• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Micromask Lithography for Cheap and Fast 2D Materials Microstructures Fabrication
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2028
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
11 сентября 2026 г.
Научная экспедиция на Хайнань: ученые ВШЭ организовали конференцию по статистическому ИИ в Китае
С 24 по 28 августа 2026 года в городе Санья на острове Хайнань (Китай) прошла международная конференция Statistical AI («Статистический искусственный интеллект»). Мероприятие собрало ведущих специалистов в области статистики, машинного обучения и прикладного ИИ. Среди организаторов конференции — Алексей Наумов, директор Института искусственного интеллекта и цифровых наук ФКН НИУ ВШЭ, и Сергей Самсонов, заведующий Международной лабораторией стохастических алгоритмов и анализа многомерных данных.
10 сентября 2026 г.
<a>В НИУ ВШЭ выяснили, что личный интерес к теме диссертации сильнее всего связан с уверенностью в защите
Исследователь из НИУ ВШЭ проанализировал данные 1539 аспирантов из 161 российского университета и выяснил, какие особенности диссертационной темы связаны с успешностью и вовлеченностью в обучение. Самым важным фактором оказался личный интерес к исследованию: он был связан практически со всеми ключевыми сторонами аспирантской жизни — от взаимодействия с научным руководителем до исследовательской активности и уверенности в будущей защите. Результаты опубликованы в журнале Higher Education.
11 сентября 2026 г.
Интересы России и Африки совпадают: в НИУ ВШЭ стартовала конференция по вопросам развития континента
В Центре культур НИУ ВШЭ на Покровском бульваре 10 сентября начала работу двухдневная научно-практическая конференция, посвященная развитию Африки и сотрудничеству стран континента с Россией. Эксперты обсуждают вопросы образования, инвестиций, цифровизации. Одним из ключевых событий конференции стала презентация доклада «Африка 2027. Возможности и риски».

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Micromask Lithography for Cheap and Fast 2D Materials Microstructures Fabrication

Micromachines. 2021. Vol. 12. No. 8. Article 850.
Pugachev M., Duleba A., Arslan A. Galiullin, Aleksandr Y. Kuntsevich
Научное направление: Физика Нанотехнологии
Язык: английский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: наноэлектроникаnanoelectronicsфотолитографияlithographyдвумерные материалы 2D materialsVan der waals heterostructuresmask lithographyмасочная литографияВан-дер-Ваальсовы гетероструктуры
Похожие публикации
Bridging experiment and molecular dynamics: Mefenamic acid confinement in nanocrystalline cellulose aerogels under scCO2 conditions
Гурина Д. Л., Fashchevsky K. A., Oparin R. D. и др., Surfaces and Interfaces 2026 Vol. 98 Article 110545
Добавлено: 8 сентября 2026 г.
Configuration-dependent edge and corner superconductivity in 𝑠-wave kagome superconductors
Huang D., Chen Y., Luo X. и др., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Interband effects in the intertype regime of dirty two-band superconductors
Марычев П. М., Шаненко А. А., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Элементы теории топологических изоляторов
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As
Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Хомицкий Д. В., Вихрова О. В., Данилов Ю. А. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 3 С. 346–355
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Quasistationary states in a quantum dot formed at the edge of a topological insulator by magnetic barriers with finite transparency
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Role of resident electrons in the manifestation of a spin polarization memory effect in Mn delta-doped GaAs heterostructures
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Спин-зависимое туннелирование в двойной квантовой точке в режиме "медленной" эволюции
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Effect of pulsed laser annealing on the properties of (Ga,Mn)As layers
Хомицкий Д. В., Kalentyeva I. L., Vikhrova O. V. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2022 Vol. 556 Article 169360
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Formation of bound states from the edge states of 2D topological insulator by macroscopic magnetic barriers
Хомицкий Д. В., Konakov A. A., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 Article 405302
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Single-spin Landau-Zener-Stückelberg-Majorana interferometry of Zeeman-split states with strong spin-orbit interaction in a double quantum dot
Хомицкий Д. В., Studenikin S. A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 19 Article 195414
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Формирование связанных состояний и управление их локализацией в двойной квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора с магнитными барьерами
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Harvesting Magneto-Acoustic Waves Using Magnetic 2D Chromium Telluride (CrTe3)
Chowde Gowda C., Alexey Kartsev, Tiwari N. и др., Small 2024 Vol. 20 No. 47 Article 2405197
Добавлено: 16 марта 2026 г.
