?
Новый политип NbS3, квазиодномерного проводника с высокотемпературной волной зарядовой плотности
Синтезирован новый политип NbS3-квазиодномерного проводника с высокотемпературными волна- ми зарядовой плотности (ВЗП). Исследования в просвечивающий электронный микроскоп (ПЭМ) при комнатной температуре показали, что из двух сверхструктур, существующих в изученной ранее моно- клинной фазе, наблюдается лишь одна, с периодом вдоль цепочек, близким к (1/0.352)b. Помимо этого, наблюдается новое несоизмеримое искажение решетки с периодом, близким к 2b. Транспортные свой- ства исследованных образцов находятся в согласии с результатами исследования сверхструктуры. По- стоянные основной решетки несколько отличаются от соответствующих параметров, установленных для изученной ранее моноклинной фазы. Предположительно, новую фазу можно считать промежуточной между двумя основными известными фазами NbS3 – моноклинной и триклинной. При этом ее свойства можно объяснить в рамках модели, согласно которой элементарную ячейку моноклинной фазы можно рассматривать как результат наложения ячеек триклинной фазы.