• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Возможности и ограничения метода in situ рентгеновской рефлектометрии для определения параметров растущих пленок
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
14 мая 2026 г.
<a>Ученые ФКН ВШЭ представили работы в сфере ИИ и биоинформатики на ICLR 2026
Ученые Института искусственного интеллекта и цифровых наук факультета компьютерных наук ВШЭи студенты трека «ИИ360: Инженерия искусственного интеллекта» бакалаврской программы «Прикладная математика и информатика» приняли участие в международной конференции ICLR — одном из самых авторитетных мировых форумов в области машинного обучения и представления данных. В этом году конференция состоялась в Рио-де-Жанейро (Бразилия).
14 мая 2026 г.
«Физика - это то, на чем строится мир»
Стипендиат Фонда Владимира Потанина физик Нина Джанаева занимается исследованиями в области нанофотоники. В интервью проекту «Молодые ученые Вышки» она рассказала о наноколодцах, научной интуиции и пользе физики для приготовления слоек с кремом франжипан.
13 мая 2026 г.
Исследователи Вышки - о бездомности, психологии смысла, курении и правах пациентов
В конце апреля в культурном центре Community состоялся третий полуфинал девятого сезона «Научных боев». Четыре исследователя пробирались через импровизированные джунгли социальных проблем, медицинских прав и психологических лабиринтов. У каждого было 10 минут, никаких презентаций — только реквизит, харизма и истории, от которых захватывало дух.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Возможности и ограничения метода in situ рентгеновской рефлектометрии для определения параметров растущих пленок

С. 112–114.
Егоров А. А., Монахов И. С., Новоселова Е. Г., Смирнов И. С.

В докладе подчеркивается актуальность in situ методов контроля параметров наноразмерных пленок, изложены теоретические основы метода in situ рентгеновской рефлектометрии, обосновывается перспективность данного метода по сравнению с другими широко известными методами. Проведенные расчеты показали, что для каждой длины волны рентгеновского излучения существует верхний предел поглощающей способности пленки, ограничивающий возможности метода. Так, для излучения медного анода верхней границей поглощающей способности пленки является значение маccового коэффициента поглощения меньшее или равное 25 см2/г. Реализация метода при напылении более тяжелых металлов (медь, вольфрам и др.) требует использования жестких излучений.

Язык: русский
Полный текст
Текст на другом сайте
Ключевые слова: рентгеновская рефлектометрия in situинтерферометриявнутрикамерная зондовая микроскопияинтерференционная картинаформула Вульфа-Брэггамагнетронное осаждениедекремент преломленияmagnetron sputteringX-ray reflectivity in-situ

В книге

Рентгеновская оптика – 2012. Доклады конференции, г. Черноголовка, 1-4 октября 2012
Рентгеновская оптика – 2012. Доклады конференции, г. Черноголовка, 1-4 октября 2012
Черноголовка: Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 2012.
Похожие публикации
Влияние толщины магнитных слоев на обменное смещение и одноосную анизотропию в гетероструктурах Co/FeMn
Калябин Д. В., Демидов В. В., Никитов С. А., Физика металлов и металловедение 2025 Т. 126 № 9 С. 1022–1030
Исследовано влияние толщин ферро- и антиферромагнитных слоев на магнитные свойства синтезированной структуры Pt/Co/FeMn/Pt на кремниевой подложке SiO2. Для экспериментального и теоретического исследования использовали петли магнитного гистерезиса, угловые зависимости спектров ферромагнитного резонанса и выражение для резонансного поля, полученное в ходе решения уравнения Ландау–Лифшица для динамики намагниченности. Установлены величины коэрцитивного поля, а также полей однонаправленной и одноосной анизотропии при толщинах антиферромагнитного слоя 5, ...
Добавлено: 5 февраля 2026 г.
Восстановление фазы волнового фронта на основе фотометрических и интерференционных измерений
Левин Г. Г., Минаев В. Л., Самойленко А. А. и др., Оптика и спектроскопия 2023 Т. 131 № 2 С. 280–286
Представлена оригинальная методика точного восстановления фазы волнового фронта при интерферометрических измерениях, основанная на оценке амплитуд сигналов. Искомая фаза рассчитывается из геометрических принципов на основе восстановленных статистическими методами неискаженных значений амплитуд. Представлены как математические основы методики, так и результаты ее проверки с помощью численных экспериментов. Также приведены результаты физической экспериментальной проверки метода. Разработанная методика основана на ...
Добавлено: 23 марта 2023 г.
The influence of the discharge current axial component on the magnetic field distribution in the cathode region of magnetron sputtering system
Goncharov V., Сорокин К. С., Fiskin E., Journal of Physics: Conference Series 2017 Vol. 872 No. 1 Article 012046
Добавлено: 15 октября 2021 г.
The Kinetics of Growth of a Nanosized Germanium Film Deposited on the Si (001) Surface by Magnetron Sputtering
Monakhov I.S., Bondarenko G.G., Inorganic Materials: Applied Research 2019 Vol. 10 No. 5 P. 1058–1064
Добавлено: 21 сентября 2019 г.
Femtosecond plasmon interferometer
Мелентьев П. Н., Кузин А. А., Гритченко А. С. и др., Optics Communications 2017 Vol. 393 No. 15 P. 509–513
Добавлено: 4 февраля 2019 г.
Кинетика роста наноразмерной пленки германия, осаждаемой на поверхности Si (001) методом магнетронного распыления
Монахов И. С., Бондаренко Г. Г., Перспективные материалы 2019 № 2 С. 14–22
Исследована кинетика роста наноразмерной пленки германия, осажденной магнетронным распылением на поверхности Si(001), с помощью разработанной экспериментальной рентгенорефлектометрической методики, отличающейся совместной регистрацией зеркально-отраженного и диффузно-рассеянного излучения. С помощью данной методики можно осуществлять in situ как анализ морфологии растущей пленки, так и контроль ее толщины с точностью до 1 нм. Получены зависимости интенсивности зеркального отражения, диффузного рассеяния, скорости роста, среднеквадратичной шероховатости пленки и ее ...
Добавлено: 31 января 2019 г.
Influence of sputtering parameters on the main characteristics of ultrathin vanadium nitride films
Золотов Ф. И., Divochiy A., Vakhtomin Y. и др., Journal of Physics: Conference Series 2018 No. 1124 P. 1–6
Добавлено: 27 декабря 2018 г.
Applying the in situ X-ray reflectometry method to define the nanodimensional silicon film parameters
Смирнов И. С., Новоселова Е. Г., Монахов И. С. и др., Russian Microelectronics 2014 Vol. 43 No. 8 P. 587–589
The monitoring methods for measuring the film structure parameters in formation process, namely, the in situ methods, are currently of special significance. Their application provides obtaining the films with the given characteristics, which results in a fast correction of the technological modes. The possibilities of the in situ method of the X-ray reflectometry for defining ...
Добавлено: 11 марта 2015 г.
Формирование нанопроволок на поверхности наноструктурированных кристаллов сапфира методом магнетронного напыления и термообработки
Смирнов И. С., Новоселова Е. Г., Егоров А. А. и др., В кн.: Труды ХХ Международного совещания «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 5 июля - 10 июля 2010 г.)Т. 1-2.: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2010. С. 364–372.
Приведены результаты экспериментов по нанесению пленок Au на поверхность наноструктурированных подложек сапфира методом магнетронного напыления. Морфология поверхности пленок при различных режимах нанесения и ее изменение в результате термообработки исследованы  методом атомно-силовой микроскопии. ...
Добавлено: 28 марта 2013 г.
Применение метода in-situ рентгеновской рефлектометрии для определения параметров наноразмерных пленок кремния
Смирнов И. С., Монахов И. С., Егоров А. А. и др., Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники 2013 № 1 С. 34–37
В настоящее время особую значимость приобретают методы мониторинга, позволяющие измерять параметры пленочных структур непосредственно во время их формирования – in-situ методы. Применение этих методов способствует получению пленок с заданными характеристиками, позволяя оперативно корректировать режимы технологического процесса. В статье описываются возможности метода in-situ рентгеновской рефлектометрии для определения параметров наноразмерных пленок в процессе их формирования.Приведены результаты экспериментов ...
Добавлено: 19 марта 2013 г.
Ordered Gold Nanostructures on Saphire Surfaces: Fabrication and Optical Investigations
Муслимов А. Э., Буташин А. В., Коновко А. А. и др., Crystallography reports 2012 Vol. 57 No. 3 P. 415–420
В статье показаны возможности использования упорядоченных наноразмерных массивов островков золота на сапфировых подложках с нанорельефом определенной ориентации. Описание морфологии структур выполнено на основе данных атомно-силовой микроскопии. Изучение угловой зависимости коэффициента отражения в видимом диапазоне длин волн электромагнитного излучения выявило некоторые особенности, которые, вероятно, вызваны поверхностным плазмонно-поляритонным возбуждением  на границе раздела вакуум-золото под воздействием p-поляризованного излучения. ...
Добавлено: 13 декабря 2012 г.
Рентгеновская рефлектометрия in situ. Возможности и ограничения
Егоров А. А., Монахов И. С., Новоселова Е. Г. и др., В кн.: Труды ХХII Международной конференции «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 9-14 июля 2012 г.).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2012. С. 354–366.
В статье подчеркивается актуальность in situ методов контроля параметров наноразмерных пленок, изложены теоретические основы метода in situ рентгеновской рефлектометрии, обосновывается перспективность данного метода по сравнению с другими широко известными методами. Авторами приведены результаты экспериментов и  расчета временных зависимостей параметров (плотности, шероховатости поверхности) наноразмерных пленок углерода, алюминия и титана. На основе этих данных продемонстрированы возможности и указаны ...
Добавлено: 13 декабря 2012 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору