?
Многоуровневая запись в тонких пленках Ge2Sb2Te5
Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 4. С. 372–375.
Фефелов С. А., Казакова Л. П., Богословский Н. А., Былев А. Б., Якубов А. О.
Проведены исследования вольт-амперных характеристик, полученных на тонких пленках Ge2Sb2Te5 в токовой моде. Установлен эффект многоуровневой записи при последовательной подаче на образец импульсов тока с возрастающим максимальным значением. Показано, что этот эффект может быть связан с расширением канала памяти. Получена оценка размера канала памяти. Сделан вывод о возможности использования пленок Ge2Sb2Te5 в качестве мемристора. Ключевые слова: халькогенидные стеклообразные полупроводники, эффект переключения, фазовая память, шнур тока, многоуровневая запись.
Bisnovatyi-Kogan G., Кондратьев И. А., Моисеенко С. Г., International Journal of Modern Physics A 2025 Vol. 40 No. 7 Article 2550018
Добавлено: 11 мая 2026 г.
Торопина О. Д., Бисноватый-Коган Г. С., Моисеенко С. Г., Astronomy Reports 2025 Vol. 69 No. Suppl. 1 P. 80–90
Представлены результаты МГД-моделирования сверхзвуковых астрофизических и лабораторных струй во внешнем полоидальном магнитном поле (Br,Bz) с учетом вращения вещества. Выброшенное вещество коллимируется магнитным полем, степень коллимации и структура потока зависят от соотношения между индукцией магнитного поля и угловой скоростью вещества. При сильном магнитном поле и умеренном вращении образуется бочкообразная структура вытянутой формы, оставляющая после себя стабильный ...
Добавлено: 11 мая 2026 г.
Morozov E. V., Demin A. S., Borovitskaya I. V. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2026 Vol. 17 No. 3 P. 619–626
Добавлено: 4 мая 2026 г.
Пономарев А. А., Александров Н. Л., Plasma Physics Reports 2026 Vol. 52 No. 3 P. 367–378
Добавлено: 27 апреля 2026 г.
Добавлено: 27 апреля 2026 г.
Tsareva O. O., Malova H. V., V. Yu. Popov и др., Plasma Physics Reports 2026 Vol. 52 No. 2 P. 179–185
Добавлено: 27 апреля 2026 г.
П.А.Беспалов, О.Н. Савина, Геомагнетизм и аэрономия 2025 Т. 65 № 5 С. 620–628
Рассмотрены несколько базовых моделей частотной динамики в квазипериодических ОНЧ-излучениях
с периодами повторения спектральных форм от 10 до 300 с. Во всех случаях речь
идет о проявлениях циклотронной неустойчивости электронных радиационных поясов, которые
хорошо описываются в рамках теории плазменного магнитосферного мазера, основанной на
усредненной самосогласованной системе квазилинейных уравнений для частиц и волн. Не очень
четкие спектральные элементы характерны для QP-всплесков, представляющих ...
Добавлено: 25 апреля 2026 г.
Bondarenko G.G., Fisher M. R., Kristya V. I., Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 2026 Vol. 90 No. 4 P. 572–576
Добавлено: 25 апреля 2026 г.
Lu X., Tognazzi A., Klimov V. и др., Plasmonics 2026 Vol. 21 P. 1503–1512
Добавлено: 22 апреля 2026 г.
Щур Л. Н., Antonov D., Burovski E., International Journal of Bifurcation and Chaos in Applied Sciences and Engineering 2026 P. 1–9
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Doronin S. V., Будков Ю. А., Current Opinion in Electrochemistry 2026 Vol. 57 Article 101853
Добавлено: 19 апреля 2026 г.
Nikolai N. Kalikin, Petr E. Brandyshev, Yury A. Budkov, Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 164 No. 15 Article 154904
Добавлено: 18 апреля 2026 г.
Моисеев Э. И., D.A. Masyutin, I.A. Melnichenko и др., Optics and Laser Technology 2026 Vol. 201 No. 115289 Article 115289
Добавлено: 18 апреля 2026 г.
A. V. Pereskokov, Theoretical and Mathematical Physics 2026 Vol. 226 No. 3 P. 470–484
Добавлено: 12 апреля 2026 г.
Добавлено: 21 ноября 2025 г.
Maslov D., Vladimir I. Yudson, Batista C., Physical Review Letters 2025 Vol. 135 No. 3 Article 036301
Добавлено: 11 сентября 2025 г.
Добавлено: 27 ноября 2024 г.
Influence of anisotropy on the study of critical behavior of spin models by machine learning methods
Суховерхова Д. Д., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2410.14523.
...
Добавлено: 21 октября 2024 г.
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Каган М. Ю., Аксёнов С. В., / Series Research Square "Research Suqare". 2024. No. 1.
Добавлено: 10 апреля 2024 г.
Добавлено: 29 января 2024 г.
Добавлено: 15 сентября 2023 г.