?
Люминесцентный отклик фотонных кристаллов со встроенными Ge наноостровками с различной глубиной травления отверстий
Письма в Журнал технической физики. 2023. Т. 49. № 10. С. 29–32.
Юрасов Д. В., Яблонский А. Н., Шалеев М. В., Шенгуров Д. В., Родякина Е. Е., Смагина Ж. В., Вербус В. А., Новиков А. В.
Рассмотрено влияние глубины травления отверстий двумерных фотонных кристаллов, сформированных
на Si структурах со встроенными Ge наноостровками, на их люминесцентный отклик. Обнаружено, что
максимальная интенсивность люминесцентного отклика от фотонных кристаллов наблюдается не при
формировании отверстий на всю глубину структуры, а при некоторой промежуточной глубине травления.
Обсуждаются возможные причины данного экспериментального наблюдения.
Filippova A. V., Yurchenko N. Y., Smirnov S. A. и др., Journal of Alloys and Compounds 2026 No. 1074 Article 189162
Добавлено: 12 июня 2026 г.
Спонтанное образование скин-слоя в воде с деформацией ОН-полосы КР вкладом компоненты льда 3200 см-1
Першин С. М., Степанов Е. В., Артемова Д. Г. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2026 Т. 123 № 6 С. 383–390
Открыто спонтанное образование в течение 4 ч скин-слоя дистиллированной воды толщиной до 3 мм при комнатной температуре с новыми свойствами. Обнаружены деформация ОН-полосы комбинационного рассеяния вкладом компоненты льда ( 3200 см-1), снижение коэффициента упругого рассеяния и его флуктуаций, а также увеличение на 20 капиллярах. Восстановление слоя после обогащения воздухом в результате перемешивания указывает на стабильность ...
Добавлено: 8 июня 2026 г.
N.S. Artekha, D.R. Shklyar, Physics of Plasmas 2026 Vol. 33 No. 6 Article 062105
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Zirnik G., Остовари М. А., Zhukov S. и др., Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2026 Vol. 37 Article 738
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Flamarion M. V., Пелиновский Е. Н., Nonlinear Dynamics 2026 Vol. 114 Article 784
Добавлено: 5 июня 2026 г.
Добавлено: 4 июня 2026 г.
Kornbleuth M., Opher M., Drake J. F. и др., Astrophysical Journal 2026 Vol. 1004 No. 1 Article 1
Добавлено: 3 июня 2026 г.
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Fortuna A. S., A.I. Kartsev, Gorshenkov M. V. и др., Journal of Alloys and Compounds 2026 Vol. 1070 Article 188711
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Dikhtievskaya K., Argunov E., Alexey I. Kartsev и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 17 P. 4999–5004
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Duran E. ., Pulgar A., Izquierdo R. и др., Physica Status Solidi (A) Applications and Materials 2026 Vol. 223 No. 7 Article e202500942
Добавлено: 1 июня 2026 г.
Борисов В. Д., Данилов В. Г., Электросвязь 2025 № 12 С. 73–84
Представлены результаты математического моделирования процесса полевой эмиссии из катода малых размеров – одного из основных физических процессов, обеспечивающих работы многих электронных устройств, в частности FED-дисплеев (устройства, работающие на принципе полевой эмиссии), кантилеверов и т.д. Дается краткий обзор текущих результатов в области исследования, обосновывается актуальность задачи, приводятся примеры наиболее вероятного использования результатов решения задачи. Обсуждаются физические ...
Добавлено: 29 мая 2026 г.
Jiang Q., Fang J., Chen J. и др., Science China Information Sciences 2026 Vol. 69 No. 6 Article 162402
Resonators based on nanoelectromechanical systems (NEMS) using two-dimensional (2D) materials with high-quality factors and excellent electrical control are critical for tunable coherent phonon dynamics, resonant sensors and wireless communications. However, their performance is fundamentally limited by the lack of a unified framework governing energy dissipation mechanisms and their electrical tunability. Here, we synergistically modulate both ...
Добавлено: 28 мая 2026 г.
Elesin L., Shilov A., Jana S. и др., Advanced Functional Materials 2026 P. 1–10
Добавлено: 28 мая 2026 г.
Зиновьев В. А., Смагина Ж. В., Зиновьева А. Ф. и др., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 5 С. 238–241
Исследованы люминесцентные свойства структур с линейными периодическими цепочками Si-нанодисков со встроенными GeSi-квантовыми точками. Получено, что формирование линейных цепочек резонаторов приводит к изменению интенсивности и направленности излучения квантовых точек. В спектре появляются узкие высокодобротные пики, связанные с коллективными модами в линейных цепочках. Теоретический анализ зависимости добротности мод от параметров линейных цепочек показал, что при определенных параметрах ...
Добавлено: 24 ноября 2024 г.
Лазарев М. В., Журнал радиоэлектроники 2011 № N 9 С. 1–15
Обычно образование запрещенных зон в фотонных кристаллах (ФК) связывается с выполнением условия брэгговского отражения, когда длина оптического пути через элементарную ячейку порядка половины длины волны. Показано, что при большом контрасте значений адмиттанса слоев, образующих одномерный ФК, возможно образование запрещённой зоны в случае, когда длина оптического пути через элементарную ячейку много меньше половины длины волны. Физическая ...
Добавлено: 29 октября 2021 г.
Ignatyeva D., Kapralov P., Golovko P. и др., Sensors 2021 Vol. 21 No. 6 Article 1984
Добавлено: 13 марта 2021 г.
Добавлено: 19 января 2021 г.
Konopsky V., Мельников А. А., Alieva E. и др., Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics 2019 Vol. 36 No. 10 P. 2871–2875
Добавлено: 29 ноября 2019 г.
Yurasov D. V., Gusev N. S., Dyakov S. A. и др., , in: 2019 IEEE 16th International Conference on Group IV Photonics (GFP), 28-30 August 2019, Singapure.: Singapore: IEEE, 2019. P. 1–2.
Добавлено: 28 октября 2019 г.
Новиков А. В., Юрасов Д. В., Морозова Е. Е. и др., Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52 № 11 С. 1331–1336
Представлены результаты по формированию и исследованию локально-растянутых Ge –микросруктур («микромостиков») на основе Ge, выращенных на кремниевых подложках. Выполнен теоретический анализ распределения деформации в свободновисящих Ge- микромостиках, который выявил, что для достижения максимального уровня деформации растяжения в самом микромостике необходима минимизация концентрации упругих напряжений во всех углах деформации микроструктуры. Измерения локальной деформации методом комбинированного рассеяния света ...
Добавлено: 23 октября 2019 г.