?
The use of a piezoelectric force sensor in the magnetic force microscopy of thin permalloy films
Ultramicroscopy. 2020. Vol. 217. Article 113072.
Гурина Д. Л., Fashchevsky K. A., Oparin R. D. и др., Surfaces and Interfaces 2026 Vol. 98 Article 110545
Добавлено: 8 сентября 2026 г.
Huang D., Chen Y., Luo X. и др., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Марычев П. М., Шаненко А. А., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Kalentyeva I. L., Vikhrova O. V. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2022 Vol. 556 Article 169360
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Konakov A. A., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 Article 405302
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Studenikin S. A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 19 Article 195414
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Тихонов Е. С., Храпай В. С., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2024 Vol. 110 No. 7 Article 075429
For the three-terminal NSN device with single-mode normal terminals and without Coulomb blockade, we propose the interpretation of charge transfer process, which allows us to consistently characterize the device operation as that of a Cooper pair splitter in terms of scattering matrix elements as well as in terms of measurable quantities. The obtained explicit expression ...
Добавлено: 5 сентября 2024 г.
Добавлено: 18 октября 2022 г.
Shapiro D., Mirlin A., Shnirman A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 3 Article 035434
Добавлено: 31 октября 2021 г.
D. Kazantsev, Ryssel H., Journal of Applied Physics 2020 Vol. 127 No. 12 Article 123103
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Shapiro Dmitriy S., Remizov S., Nagaev K., JETP Letters 2018 P. 1–5
Добавлено: 7 февраля 2019 г.
Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 2014.
Сборник трудов, представленных на XVIII международном симпозиуме "Нанофизика и наноэлектроника" и посвященных актуальным проблемам физики конденсированного состояния, рентгеновской оптики и методам диагностики наноструктур. ...
Добавлено: 15 марта 2014 г.
Лозовик Ю. Е., Nechepurenko I., Dorofeenko A. и др., Physics Letters A 2014 Vol. 378 No. 9 P. 723–727
Добавлено: 13 января 2014 г.
Ивашов Е. Н., Федотов К. Д., В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции (2013).: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 478–479.
Рассмотрено применение тепловых трубок в нанотехнологическом оборудовании на примере устройств зондового перемещения. Показаны подходы к усовершенствованию конструкций устройств для последующего эффективного отвода тепла от рабочей зоны данных устройств. ...
Добавлено: 20 декабря 2013 г.
Ивашов Е. Н., Федотов К. Д., Международный журнал экспериментального образования 2013 Т. 2 № 10 С. 346–348
Приведено описание пакетных пьезоактюаторов, формулы для расчета абсолютных и относительных деформаций пьезоактюаторов в первом и втором приближениях. Показан пример модификации машинных методов для более точного расчета анизотропных тел, а именно, пьезокерамики. Предложено решение трех- координатного пьезоактюатора, а так же приведено описание его работы. Указаны недостатки пакетных пье- зоактюаторов и методы их устранения. ...
Добавлено: 18 декабря 2013 г.