?
Исследование эффекта памяти в тонких пленках аморфных халькогенидных полупроводников состава GST225
Известия Санкт-Петербургской лесотехнической академии. 2022. Т. 238. С. 228–242.
Фефелов С. А., Казакова Л. П., Богословский Н. А., Былев А. Б., Анненкова А. М.
В последнее время большое внимание направлено на разработку новых типов энергонезависимой памяти. Одним из наиболее перспективных материалов для решения этой задачи являются халькогенидные полупроводники (ХСП) состава Ge2Sb2Te5 (GST225), обладающие фазовой памятью, которая основана на фазовом переходе вещества из аморфного состояния в кристаллическое (эффект памяти) под воздействием электрического поля [Ovshinsky, 1968; Yamada et al., 1991]. В связи с этим активно изучается механизм такого перехода. Однако до настоящего времени процесс формирования фазовой памяти все еще не достаточно прояснен. Данное исследование направлено на изучение эффекта памяти в тонких пленках Ge2Sb 2Te5 в условиях контролируемого тока в образце.