Impact of Vacancies on 2D Transition Metal Trichloridies TMCl3 (TM = V, Ni, and Mo) Electric and Magnetic Characteristics
Tissen M., Kushchuk L., Bagzhanov D. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 2 P. 466–475
Добавлено: 2 января 2026 г.
Cost-Effective Laboratory Matrix Projection Micro-Lithography System
Галиуллин А. А., Кунцевич А. Ю., Pugachev M. и др., Micromachines 2024
Добавлено: 28 июля 2025 г.
Ultrafast dynamics of excitons and charge carriers in Van der Waals WS2 nanotubes
Paukov M. I., Starchenko V. V., Мельников А. А. и др., Materials Today Chemistry 2024 No. 36 Article 101886
Добавлено: 24 июля 2025 г.
Application of planar materials obtained by photolithography containing equidistant ultramicroelectrodes for analyzing the properties of electroactive oligopeptides
Arbenin A. Y., Petrov A. A., Nazarov D. V. и др., Procedia Structural Integrity 2023 Vol. 50 P. 27–32
Добавлено: 30 января 2025 г.
Towards the realization of NbSe2 NIR photodetectors integrated on a silicon nitride waveguide
K.V. Shein, A.N. Lyubchak, Zharkova E. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3.2 P. 241–245
Фотонные интегральные схемы (ФИС) представляют собой перспективную платформу для применения в области квантовых технологий, таких как квантовые вычисления и криптография. В данной работе мы демонстрируем успешное интегрирование двумерного сверхпроводника NbSe2 на оптический волновод. Также нами был представлен и отработан процесс создания тонких нанопроводов методом реактивного ионного травления. ...
Добавлено: 5 ноября 2024 г.
Improved Carrier Separation and Recombination by Ferroelectric Polarization in the CuBiP2Se6/C2N Heterostructure: A Nonadiabatic Molecular Dynamics Study
Цзян С., Tan J., Лю Д. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2024 Vol. 15 No. 10 P. 2867–2875
Добавлено: 5 марта 2024 г.
Inert-Atmosphere Microfabrication Technology for 2D Materials and Heterostructures
Duleba A., Pugachev M., Mark Blumenau и др., Micromachines 2024 Vol. 15 No. 1 Article 94
Добавлено: 15 февраля 2024 г.
Fundamental Limits of Few-Layer NbSe2 Microbolometers at Terahertz Frequencies
Kirill Shein, Zharkova E., Kashchenko M. и др., Nano Letters 2024 Vol. 24 No. 7 P. 2282–2288
Добавлено: 13 февраля 2024 г.
Избранные труды II Всероссийской молодежной школы-конференции «СОВРЕМЕННЫЕ ФИЗИКА, МАТЕМАТИКА, ЦИФРОВЫЕ И НАНОТЕХНОЛОГИИ В НАУКЕ И ОБРАЗОВАНИИ (ФМЦН-23)»
Уфа: Издательство БГПУ, 2023.
В сборнике представлены статьи, опубликованные по итогам работы секций II Всероссийской молодежной школы-конференции. Статьи прошли рецензирование и сгруппированы по тематическим направлениям работы конференции. В сборнике помещены научные статьи студентов, магистров, аспирантов, преподавателей вузов, учителей и учеников школ. ...
Добавлено: 14 декабря 2023 г.
Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 13–16 марта 2023 г.) в 2х томах. Том 1
Н. Новгород: ИПФ РАН, 2023.
Том 1 Секция 1 Сверхпроводящие наносистемы Секция 2 Магнитные наноструктуры Секция 4 Измерения и технологии атомарного и нанометрового масштаба на основе зондовых, электронно-лучевых и ионно-лучевых методов Секция 6 Твердотельная элементная база квантовых технологий ...
Добавлено: 26 марта 2023 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору