• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Плотность состояний в сверхпроводящем спиновом вентиле с ферромагнитными изоляторами
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
15 октября 2026 г.
Ученые НИУ ВШЭ выяснили, куда смотрят дети и взрослые при чтении
Исследователи Центра языка и мозга НИУ ВШЭ совместно с зарубежными коллегами показали, что в конце первого класса у детей уже сформирован один из важных навыков движений глаз при чтении. Они, как и взрослые, быстро адаптируют длину саккад — быстрых скачков взгляда — к длине слов в предложениях. При этом место, куда приземляется взгляд, у детей смещено к началу слова, в отличие от взрослых, которые смотрят в середину слова. Чем выше беглость чтения, тем ближе эта позиция к центру. Результаты исследования опубликованы в Journal of Experimental Child Psychology.
13 октября 2026 г.
Российские ученые поставили под сомнение установление рекорда в замерах свойств сверхпроводников
Топологические изоляторы проводят ток только по поверхности и поэтому рассматриваются как перспективные материалы для будущей электроники и квантовых технологий. Особый интерес представляет их контакт со сверхпроводниками. Физики из НИУ ВШЭ показали, что недавний эксперимент, в котором в такой гибридной структуре якобы наблюдалось объединение электронных пар на рекордном расстоянии 1,5 мкм, допускает более прозаичное объяснение. По их мнению, тот же сигнал может быть обусловлен обычным прохождением электронов через сверхпроводник. Дискуссия исследователей развернулась на страницах Nature Physics.
12 октября 2026 г.
Устойчивое управление и стоимость бизнеса: экономисты ВШЭ выяснили, как они связаны на российском рынке
На российском рынке устойчивое развитие повышает стоимость бизнеса прежде всего тогда, когда становится частью корпоративной стратегии. К такому выводу пришли исследователи НИУ ВШЭ и их зарубежные коллеги, проанализировав практики управления 152 публичных российских компаний. Статья опубликована в журнале Business Strategy and the Environment.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Плотность состояний в сверхпроводящем спиновом вентиле с ферромагнитными изоляторами

Известия Уфимского научного центра РАН. 2025. № 1. С. 5–11.
Селезнёв Д. В., Сеидов С. С., Пугач Н. Г., Екомасов Е. Г., Львов Б. Г.

Рассматривается спиновый вентиль, состоящий из одного сверхпроводящего слоя и двух ферромаг-
нитных изоляторов по краям сверхпроводника. Контакт рассмотрен в грязном пределе, в котором функция
Грина сверхпроводника подчиняется уравнению Узаделя. Уравнения Узаделя дополнены соответствую-
щими граничными условиями, моделирующими эффект близости сверхпроводника с ферромагнитным
изолятором. Исследование системы проводилось путем численного решения уравнений Узаделя вкупе с
уравнением самосогласования для сверхпроводящего параметра порядка. Численный метод представляет
собой стандартную итерационную процедуру решения интегро-дифференциального уравнения. На основе
численного решения уравнений Узаделя были рассчитаны зависимости плотности электронных состояний
от энергии при различных углах разориентации векторов намагниченности ферромагнитных изоляторов и
толщинах сверхпроводника. Благодаря взаимодействию с ферромагнетиком, на границах сверхпроводника
происходит конверсия синглетных спиновых корреляций в триплетные. Их характерным признаком явля-
ется возникновение пика при нулевом смещении в зависимости плотности электронных состояний от
энергии квазичастиц. В результате выполнения работы показано, что данный пик действительно возника-
ет и подробно изучены его свойства. В частности, исследовано изменение положения и высоты пика при
варьировании угла разориентации векторов намагниченности ферромагнитных слоев и при изменении
толщины сверхпроводящего слоя. Пик при нулевом смещении оказывает влияние на критическую темпе-
ратуру сверхпроводящего перехода, подавляя сверхпроводящую щель и, соответственно, повышая крити-
ческую температуру. Так как его высота зависит от взаимной ориентации векторов намагниченности фер-
ромагнитных слоев, показано, что, управляя их ориентацией, возможно открывать и закрывать прохожде-
ние сверхпроводящего тока через гетероструктуру. То есть, продемонстрирован эффект спинового венти-
ля. Результаты численного расчета визуализированы путем построения трехмерного графика зависимости
плотности состояний от энергии квазичастиц и угла разориентации векторов намагниченности ферромаг-
нитных слоев. Также построены графики зависимости плотности состояний при энергии квазичастиц,
равной энергии Ферми, от угла разориентации ферромагнитных слоев для различных толщин сверхпрово-
дящего слоя в гетероструктуре.

Научное направление: Физика
Язык: русский
Полный текст
DOI
Ключевые слова: спинтроникаэффект близостиспиновый вентиль
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Квантовые эффекты в низкоразмерных гибридных наноструктурах  (2025)
Похожие публикации
Structure and conformational dynamics of formamide molecule in the ground and lowest excited electronic states
Тукачев Н. В., Bataev V., Abramenkov A. и др., Computational and Theoretical Chemistry 2016 No. 1080 P. 23–32
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Conformational analysis of N-methylformamide in ground S0 and excited S1 and T1 electronic states
Тукачев Н. В., Bataev V. А., Godunov I. А., Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer 2016 Vol. 177 P. 291–300
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Conformational analysis of acetamide in the ground and lowest excited electronic states
Тукачев Н. В., Bataev V. А., Godunov I. А., Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer 2017 Vol. 192 P. 30–41
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Conformational analysis of N-methylacetamide molecule in the ground and excited electronic states
Тукачев Н. В., Bataev V. A., Godunov I. A., Computational and Theoretical Chemistry 2017 Vol. 1113 P. 82–93
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Ground state geometry of PPV oligomers
Тукачев Н. В., Maslennikov D., Sosorev A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2019 Vol. 10 No. 12 P. 3232–3239
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Effects of π-spacer and fluorine loading on the optoelectronic and photovoltaic properties of (X-DADAD)n benzodithiophene-based conjugated polymers
Тукачев Н. В., Akkuratov A., Kuznetsov I. и др., Synthetic Metals 2020 Vol. 259 Article 116231
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Toward probing of the local electron–phonon interaction in small-molecule organic semiconductors with Raman spectroscopy
Тукачев Н. В., Nuraliev M., Parashchuk O. и др., Journal of Chemical Physics 2020 Vol. 153 No. 17 Article 174303
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Impact of the acceptor units on optoelectronic and photovoltaic properties of (XDADAD)n-type copolymers:computational and experimental study
Тукачев Н. В., Klimovich I., Prudnov F. и др., Dyes and Pigments 2021 Vol. 185 Article 108899
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Suppression of dynamic disorder by electrostatic interactions in structurally close organic semiconductors
Тукачев Н. В., Sosorev A., Parashchuk O. и др., Physical Chemistry Chemical Physics 2021 Vol. 23 No. 29 P. 15485–15491
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Low-frequency vibrational modes in G-quadruplexes reveal the mechanical properties of nucleic acids
Тукачев Н. В., González-Jiménez M., Ramakrishnan G. и др., Physical Chemistry Chemical Physics 2021 Vol. 23 No. 23 P. 13250–13260
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Understanding the emergence of the boson peak in molecular glasses
Тукачев Н. В., González-Jiménez M., Barnard T. и др., Nature Communications 2023 Vol. 14 Article 215
Добавлено: 14 октября 2026 г.
A Second Glass Transition Observed in Single-Component Homogeneous Liquids Due to Intramolecular Vitrification
Тукачев Н. В., Mali G., Tassieri M. и др., Journal of the American Chemical Society, USA 2023 Vol. 145 No. 48 P. 26061–26067
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Reliability of DFT and multiscale modelling for prediction of emission properties of blue TADF luminophores
Тукачев Н. В., Dubinets N. O., Dominskiy D. I. и др., Optical Materials 2024 Vol. 157 No. 2 P. 1–8
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Fluorinated polythiophenes with ester side chains for boosting the Voc and efficiency in non-fullerene polymer solar cells
Тукачев Н. В., Su L., Zhou Y. и др., Polymer 2025 Vol. 326 Article 128336
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Sandpile Cellular Automata with Manna Rule on the Chung-Lu Graph: Application to X Social Network
Дмитриев А. В., Корнилов В. В., Batienkov R., Lecture Notes in Civil Engineering 2026 Vol. 886 P. 249–255
Добавлено: 13 октября 2026 г.
Sandpile Cellular Automata with Manna Rule on the Chung-Lu Graph: Application to X Social Network
Дмитриев А. В., Shulman I., Лебедев А. А., Studies in Computational Intelligence 2026 Vol. 1265 P. 266–273
Добавлено: 13 октября 2026 г.
Неравновесное состояние в квазиодномерных сверхпроводящих каналах
Арутюнов К. Ю., Харитонов И. А., Петросянц К. О., JETP Letters 2026 Vol. 124 No. 6 P. 1–16
Добавлено: 13 октября 2026 г.
When universal machine learning models fail in capacitance prediction for carbon-based supercapacitors: Leakage-aware validation and electrolyte screening
Makarov D. M., Каликин Н. Н., Fashchevsky K. A. и др., Electrochimica Acta 2026 Vol. 579 Article 150159
Добавлено: 13 октября 2026 г.
Ranging Precision Comparison of Direct and Non-Line-of-Sight LiDAR Systems Based on SNSPD
Махлуф М., Ожегов Р. В., Елезов М. С. и др., Фотоника 2026 Vol. 20 No. 6 P. 414–423
В данной работе проведено сравнение точности дальнометрии лидарных архитектур прямого времени пролёта (dToF) и вне прямой видимости (NLOS), обе из которых используют сверхпроводящий нанопроволочный детектор одиночных фотонов (SNSPD). Обе системы работают на длине волны 1550 нм с импульсным лазером длительностью 50 пс и методом коррелированного во времени счёта одиночных фотонов (TCSPC). Конфигурация dToF обеспечила точность около 100 мкм ...
Добавлено: 12 октября 2026 г.
Proceedings of the 34th IUPAP Conference on Computational Physics: CCP2023, August 4-8, Kobe, Japan
Singapore: Springer, 2026.
Добавлено: 12 октября 2026 г.
Effect of External Pressure and Quantum State on the Local Magnetization of Germanium Layers: Ab Initio Calculation.
Goncharov A., Чибисов А. Н., Advanced Theory and Simulations 2023 Vol. 12 No. 13 Article 2200816
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Analytical solution of coupled self-consistency and linearized Usadel equations for dirty superconductors near 𝑇𝑐 and with the proximity effect
S. S. Seidov, N. G. Pugach, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074504
Добавлено: 13 августа 2026 г.
Strain-induced superconducting proximity effect in the topological insulator TaSe3
Lukmanova R.M., Cohn I.A., Minakova V. E. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 111 No. 22 Article 224510
Магнитосопротивление структур сверхпроводник–топологический изолятор–сверхпроводник, где индий выступает в роли сверхпроводника, а TaSe3 – в роли топологического изолятора, демонстрирует ступенчатые особенности сопротивления под действием магнитных полей. Эти ступени сопротивления являются результатом подавления сверхпроводимости, вызванного эффектом сверхпроводящей близости как в объёмных, так и в поверхностных состояниях топологического изолятора. Положение и амплитуда ступеней, возникающих приблизительно при 0,1 Тл, ...
Добавлено: 11 марта 2026 г.
Practical way to increase nonlinearity of kinetic inductance of superconductor
Korneeva Y. P., Dryazgov M. A., Trofimov I. V. и др., Superconductor Science and Technology 2025 Vol. 38 No. 7 Article 075016
Добавлено: 1 марта 2026 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору