• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • NaFe0.5Mn0.5PO4–Ge electrochemical system for sodium-ion batteries
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
25 августа 2026 г.
Исследователи ВШЭ сравнили рекомендательные алгоритмы по правилам спортивного турнира
Исследователи Института искусственного интеллекта и цифровых наук ФКН НИУ ВШЭ разработали подход, который помогает эффективнее подбирать рекомендательные алгоритмы. В нем разные методы попарно соревнуются, а по результатам всех поединков составляется общий рейтинг. Это помогает сократить число алгоритмов, которые нужно проверять при разработке новых сервисов, и сэкономить денежные и временные ресурсы.Исследование было представлено на  32-й конференции ACM SIGKDD Conference on Knowledge Discovery and Data Mining (KDD 2026).
20 августа 2026 г.
<a>Исследователи НИУ ВШЭ и Сбера научили нейросети лучше угадывать предпочтения пользователей
Институт искусственного интеллекта и цифровых наук ФКН НИУ ВШЭ и Сбер представили новую архитектуру для рекомендательных систем: благодаря объединению двух классов моделей алгоритмы лучше угадывают интересы и потребности пользователей. Препринт работы опубликован на сайте arxiv.org и представлен на летнем фестивале «Урбан ML».
19 августа 2026 г.
Ученые ВШЭ разработали алгоритм, позволяющий производить более надежные процессоры для ЦОД
Ученые из МИЭМ ВШЭ и Самарского университета создали алгоритм LRF-3D для автоматического обхода неработающих узлов в трехмерных сетях на кристалле. Благодаря своей иерархической организации он превосходит аналоги по быстродействию и точности пути, повышая надежность процессоров для использования в ЦОД, суперкомпьютерах и ИИ-вычислениях. Исходные коды алгоритмов и тестов опубликованы в открытом доступе.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

NaFe0.5Mn0.5PO4–Ge electrochemical system for sodium-ion batteries

Mendeleev Communications. 2023. Vol. 33. No. 3. P. 318–319.
Kudryashova Y., Gavrilin I., Tatiana L. Kulova, Svetlana A. Novikova, Skundin A.
Научное направление: Технологии материалов Нанотехнологии Химия
Язык: английский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: энергоемкостьнанопроволокаSodium-ion batterygermaniumгерманийnanowireнатрий-ионный аккумуляторsodium iron-manganese phosphatecharge–discharge curvesenergy densityнатриевый фосфат железа-марганцакривые заряда-разряда
Похожие публикации
Robust CsPbBr3@SiO2 Nanocrystals with Controlled Shell Growth for Stable High-Resolution X‑ray Scintillation Imaging
Жуков А. Е., Liang Y., Zhang X. и др., ACS Applied Nano Materials 2026 Vol. 9 No. 32 P. 15224–15232
Добавлено: 27 августа 2026 г.
Non-epitaxial perovskite polariton laser diode operating under direct current
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Nature 2026 Vol. 656 P. 80–85
Добавлено: 27 августа 2026 г.
Monometallic Ln3+ and heterometallic Ln3+–Cd2+ complexes based on pentafluorophenylacetic acid: efficient control of dimension and luminescent properties
Белоусов Ю. А., Кискин М. А., Сидорук А. В. и др., Australian Journal of Chemistry 2022 Vol. 75 No. 9 P. 572–580
Добавлено: 26 августа 2026 г.
Understanding the electric double layer at electrode–electrolyte interfaces, Part III: crystallographic-face dependence of silver capacitance in aqueous NaF solutions
Мазур Д. А., Брандышев П. Е., Doronin S. V. и др., Electrochimica Acta 2026 Vol. 577 Article 149729
Добавлено: 20 августа 2026 г.
Hall effect in electrolyte solutions: Self-consistent Debye–Hückel–Onsager theory
Будков Ю. А., Каликин Н. Н., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 Article 064506
Добавлено: 12 августа 2026 г.
Charge-controlled binding, alloy synergy, and the copper anomaly in Au–Ag–Cu dimers to clusters: DFT-derived design rules for targeted drug delivery
Новиков А. С., New Journal of Chemistry 2026 Vol. 50 P. 13931–13957
Добавлено: 12 августа 2026 г.
Modeling of the Influence of Temperature on Interaction of a Cathode with a Thin Insulating Film and a Glow Gas Discharge Plasma in a Mixture of Argon and Mercury Vapor
G. G. Bondarenko, Kristya V. I., Savichkin D. O. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2026 Vol. 20 No. 2 P. 417–423
Добавлено: 1 августа 2026 г.
Surface-sulfonated Al₂O₃, CeO₂, and TiO₂ as functional fillers for Nafion-type gel polymer electrolytes for lithium metal batteries
Voropaeva D., S. Novikova, I. Stenina и др., Solid State Ionics 2026 Vol. 445 Article 117288
Добавлено: 30 июля 2026 г.
A simplified approach to predicting thermal expansion anisotropy of solids from first principles: application to the orthorhombic phase of Mo2C
Dmitry Vasilyev, Gorev V., Ихсанов Р. Ш. и др., Journal of Materials Science 2026 No. 61 P. 25452–25470
Добавлено: 23 июля 2026 г.
Influence of Pulsed Laser Radiation on the Morphology and Surface Properties of Tungsten Implanted with Helium Ions
Borovitskaya I. V., Pimenov V. N., Korshunov S. N. и др., Physics of Atomic Nuclei 2026 Vol. 89 No. 1 P. S48–S55
Добавлено: 22 июля 2026 г.
Long-range machine-learning potentials with environment-dependent charges enable predicting LO-TO splitting and dielectric constants
Korogod D., Shapeev A., Ivan S. Novikov, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 2 Article 024104
Добавлено: 22 июля 2026 г.
De-Dollarization, Global Economic Integration, and Resilience in BRICS+ Economies
Kilinc N., Али И., Economies 2026 Vol. 14 No. 7 Article 277
Добавлено: 14 июля 2026 г.
Digital InGaAs/InAlAs short-period superlattices intended for 1.3-μm InP-lasers
V.I. Voitovich, I.S. Makhov, Andryushkin V. V. и др., Journal of Luminescence 2026 Vol. 295 Article 121936
Добавлено: 8 июля 2026 г.
Room-temperature, continuous wave lasing in planar microcavities with quantum dots
Babichev A., Bobrov M., Vasil'ev A. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 No. 24 Article 241102
Добавлено: 8 июля 2026 г.
A Way to Create Mn-Containing GdFe3(BO3)4 and the Dopant Effect on Its Magnetic Properties
Moshkina E., Molokeev M., Zolotov A. и др., Journal of Alloys and Compounds 2026 Vol. 1077 Article 189412
Добавлено: 29 июня 2026 г.
Incorporating Scientific Knowledge into Neural Network Density Functionals
Schneider M., Zaripov D., Dokin R. и др., Journal of Chemical Theory and Computation 2026 Vol. 22 No. 9 P. 4405–4414
Добавлено: 26 июня 2026 г.
Electrodeposition and electrochromic properties of hydrated mixed oxides MoxW1-xO3·2H2O films
Лауринавичюте В. К., Levin E. E., Mironkova A. A. и др., Surfaces and Interfaces 2026 Vol. 81 Article 108389
Добавлено: 24 июня 2026 г.
Nanoscale Welding and Strain-Engineered Photoluminescence of GaN Nanowires
Sharov V., Pavlov A., Eliseyev I. и др., Advanced Optical Materials 2025 Vol. 13 No. 30 Article e01821
Добавлено: 12 ноября 2025 г.
Superconducting bistability in floating Al islands of hybrid Al/InAs nanowires
E. V. Shpagina, E. S. Tikhonov, Ruhstorfer D. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 112 No. 14 Article L140503
Добавлено: 9 ноября 2025 г.
Layered P2-type Na2/3Ni1/3Mn2/3O2: conductivity and electrochemical characteristics
Новикова С. А., Кабанов Д. А., Kovtushenko E. и др., Ionics 2024 Vol. 30 P. 6151–6161
Добавлено: 22 января 2025 г.
Instantaneous growth of single monolayers as the origin of spontaneous core–shell InxGa1−xN nanowires with bright red photoluminescence
Dubrovskii V., Cirlin G., Kirilenko D. и др., Nanoscale Horizons 2024 Vol. 9 No. 12 P. 2360–2367
Добавлено: 23 ноября 2024 г.
Morphology transformation of InGaN nanowires grown on Si substrate by PA-MBE
Gridchin V. O., Драгунова А. С., Kotlyar K. P. и др., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2086 Article 012013
Добавлено: 31 мая 2024 г.
Annealing process and temperature effects on silicon-vacancy and germanium-vacancy centers in CVD grown polycrystalline diamond
Седов В. С., Мартьянов А. К., Тяжелов И. А. и др., Diamond and Related Materials 2024 P. 111169
Добавлено: 16 мая 2024 г.
Различные режимы электронного транспорта в допированных нанопроволоках InAs
Жуков А. А., И. E. Батов, Журнал экспериментальной и теоретической физики 2024 Т. 165 № 3 С. 424–437
Представлены результаты измерения магнитотранспорта в допированных кремнием нанопроволоках InAs в присутствии проводящего острия атомно-силового микроскопа, так называемая техника scanning gate microscopy (SGM). Увеличивая концентрацию носителей в нанопроволоке путем прикладывания положительного напряжения на нижний затвор, удалось последовательно провести транспорт в нанопроволоке через четыре различных режима, а именно, остаточный режим кулоновской блокады, резонансный нелинейный и линейный режимы и, наконец, режим ...
Добавлено: 14 апреля 2024 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору