Качественно новая четырехслойная наноструктура И-НЕ для логических схем суперкомпьютеров

Н. К. Трубочкина; В. В. Воробьев; А. А. Соснин

?

Качественно новая четырехслойная наноструктура И-НЕ для логических схем суперкомпьютеров

Качество. Инновации. Образование. 2010. № 9. С. 52–55.

Трубочкина Н. К., Воробьев В. В., Соснин А. А.

Вниманию разработчиков элементной базы представлена качественно новая переходная 4-слойная полупроводниковая структура, реализующая логическую функцию И-НЕ. Структура обладает качественно лучшими параметрами в сравнении с транзисторным аналогом как в микро, так и нанодиапазоне.

Приоритетные направления: инженерные науки

Язык: русский

Полный текст

Ключевые слова: слоистая наноструктура логический вентиль переходная схемотехника

Perovskite nanoparticles Cs4PbBr6 and CsPbBr3: synthesis, analysis and peculiar optical properties

Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.

Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...

Добавлено: 14 мая 2026 г.

Algorithmic overlaps as thermodynamic variables: from local to cluster Monte Carlo dynamics in critical phenomena

Пиле Я. Э., Deng Y., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2026. No. 2604.10254.

Добавлено: 20 апреля 2026 г.

Determining the boundary of dynamical chaos in the generalized Chirikov map via machine learning

Чернышов Д. П., Сатанин А. М., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2025.

Добавлено: 21 ноября 2025 г.

Doping dependence of low-energy charge collective excitations in high-Tc cuprates

Каган М. Ю., Silkin V. M., Efremov D. V., / Series arXiv "math". 2024. No. 2411.12836.

Добавлено: 27 ноября 2024 г.

Influence of anisotropy on the study of critical behavior of spin models by machine learning methods

Суховерхова Д. Д., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2410.14523.

...

Добавлено: 21 октября 2024 г.

Comparison of the microcanonical population annealing algorithm with the Wang-Landau algorithm

Мозоленко В. К., Fadeeva Marina, Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2405.10865.

Добавлено: 20 мая 2024 г.

Majorana modes and Fano resonances in Aharonov- Bohm ring with topologically nontrivial superconducting bridge

Каган М. Ю., Аксёнов С. В., / Series Research Square "Research Suqare". 2024. No. 1.

Добавлено: 10 апреля 2024 г.

High-frequency dielectric anomalies in a highly frustrated square kagome lattice nabokoite family compounds ACu7(TeO4)(SO4)5Cl (A=Na, K, Rb, Cs)

Ребров Я. В., Глазков В. Н., Murtazoev A. F. и др., / Series cond-mat "arxiv.org". 2023.

Добавлено: 29 января 2024 г.

Nondestructive KPFM-assisted Quality Control in Fabrication of GaAs High-Speed Electronics

Shurakov A., Kaurova N., Belikov I. и др., / Series Physics "arxiv.org". 2022.

Добавлено: 15 сентября 2023 г.

Superconducting spin valves based on a single spiral magnetic layer

Пугач Н. Г., Safonchik M. O., Belotelov V. и др., / Series "cond-mat". 2022. No. 2110.00369.

Добавлено: 16 ноября 2022 г.

Charge transport in the spatially correlated exponential random energy landscape: effect of the non-positive correlation function

Новиков С. В., / Series cond-mat "arxiv.org". 2022. No. 2209.14955.

Добавлено: 1 ноября 2022 г.

Software Complex for the Numerical Solution of the Isotropic Imaginary-Axis Eliashberg Equations

Ихсанов Р. Ш., Mazur E., Каган М. Ю., / Series "Working papers by Cornell University". 2022. No. 2202.01452.

Добавлено: 4 февраля 2022 г.

Theory of Ionic Liquids with Polarizable Ions on a Charged Electrode

Будков Ю. А., Zavarzin S., Kolesnikov A. L., Journal of Physical Chemistry C 2021 Vol. 125 No. 38 P. 21151–21159

Добавлено: 16 сентября 2021 г.

Synthesis, structure, and PDE inhibiting activity of the anionic DNIC with 5-(3-pyridyl)-4H-1,2,4-triazole-3-thiolyl, the nitric oxide donor.

Sanina N., Isaeva U., Utenyshev A. и др., Inorganica Chimica Acta 2021 Vol. 527 Article 120559

Добавлено: 16 сентября 2021 г.

"Наноэлектроника и схемотехника". Учебник для академического бакалавриата. 3-е изд. испр. и доп в двух частях. М.: Издательство Юрайт, 2016, Часть 1. Схемы логики. 269 с.Часть 2. Схемы памяти. 250 с.

Трубочкина Н. К., М.: Юрайт, 2016.

В учебнике представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с ...

Добавлено: 15 февраля 2018 г.

Transitional circuitry for studying the properties of DNA. N Trubochkina

Трубочкина Н. К., Journal of Physics: Conference Series 2018 Vol. 955 No. 012027 P. 1–6

Abstract. The article is devoted to a new view of the structure of DNA as an intellectual scheme possessing the properties of logic and memory. The theory of transient circuitry, developed by the author for optimal computer circuits, revealed an amazing structural similarity between mathematical models of transition silicon elements and logic and memory circuits ...

Добавлено: 29 января 2018 г.

"Наноэлектроника и схемотехника". Учебник для академического бакалавриата. 3-е изд. испр. и доп. в двух частях. М.: Издательство Юрайт, 2016. Часть 2. Схемы памяти. 250 с.Часть 1. Схемы логики. 269 с.

Трубочкина Н. К., М.: Юрайт, 2016.

Добавлено: 13 февраля 2017 г.

Качественно новая слоистая наноструктура ячейки памяти для суперкомпьютеров

Трубочкина Н. К., Попович И. П., Орлов П. В., Качество. Инновации. Образование 2010 № 10 С. 52–55

Представлена качественно новая 4-слойная полупроводниковая наноструктура запоминающей ячейки в переходной схемотехнике. При использовании данной ячейки памяти в технологическом диапазоне 10 нм (шаг маски) и при минимальной толщине слоя 3 нм можно получать матрицы памяти для суперкомпьютеров с информационной плотностью 10^10 бит/см2 (в одном информационном слое) и рабочей частотой порядка 10^10 Гц. ...

Добавлено: 19 апреля 2012 г.