?
УРОВНИ ЛАНДАУ НА ПОВЕРХНОСТИ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА С ЗАДАННЫМ БЕСПОРЯДКОМ
С. 20–23.
Феноменологически топологический изолятор – это материал, который проводит ток по поверхности, в то же время являясь изолятором изнутри [2]. Данный материал представляет интерес в области квантовых вычислений из-за сильного спин-орбитального взаимодействия; нашлось практическое применения топологического изолятора в оптоэлектронных устройствах, сверхпроводниковых диодах [1; 5; 10; 11; 12; 13]. В данной работе изучаются влияние примесей на поверхности топологического изолятора (в данном случае теллурида висмута Bi Te ) на плотность состояний и уровни Ландау электронов. Показано, что наличие примеси сказывается на том, что уровни Ландау начинают пересекаться.
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Lavrukhina E. A., Krasavin D. P., Krishtopenko S. S. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 22 Article 225414
Добавлено: 19 октября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 6 С. 344–349
Исследованы методы управления пространственной локализацией и спиновой поляризацией состояний в модели двойной квантовой точки на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Обнаружены переходы в спектре под действием резонансного электрического поля, для которых начальные и конечные состояния отвечают различной пространственной локализации либо определенному знаку выбранной спиновой проекции. На их основе ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В. и др., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 6 С. 337–342
Исследуются уровни Ландау, условия наблюдения квантования холловского сопротивления и поведение продольного сопротивления краевых состояний в магнитном поле для квантовой ямы HgTe/Hg0.3Cd0.7Te ориентации (013) и ширины 14.1 нм со спектром полуметалла, вблизи точки зарядовой нейтральности. Основываясь на результатах недавних экспериментов для такой структуры с беспорядком в фазе топологического андерсоновского изолятора и привлекая теорию локализации краевых состояний ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Журнал экспериментальной и теоретической физики 2026 Т. 169 № 6 С. 668–687
Представлены результаты моделирования одноэлектронной динамики в режимах интерференции Ландау-Зенера-Штюкельберга-Майораны и электрического дипольного спинового резонанса для двойной квантовой точки, образованной тремя магнитными барьерами на краю топологического изолятора, сформированного на базе квантовой ямы HgTe/CdHgTe. Выбраны параметры системы, обеспечивающие присутствие четырех дискретных уровней, для которых реализуется связанная динамика спиновой и координатной степеней свободы. Результаты численного моделирования показывают, что ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Lukmanova R.M., Cohn I.A., Minakova V. E. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 111 No. 22 Article 224510
Магнитосопротивление структур сверхпроводник–топологический изолятор–сверхпроводник, где индий выступает в роли сверхпроводника, а TaSe3 – в роли топологического изолятора, демонстрирует ступенчатые особенности сопротивления под действием магнитных полей. Эти ступени сопротивления являются результатом подавления сверхпроводимости, вызванного эффектом сверхпроводящей близости как в объёмных, так и в поверхностных состояниях топологического изолятора. Положение и амплитуда ступеней, возникающих приблизительно при 0,1 Тл, ...
Добавлено: 11 марта 2026 г.
Kovaleva N. N., Chvostova D., Fursova T. N. и др., Journal of Chemical Physics 2025 Vol. 163 No. 19 Article 194711
Добавлено: 18 февраля 2026 г.
Карабасов Т., Бобкова И. В., Pavel M. Marychev и др., Beilstein Journal of Nanotechnology 2025 Vol. 17 P. 15–23
Добавлено: 22 декабря 2025 г.
Flammini R., Hogan C., Colonna S. и др., Applied Physics Reviews 2025 Vol. 12 No. 1 Article 011336
Добавлено: 6 сентября 2025 г.
Alexey A. Sokolik, Yurii E. Lozovik, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2024 Vol. 109 No. 16 Article 165430
Добавлено: 23 апреля 2024 г.
Sisakht E. T., Fazileh F., Hashemifar S. J. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2023 Vol. 107 No. 12 Article 125417
Two-dimensional gapped semi-Dirac (GSD) materials are systems with a finite band gap that whose carriers behave relativistically in one direction and Schrödinger-like in the other. In the present paper, we show that besides the two well-known energy band features (curvature and chirality), the band-gap parameter also plays a crucial role in the index and magnetic-field ...
Добавлено: 2 ноября 2023 г.
Добавлено: 10 декабря 2022 г.
Галиуллин А. А., Соболевский О. А., Михайлов Н. Н. и др., В кн.: XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников.: Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 2022. С. 153.
Демонстрируется влияние длины края двумерного топологического изолятора на основе квантовой 8 нм ямы HgTe на нелокальный транспорт. Предложена и реализована геометрия структуры типа длинного края. Показано, что вклад длинного края в кондактанс мал по сравнению с вкладом короткого края. Данная геометрия позволяет полностью поляризовать ток по спину. ...
Добавлено: 7 декабря 2022 г.
Пудалов В. М., Сахин В. О., Куковицкий Е. Ф. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2022 Т. 115 № 4 С. 270–276
C помощью электронного спинового резонанса было зафиксировано формирование наноразмерных
“капель” заряда в объеме трехмерного топологического изолятора Bi1.08Sn0.02Sb0.9Te2S. Поскольку электроны и дырки “заперты” в этих каплях на большом расстоянии друг от друга, их участие в проводимости путем обычного переноса заряда невозможно. Наши транспортные измерения показывают,что при
относительно высоких температурах объемная проводимость носит активационный характер с энергиями активации, которые ...
Добавлено: 16 ноября 2022 г.
Бисноватый-Коган Г. С., Кондратьев И. А., Успехи физических наук 2021 Т. 191 № 5 С. 543–557
Термодинамические свойства электронного газ в экстремальных условиях высоких температуры, плотности материи и/или сильных магнитных полей во многом определяют поведение вещества во внешних слоях нейтронных звёзд, а также в аккреционных колонках замагниченных нейтронных звёзд в двойных системах. В перечисленных объектах при наличии сильного магнитного поля важной чертой является существенно квантовый характер движения электронов поперёк него, а ...
Добавлено: 29 марта 2022 г.
T. Karabassov, A.A. Golubov, Silkin V. M. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 103 P. 224508-1–224508-9
Добавлено: 4 июня 2021 г.
Gebauer P., Poddig H., Corredor-Bohorquez L. T. и др., Chemistry of Materials 2021 Vol. 33 No. 7 P. 2420–2435
Добавлено: 30 апреля 2021 г.
Mal'shukov A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 101 P. 134514-1–134514-7
Добавлено: 20 января 2021 г.
Карабасов Т., Васенко А. С., Известия Уфимского научного центра РАН 2021 Т. 1 С. 10–16
Материалы, обладающие сильным спин-орбитальным взаимодействием вызывают большой интерес последние несколько лет, в частности, в активно развивающейся области квантовых вычислений. Таковым материалом, например, является топологический изолятор. Топологический изолятор имеет высокую проводимость поверхности, в то время как в объеме проявляет свойства изолятора, что является чисто феноменологическим определением такой материи. Сверхпроводящие гибридные структуры также являются многообещающей элементной базой ...
Добавлено: 30 декабря 2020 г.
S. V. Demishev, Gilmanov M. I., Samarin A. N. и др., Applied Magnetic Resonance 2020 Vol. 51 No. 1 P. 71–84
Добавлено: 24 декабря 2020 г.