• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Взаимовлияние эффекта близости и эффекта локализации
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
6 августа 2026 г.
Исследователи ВШЭ показали, как создавать регуляторную ДНК напрямую
Исследователи НИУ ВШЭ разработали модель для генерации промоторов и энхансеров — участков ДНК, регулирующих работу генов. Модель работает с нуклеотидами ДНК напрямую, без промежуточного преобразования в непрерывное числовое пространство. Разработка может быть полезна в синтетической биологии и генной терапии. Результаты исследования представлены на воркшопе конференции ICLR 2026.
5 августа 2026 г.
«Самый результативный метод не теряться - делать хорошие исследования»
Эксперты Международной лаборатории проектирования и исследований в онлайн-обучении ВШЭ изучают и разрабатывают методы образования, предполагающие большую вовлеченность студентов и школьников в процесс обучения. Лаборатория активно исследует поведение учащихся через их цифровые следы в онлайн-системах, отношение педагогов к применению современных технологий и коммуникаций в обучении и разрабатывает принципы продуктивного применения ИИ в образовании. О деятельности лаборатории «Вышка.Главное» побеседовала с ее заведующей Анастасией Капузой.
5 августа 2026 г.
Развивая сотрудничество: совместный семинар ФКН ВШЭ и Харбинского технологического университета
13–16 июля на факультете компьютерных наук прошел Российско-китайский научно-исследовательский семинар по приложениям машинного обучения, организованный Научно-учебной лабораторией облачных и мобильных технологий совместно с Харбинским политехническим университетом (Китай). Делегация из семи студентов и трех представителей университета прибыла в Москву, чтобы принять участие в интенсивной четырехдневной программе.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Взаимовлияние эффекта близости и эффекта локализации

С. 110–111.
Островский П. М., Фоминов Я. В., Иоселевич П. А.

Исследовано взаимовлияние сверхпроводящего эффекта близости и локализационных эффектов. Для этого рассмотрен квазиодномерный многоканальный нормальный провод, присоединенный к сверхпроводящему резервуару, и вычислена плотность состояний в проводе как функция энергии и координаты. Сверхпроводящий эффект близости приводит к подавлению локальной плотности состояний в проводе вблизи контакта. В проводе предполагались выполненными условия диффузного предела (длина свободного пробега предполагалась малой по сравнению с геометрическими размерами). Были рассмотрены случаи ортогональной и симплектической симметрии провода. Граница между сверхпроводником и нормальным проводом предполагалась
прозрачной.

Язык: русский
Ключевые слова: proximity effectэффект близости
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Теоретические и экспериментальные исследования в области физики конденсированного состояния (2022)

В книге

Труды XXVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника»
Т. 1. , Н. Новгород: Издательство Нижегородского университета, 2022.
Похожие публикации
Proximity-effect engineering in aluminum-based planar Josephson junctions with intrinsic superconductivity
Polevoy K. B., Bakurskiy S. V., Ruzhickiy V. I. и др., Physical Review Applied 2026 Vol. 25 P. 024030-1–024030-12
Добавлено: 2 июля 2026 г.
Strain-induced superconducting proximity effect in the topological insulator TaSe3
Lukmanova R.M., Cohn I.A., Minakova V. E. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 111 No. 22 Article 224510
Магнитосопротивление структур сверхпроводник–топологический изолятор–сверхпроводник, где индий выступает в роли сверхпроводника, а TaSe3 – в роли топологического изолятора, демонстрирует ступенчатые особенности сопротивления под действием магнитных полей. Эти ступени сопротивления являются результатом подавления сверхпроводимости, вызванного эффектом сверхпроводящей близости как в объёмных, так и в поверхностных состояниях топологического изолятора. Положение и амплитуда ступеней, возникающих приблизительно при 0,1 Тл, ...
Добавлено: 11 марта 2026 г.
Practical way to increase nonlinearity of kinetic inductance of superconductor
Korneeva Y. P., Dryazgov M. A., Trofimov I. V. и др., Superconductor Science and Technology 2025 Vol. 38 No. 7 Article 075016
Добавлено: 1 марта 2026 г.
Hybrid collective excitations in topological superconductor/ferromagnetic insulator heterostructures
T. Karabassov, I. V. Bobkova, Bobkov A. M. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 113 No. 10 Article 104514
Добавлено: 26 февраля 2026 г.
Shapiro Steps in ballistic Josephson junction based on a single Bi2Te2.3Se0.7 nanocrystal
Stolyarov V. S., Kozlov S. N., Yakovlev D. S. и др., Communications Materials 2026 Vol. 7 Article 91
Добавлено: 5 февраля 2026 г.
The Physics of Superconductor–Ferromagnet Hybrid Structures (Brief Review)
A. A. Golubov, Bakurskiy S. V., T. Karabassov и др., JETP Letters 2026 Vol. 123 No. 5 P. 324–340
Добавлено: 25 января 2026 г.
Geometry-controlled engineering of the low-temperature proximity effect in normal metal–superconductor junctions
Tomayeva M., Vyacheslav D. Neverov, Andrey V. Krasavin и др., Beilstein Journal of Nanotechnology 2025 Vol. 16 P. 2265–2273
Добавлено: 8 января 2026 г.
Superconducting spin valve effect in Fe/Si3N4/Pb/Si3N4/Fe heterostructures
Kamashev A. A., Garif’yanov N. N., Validov A. A. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 112 No. 13 Article 134509
Добавлено: 20 декабря 2025 г.
Плотность состояний в сверхпроводящем спиновом вентиле с ферромагнитными изоляторами
Селезнёв Д. В., Сеидов С. С., Пугач Н. Г. и др., Известия Уфимского научного центра РАН 2025 № 1 С. 5–11
Рассматривается спиновый вентиль, состоящий из одного сверхпроводящего слоя и двух ферромагнитных изоляторов по краям сверхпроводника. Контакт рассмотрен в грязном пределе, в котором функция Грина сверхпроводника подчиняется уравнению Узаделя. Уравнения Узаделя дополнены соответствующими граничными условиями, моделирующими эффект близости сверхпроводника с ферромагнитным изолятором. Исследование системы проводилось путем численного решения уравнений Узаделя вкупе с уравнением самосогласования для сверхпроводящего параметра порядка. Численный ...
Добавлено: 5 марта 2025 г.
Управляемый эффект близости в структуре сверхпроводник-геликоидальный магнетик
Лекомцев Н. В., Пугач Н. Г., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов имени Е.В. Арменского. Москва, 2024.: М.: ООО "Издательский дом Медиа паблишер", 2024. С. 216–218.
В работе изучается управляемый эффект близости под контролем спинового переключения в бислое сверхпроводник-геликоидальный магнетик, проводится сравнение расчётных значений критических параметров структуры с экспериментальными. Исследование проводится в рамках разработки модели сверхпроводникового спинового вентиля ...
Добавлено: 7 декабря 2024 г.
Density of States in the Heterostructure Ferromagnetic Insulator-Superconductor-Ferromagnetic Insulator
D. V. Seleznev, S. S. Seidov, N. G. Pugach и др., Journal of Superconductivity and Novel Magnetism 2024 Vol. 38 Article 9
Добавлено: 24 октября 2024 г.
Superconducting spin valve effect in Co/Pb/Co heterostructures with insulating interlayers
Kamashev A., Garif’yanov N., Validov A. и др., Beilstein Journal of Nanotechnology 2024 Vol. 15 P. 457–464
Добавлено: 22 июля 2024 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору