• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Chalcogenide Glassy Semiconductors: History of Discovery and Research
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
18 мая 2026 г.
В Вышке прошла XXX юбилейная научно-техническая конференция имени Е.В. Арменского
Организатором научного события выступает Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова ВШЭ. В этом году главный инженерный студенческий форум проходил 30-й раз и собрал рекордное число участников. Студенты, аспиранты и молодые специалисты из 50 вузов и организаций России представили научно-исследовательские доклады в ИТ-области. Отдельная секция была посвящена научно-исследовательским работам школьников.
15 мая 2026 г.
В НИУ ВШЭ разрабатывают нейросеть для сферы науки и инноваций
Исследователи НИУ ВШЭ учат большие языковые модели понимать русскоязычную научную терминологию, увеличивая при этом их энергоэффективность. Адаптированная модель работает в 2,7 раза быстрее и требует на 73% меньше памяти, чем исходная открытая модель, что позволяет запускать ее на более доступном оборудовании. Программа прошла государственную регистрацию.
15 мая 2026 г.
Стартовал совместный спецпроект бренд-медиа Вышки IQ Media и iFORA ИСИЭЗ
В мае 2026 года стартовал научно-популярный проект «Искусственный интеллект: технологии, данные и будущее», который стал результатом работы двух команд — проекта iFORA Института статистических исследований и экономики знаний НИУ ВШЭ и редакции бренд-медиа IQMedia. Медийно-аналитический спецпроект посвящен современному развитию искусственного интеллекта и аналитике больших данных.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Chalcogenide Glassy Semiconductors: History of Discovery and Research

P. 107–123.
Tsendin K., Bogoslovskiy N.
Язык: английский
DOI
Ключевые слова: switching effectэффект переключенияэффект памятиmemory effectхалькогенидные стеклообразные полупроводники

В книге

The World Scientific Reference of Amorphous Materials: Structure, Properties, Modeling and Main Applications (In 3 Volumes)
Vol. 1: Structure, Properties, Modeling and Applications of Amorphous Chalcogenides. , World Scientific, 2021.
Похожие публикации
Resistive Anomaly near a Ferromagnetic Phase Transition: A Classical Memory Effect
Maslov D., Vladimir I. Yudson, Batista C., Physical Review Letters 2025 Vol. 135 No. 3 Article 036301
Добавлено: 11 сентября 2025 г.
Peculiarities of the memory state formation in thin Ge2Sb2Te5 films
S. A. Fefelov, Kazakova L. P., N. A. Bogoslovskiy и др., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 No. 114 Article 012087
Добавлено: 8 ноября 2022 г.
Исследование эффекта памяти в тонких пленках аморфных халькогенидных полупроводников состава GST225
Фефелов С. А., Казакова Л. П., Богословский Н. А. и др., Известия Санкт-Петербургской лесотехнической академии 2022 Т. 238 С. 228–242
В последнее время большое внимание направлено на разработку новых типов энергонезависимой памяти. Одним из наиболее перспективных материалов для решения этой задачи являются халькогенидные полупроводники (ХСП) состава Ge2Sb2Te5 (GST225), обладающие фазовой памятью, которая основана на фазовом переходе вещества из аморфного состояния в кристаллическое (эффект памяти) под воздействием электрического поля [Ovshinsky, 1968; Yamada et al., 1991]. В ...
Добавлено: 8 ноября 2022 г.
Многоуровневая запись в тонких пленках Ge2Sb2Te5
Фефелов С. А., Казакова Л. П., Богословский Н. А. и др., Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54 № 4 С. 372–375
Проведены исследования вольт-амперных характеристик, полученных на тонких пленках Ge2Sb2Te5 в токовой моде. Установлен эффект многоуровневой записи при последовательной подаче на образец импульсов тока с возрастающим максимальным значением. Показано, что этот эффект может быть связан с расширением канала памяти. Получена оценка размера канала памяти. Сделан вывод о возможности использования пленок Ge2Sb2Te5 в качестве мемристора. Ключевые слова: ...
Добавлено: 11 ноября 2020 г.
Оценка температуры шнура тока, возникающего при переключении в халькогенидах системы GeSbTe
Фефелов С. А., Казакова Л. П., Богословский Н. А. и др., Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52 № 12 С. 1503–1506
Вольт-амперные характеристики тонкопленочных образцов системы GeSbTe измерены в режиме генератора тока. Исследованы осцилляции напряжения, наблюдающиеся после переключения. Показано, что эти осцилляции могут быть связаны с образованием горячего шнура тока и его постепенным остыванием. Сделаны оценки размера и температуры шнура тока. Показано, что характерная температура в шнуре тока соответствует температуре фазового перехода в кристаллическое состояние. ...
Добавлено: 11 ноября 2020 г.
Radiation-Induced Transient Currents in Films of Poly(arylene ether ketone) Including Phthalide Moiety//Polymers, doi: 10.3390/polym12010013
, Shaposhnikova V., Alexey R. Tameev и др., Polymers 2020 Vol. 12 No. 00013 P. 1–9
Аннотация: Электрические свойства тонких пленок поли (ариленэфиркетон) сополимеров (со-ПАЭК) с долей фталидсодержащих звеньев 3, 5 и 50 мол.% в основной цепи были исследовано с помощью измерений радиационной проводимости (РЭ). Сигналы переходного тока и вольт-амперные характеристики были получены при экспонировании 20 ÷ 25 толстых пленок со-ПАЭК для моноэнергетических импульсов электронов с энергией в диапазоне от 3 ...
Добавлено: 20 ноября 2019 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору