 г.
Many-body filling factor dependent renormalization of Fermi velocity in graphene in strong magnetic field
Alexey A. Sokolik, Yurii E. Lozovik, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2019 Vol. 99 No. 08-5423 P. 085423-1–085423-12
Добавлено: 8 марта 2019 г.
Simple mechanisms that impede the Berry phase identification from magneto-oscillations
Кунцевич А. Ю., Shupletsov A. V., Minkov G. M., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2018 Vol. 97 P. 195431-1–195431-8
Добавлено: 10 сентября 2018 г.
Magnetic and magnetotransport properties of Bi2Se3 thin films doped by Eu
Aronzon B. A., Oveshnikov L. N., Prudkoglyad V.A. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2018 Vol. 459 No. 1 P. 331–334
Добавлено: 13 июля 2018 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору