?
Chalcogenide Glassy Semiconductors: History of Discovery and Research
P. 107–123.
Tsendin K., Bogoslovskiy N.
В книге
Vol. 1: Structure, Properties, Modeling and Applications of Amorphous Chalcogenides. , World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd, 2021.
Chertopolokhov V., Mukhamedov A., Bugriy G. и др., IEEE Access 2026 Vol. 14 P. 14369–14392
Добавлено: 22 мая 2026 г.
Maslov D., Vladimir I. Yudson, Batista C., Physical Review Letters 2025 Vol. 135 No. 3 Article 036301
Добавлено: 11 сентября 2025 г.
S. A. Fefelov, Kazakova L. P., N. A. Bogoslovskiy и др., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 No. 114 Article 012087
Добавлено: 8 ноября 2022 г.
Фефелов С. А., Казакова Л. П., Богословский Н. А. и др., Известия Санкт-Петербургской лесотехнической академии 2022 Т. 238 С. 228–242
В последнее время большое внимание направлено на разработку новых типов энергонезависимой памяти. Одним из наиболее перспективных материалов для решения этой задачи являются халькогенидные полупроводники (ХСП) состава Ge2Sb2Te5 (GST225), обладающие фазовой памятью, которая основана на фазовом переходе вещества из аморфного состояния в кристаллическое (эффект памяти) под воздействием электрического поля [Ovshinsky, 1968; Yamada et al., 1991]. В ...
Добавлено: 8 ноября 2022 г.
Фефелов С. А., Казакова Л. П., Богословский Н. А. и др., Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54 № 4 С. 372–375
Проведены исследования вольт-амперных характеристик, полученных на тонких пленках Ge2Sb2Te5 в токовой моде. Установлен эффект многоуровневой записи при последовательной подаче на образец импульсов тока с возрастающим максимальным значением. Показано, что этот эффект может быть связан с расширением канала памяти. Получена оценка размера канала памяти. Сделан вывод о возможности использования пленок Ge2Sb2Te5 в качестве мемристора. Ключевые слова: ...
Добавлено: 11 ноября 2020 г.
Фефелов С. А., Казакова Л. П., Богословский Н. А. и др., Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52 № 12 С. 1503–1506
Вольт-амперные характеристики тонкопленочных образцов системы GeSbTe измерены в режиме генератора тока. Исследованы осцилляции напряжения, наблюдающиеся после переключения. Показано, что эти осцилляции могут быть связаны с образованием горячего шнура тока и его постепенным остыванием. Сделаны оценки размера и температуры шнура тока. Показано, что характерная температура в шнуре тока соответствует температуре фазового перехода в кристаллическое состояние. ...
Добавлено: 11 ноября 2020 г.
Аннотация: Электрические свойства тонких пленок поли (ариленэфиркетон) сополимеров (со-ПАЭК) с долей фталидсодержащих звеньев 3, 5 и 50 мол.% в основной цепи были исследовано с помощью измерений радиационной проводимости (РЭ). Сигналы переходного тока и вольт-амперные характеристики были получены при экспонировании 20 ÷ 25 толстых пленок со-ПАЭК для моноэнергетических импульсов электронов с энергией в диапазоне от 3 ...
Добавлено: 20 ноября 2019 г.