Light quenching of photoluminescence in hybrid films of InP/InAsP/InP nanowires and CdSe/ZnS colloidal quantum dots

Optical Materials. 2022. Vol. 127. Article 112277.

Khrebtov A. I., Kulagina A. S., Драгунова А. С., Reznik R. R., Cirlin G. E., Danilov V. V.

Исследована фотолюминесценция пленки, полученной однородным нанесением коллоидного раствора квантовых точек CdSe/ZnS, покрытых оксидом триоктилфосфина, на массив изолированных нитевидных нанокристаллов(ННК)  InP/InAsP/InP, впоследствии удаленных с подложки. В спектре фотолюминесценции пленки наблюдаются полосы излучения, соответствующие нановставкам InAsP (1,25–1,5 мкм) и квантовым ямам (1,0–1,2 мкм). Установлено, что зависимость интенсивности фотолюминесценции от интенсивности возбуждения имеет нелинейный характер, который мы интерпретируем как проявление эффекта тушения света, а фотодинамика возбуждения нановставок и квантовых ям отличается друг от друга. Мы анализируем эффект тушения света, принимая во внимание значительное увеличение интенсивности люминесценции, наблюдаемое в такой гибридной пленке по сравнению с массивом изолированных нанопроволок InP/InAsP/InP. Мы предполагаем возможное подавление оже-релаксации за счет многоступенчатого безызлучательного переноса возбуждения.

Ключевые слова: тонкие пленки, thin films, luminescence, люминесценция, Hybrid semiconductor nanostructures, Photodynamics, Auger recombination, Light quenching, Гибридные полупроводниковые наноструктуры, Фотодинамика, Оже-рекомбинация, гашение света