Temperature dependences of low field Hall resistivity H are used to separate anomalous (a H) and nor- mal (RHB) contributions to Hall effect in chiral magnet MnSi (Tc  29.1K). It is found that the transition between paramagnetic (T > Tc) and magnetically ordered (T < Tc) phases is accompanied by the change inanomalous Hall resistivity from low temperature behavior governed by Berry phase effects (aH = μ0S22M,T < Tc) to high temperature regime dominated by skew scattering (aH = μ0S1M, T > Tc). The crossover between the intrinsic (2) and extrinsic () contributions to anomalous Hall effect develops together with the noticeable increase of the charge carriers’ concentration estimated from the normal Hall coefficient (from n/nMn(T > Tc)  0.94 to n/nMn(T < Tc)  1.5, nMn  4.2 · 1022 cm−3). The observed features may corre- spond to the dramatic change in Fermi surface topology induced by the onset of long range magnetic order in MnSi.

We report results of the high frequency (60GHz) electron spin resonance (ESR) study of the quantum criti- cal metallic system Mn1−xFexSi. The ESR is observed for the first time in the concentration range 0 < x < 0.24 at temperatures up to 50K. The application of the original experimental technique allowed carrying out line shape analysis and finding full set of spectroscopic parameters, including oscillating magnetization, line width and g factor. The strongest effect of iron doping consists in influence on the ESR line width and spin relaxation is marked by both violation of the classical Korringa-type relaxation and scaling behavior. Additionally, the non-Fermi-liquid effects in the temperature dependence of the ESR line width, which may be quantitatively described in the theory of W¨olfle and Abrahams, are observed at quantum critical points x  0.11 and xc  0.24.

При температурах T ≤ 150 K обнаружен эффект понижения симметрии для параметров электрон-ного транспорта в редкоземельных додекаборидах RB12 (R = Ho, Er, Tm, Lu) с гцк структурой кри-сталлической решетки. Показано, что при переходе в разупорядоченную фазу каркасного стекла ниже T∗ ∼ 60К резко усиливается анизотропия магнетосопротивления, причем этот эффект наблюдаетсяв магнитных и немагнитных редкоземельных додекаборидах, включая твердые растворы RxLu1−xB12с сильным беспорядком замещения. Обсуждается роль электронного фазового расслоения (зарядовыестрайпы вдоль направления〈110〉) в этих металлах с открытыми траекториями на поверхности Ферми.

Обнаружение медленных тяжелых монополей  имело бы фундаментальное значение для физики элементарных частиц и космологии. Однако большинство современных детекторов обладают малой эффективностью при регистрации медленных монополей со скоростями $v/c < 10^{-4}$ . Поэтому, как для физики детекторов, так и для астрофизики представляет интерес рассмотрение различных механизмов взаимодействия монополей с веществом.

The results obtained in the works supported in part by the Russian Foundation for Basic Research (project 12-02-00594) are briefly reviewed. We mainly focus on interrelations between classical integrable systems, Painlevé-Schlesinger equations and related algebraic structures such as classical and quantum R-matrices. The constructions are explained in terms of simplest examples. © 2015, Pleiades Publishing, Inc.

В квантово- размерных SiGe- слоях гетероструктур Si/Si1-xGex/Si II рода обнаружена электронно- дырочная жидкость (ЭДЖ), состоящая из квазидвумерных дырок в квантовой яме в SiGe- слое и квазитрехмерных электронов, также находящихся в этом слое. Определены концентрации дырок и электронов в ЭДЖ, равные  см-2 и  см-3, соответственно. Показано, что газовая фаза состоит из экситонов и экситонных молекул. Установлены требования к зонным параметрам структуры, при выполнении которых возможно образование ЭДЖ и биэкситонов.

Экспериментально исследованы особенности спиновой поляризации электронной системы и релаксации неравновесных спиновых возбуждений в окрестности дробного состояния с четным знаменателем 3/2 в двумерной электронной системе на основе гетероструктуры GaAs/AlGaAs. Показано, что состояние 3/2 является особой точкой в зависимости спинового упорядочения двумерной электронной системы от фактора заполнения, на которой спиновая подсистема перестраивается. Обнаружена область факторов заполнения в окрестности 3/2, где наблюдается гигантское замедление релаксации спиновых возбуждений в основное состояние.