Технологические принципы формирования пленочных элементов туннельного НЭМС преобразователя

С. 260–267.

Балан Н. Н., Ивашов Е. Н., Лучников П. А.

В настоящей работе рассмотрены принципы создания электродных покрытий основных элементов наноэлектромеханического преобразователя с диафрагменным упругим чувствительным элементом (УЧЭ) с использованием эффекта электронного туннелирования при использовании процессов КМОП технологии.

Разработаны специальные технологические процессы, предназначенные для формирования электродов туннельного преобразователя на основе тугоплавкого материала – силицида платины, обладающего по сравнению с прочими материалами рядом преимуществ, таких как химическая стойкость, необходимые туннельные характеристики, а также удобство литографии. Разработанный технологический маршрут изготовления интегрального туннельного наноэлектромеханического преобразователя полностью совместим со стандартным технологическим маршрутом КМОП, что позволяет делать возможной однокристальную интеграцию преобразователя с управляющими электронными схемами.

Ключевые слова: силицид платины, электродные покрытия, наноэлектромеханический преобразователь, эффект электронного туннелирования

В книге

INTERMATIC - 2011. Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 14-17 ноября 2011 г., Москва

Ч. 4. , М.: МГТУ МИРЭА – ИРЭ РАН, 2011.