• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • УРОВНИ ЛАНДАУ НА ПОВЕРХНОСТИ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА С ЗАДАННЫМ БЕСПОРЯДКОМ
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
17 июня 2026 г.
Биоинформатики НИУ ВШЭ обнаружили 20 опасных мутаций в гене, связанном с легочной артериальной гипертензией
Ученые НИУ ВШЭ совместно с коллегами из российских университетов выяснили, какие мутации в гене ACVRL1 опасны для пациентов с легочной артериальной гипертензией. Они смоделировали, как изменения в гене влияют на связывание АТФ с белком — процесс, от которого зависит передача сигналов, необходимых для работы сосудов. Оказалось, что 20 из 32 вариантов могут нарушать передачу сигнала и провоцировать болезнь. Результаты опубликованы в Journal of Structural Biology.
17 июня 2026 г.
Интеллектуальная робототехника: кадровый голод и масса возможностей
Пока на рынке мало кадров, способных заниматься разработкой интеллектуальных робототехнических систем. Между тем именно к этому идет робототехника. Как учат ее проектированию и каково будущее отрасли, в интервью IQ Media рассказал заведующий Проектно-учебной лабораторией робототехники НИУ ВШЭ Вадим Моргачев.
17 июня 2026 г.
Каким должно быть образование, чтобы готовить кадры для экономики будущего
Эти вопросы обсудят на форуме HR EXPO PRO ЛЮДЕЙ, который состоится 18-19 июня в Москве. В его работе примет участие ректор НИУ ВШЭ Никита Анисимов, федеральные министры, HR-директора компаний, ректоры вузов, эксперты. На форуме будет представлен стенд, посвященный программам ДПО НИУ ВШЭ.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

УРОВНИ ЛАНДАУ НА ПОВЕРХНОСТИ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА С ЗАДАННЫМ БЕСПОРЯДКОМ

С. 20–23.
Амиров Э. Ш., Карабасов Т., Васенко А. С.

Феноменологически топологический изолятор – это материал, который проводит ток по поверхности, в то же время являясь изолятором изнутри [2]. Данный материал представляет интерес в области квантовых вычислений из-за сильного спин-орбитального взаимодействия; нашлось практическое применения топологического изолятора в оптоэлектронных устройствах, сверхпроводниковых диодах [1; 5; 10; 11; 12; 13]. В данной работе изучаются влияние примесей на поверхности топологического изолятора (в данном случае теллурида висмута Bi Te ) на плотность состояний и уровни Ландау электронов. Показано, что наличие примеси сказывается на том, что уровни Ландау начинают пересекаться.

Язык: русский
Полный текст
Текст на другом сайте
Ключевые слова: уровни Ландаутопологический изолятор
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Квантовые эффекты в низкоразмерных гибридных наноструктурах  (2025)

В книге

Избранные труды II Всероссийской молодежной школы-конференции «СОВРЕМЕННЫЕ ФИЗИКА, МАТЕМАТИКА, ЦИФРОВЫЕ И НАНОТЕХНОЛОГИИ В НАУКЕ И ОБРАЗОВАНИИ (ФМЦН-23)»
Уфа: Издательство БГПУ, 2023.
Похожие публикации
Strain-induced superconducting proximity effect in the topological insulator TaSe3
Lukmanova R.M., Cohn I.A., Minakova V. E. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 111 No. 22 Article 224510
Магнитосопротивление структур сверхпроводник–топологический изолятор–сверхпроводник, где индий выступает в роли сверхпроводника, а TaSe3 – в роли топологического изолятора, демонстрирует ступенчатые особенности сопротивления под действием магнитных полей. Эти ступени сопротивления являются результатом подавления сверхпроводимости, вызванного эффектом сверхпроводящей близости как в объёмных, так и в поверхностных состояниях топологического изолятора. Положение и амплитуда ступеней, возникающих приблизительно при 0,1 Тл, ...
Добавлено: 11 марта 2026 г.
Electronic localization on the structural inhomogeneities formed due to Bi and Te deficiency in the MBE grown films of AF topological insulator MnBi2Te4: Evidence from spectroscopic ellipsometry and infrared studies
Kovaleva N. N., Chvostova D., Fursova T. N. и др., Journal of Chemical Physics 2025 Vol. 163 No. 19 Article 194711
Добавлено: 18 февраля 2026 г.
Competitive helical bands and highly efficient diode effect in F/S/TI/S/F hybrid structures
Карабасов Т., Бобкова И. В., Pavel M. Marychev и др., Beilstein Journal of Nanotechnology 2025 Vol. 17 P. 15–23
Добавлено: 22 декабря 2025 г.
Mastering the growth of antimonene on Bi2Se3: Strategies and insights
Flammini R., Hogan C., Colonna S. и др., Applied Physics Reviews 2025 Vol. 12 No. 1 Article 011336
Добавлено: 6 сентября 2025 г.
Drift velocity of edge magnetoplasmons due to magnetic edge channels
Alexey A. Sokolik, Yurii E. Lozovik, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2024 Vol. 109 No. 16 Article 165430
Добавлено: 23 апреля 2024 г.
Role of the band-gap parameter in the characterization of Landau levels in a gapped-phase semi-Dirac system: Monolayer phosphorene
Sisakht E. T., Fazileh F., Hashemifar S. J. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2023 Vol. 107 No. 12 Article 125417
Two-dimensional gapped semi-Dirac (GSD) materials are systems with a finite band gap that whose carriers behave relativistically in one direction and Schrödinger-like in the other. In the present paper, we show that besides the two well-known energy band features (curvature and chirality), the band-gap parameter also plays a crucial role in the index and magnetic-field ...
Добавлено: 2 ноября 2023 г.
Topological Josephson junction in transverse magnetic field
Backens S., Shnirman A., Махлин Ю. Г., JETP Letters 2022 Vol. 116 No. 12 P. 891–895
Добавлено: 10 декабря 2022 г.
Прерывание нелокальной проводимости двумерного топологического изолятора на основе HgTe
Галиуллин А. А., Соболевский О. А., Михайлов Н. Н. и др., В кн.: XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников.: Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 2022. С. 153.
Демонстрируется влияние длины края двумерного топологического изолятора на основе квантовой 8 нм ямы HgTe на нелокальный транспорт. Предложена и реализована геометрия структуры типа длинного края. Показано, что вклад длинного края в кондактанс мал по сравнению с вкладом короткого края. Данная геометрия позволяет полностью поляризовать ток по спину. ...
Добавлено: 7 декабря 2022 г.
О перколяционном режиме объемного транспорта в топологическом изоляторе Bi1.08Sn0.02Sb0.9Te2S
Пудалов В. М., Сахин В. О., Куковицкий Е. Ф. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2022 Т. 115 № 4 С. 270–276
C помощью электронного спинового резонанса было зафиксировано формирование наноразмерных “капель” заряда в объеме трехмерного топологического изолятора Bi1.08Sn0.02Sb0.9Te2S. Поскольку электроны и дырки “заперты” в этих каплях на большом расстоянии друг от друга, их участие в проводимости путем обычного переноса заряда невозможно. Наши транспортные измерения показывают,что при относительно высоких температурах объемная проводимость носит активационный характер с энергиями активации, которые ...
Добавлено: 16 ноября 2022 г.
Effect of Sr Doping on Structural and Transport Properties of Bi2Te3
Кунцевич А. Ю., Materials 2022 Vol. 14 No. 24 P. 7528–7528
Добавлено: 17 июня 2022 г.
Газ свободных электронов и равновесие электрон-позитронных пар в магнитном поле
Бисноватый-Коган Г. С., Кондратьев И. А., Успехи физических наук 2021 Т. 191 № 5 С. 543–557
Термодинамические свойства электронного газ в экстремальных условиях высоких температуры, плотности материи и/или сильных магнитных полей во многом определяют поведение вещества во внешних слоях нейтронных звёзд, а также в аккреционных колонках замагниченных нейтронных звёзд в двойных системах. В перечисленных объектах при наличии сильного магнитного поля важной чертой является существенно квантовый характер движения электронов поперёк него, а ...
Добавлено: 29 марта 2022 г.
Reentrant superconductivity in proximity to a topological insulator
T. Karabassov, A.A. Golubov, Silkin V. M. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 103 P. 224508-1–224508-9
Добавлено: 4 июня 2021 г.
Heavy-Atom Antiferromagnet GdBiTe: An Interplay of Magnetism and Topology in a Symmetry-Protected Topological Semimetal
Gebauer P., Poddig H., Corredor-Bohorquez L. T. и др., Chemistry of Materials 2021 Vol. 33 No. 7 P. 2420–2435
Добавлено: 30 апреля 2021 г.
Supercurrent vortices and Majorana zero modes induced by an in-plane Zeeman field on the surface of a three-dimensional topological insulator
Mal'shukov A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 101 P. 134514-1–134514-7
Добавлено: 20 января 2021 г.
Подавление сверхпроводимости в гибридных структурах
Карабасов Т., Васенко А. С., Известия Уфимского научного центра РАН 2021 Т. 1 С. 10–16
Материалы, обладающие сильным спин-орбитальным взаимодействием вызывают большой интерес последние несколько лет, в частности, в активно развивающейся области квантовых вычислений. Таковым материалом, например, является топологический изолятор. Топологический изолятор имеет высокую проводимость поверхности, в то время как в объеме проявляет свойства изолятора, что является чисто феноменологическим определением такой материи. Сверхпроводящие гибридные структуры также являются многообещающей элементной базой ...
Добавлено: 30 декабря 2020 г.
Spin Fluctuations at the Surface of Strongly Correlated Topological Insulator SmB6
S. V. Demishev, Gilmanov M. I., Samarin A. N. и др., Applied Magnetic Resonance 2020 Vol. 51 No. 1 P. 71–84
Добавлено: 24 декабря 2020 г.
AC anomalous Hall effect in topological insulator Josephson junctions
Мальшуков А. Г., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2019 Vol. 100 P. 035301-1–035301-7
Добавлено: 11 марта 2020 г.
Edge magnetoplasmons in graphene: Effects of gate screening and dissipation
Alexey A. Sokolik, Yurii E. Lozovik, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2019 Vol. 100 No. 12 P. 125409-1–125409-8
Добавлено: 18 октября 2019 г.
Many-body filling factor dependent renormalization of Fermi velocity in graphene in strong magnetic field
Alexey A. Sokolik, Yurii E. Lozovik, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2019 Vol. 99 No. 08-5423 P. 085423-1–085423-12
Добавлено: 8 марта 2019 г.
Simple mechanisms that impede the Berry phase identification from magneto-oscillations
Кунцевич А. Ю., Shupletsov A. V., Minkov G. M., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2018 Vol. 97 P. 195431-1–195431-8
Добавлено: 10 сентября 2018 г.
Magnetic and magnetotransport properties of Bi2Se3 thin films doped by Eu
Aronzon B. A., Oveshnikov L. N., Prudkoglyad V.A. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2018 Vol. 459 No. 1 P. 331–334
Добавлено: 13 июля 2018 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору