?
Метод матриц рассеяния для расчета спонтанной излучательной рекомбинации в структурах с цилиндрической симметрией
Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 7. С. 654–662.
Разработан метод анализа модификации спонтанного излучения в структурах с цилиндрической симметрией. Выведен метод матриц рассеяния для цилиндрических структур. На основе матриц рассеяния получены правила квантования электромагнитного поля (S-квантование) в цилиндрических системах. Получены общие выражения для темпа излучательной рекомбинации эмиттера, находящегося в произвольной точке структуры. Выведены количественные показатели, дающие оценку усилению и подавлению излучательной рекомбинации, которые могут рассматриваться как модовые факторы Парселла. Получено выражение для суммарного фактора Парселла для излучения в направлении, перпендикулярном оси симметрии среды, а также выражение для интегрального (полного) фактора Парселла для эмиттера на оси симметрии.
Water confined in heterogeneous clay–quartz pores: Structure and dynamics from atomistic simulations
Глушак А. А., Тарарушкин Е. В., Смирнов Г. С., Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2027 Vol. 752 Article 141756
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Bochkin G., Doronin S., Fel’dman E. и др., Lobachevskii Journal of Mathematics 2024 Vol. 45 No. 3 P. 1188–1207
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Fel’dman E. B., Лазарев И. Д., Pechen A. N. и др., Quantum Information Processing 2026 Vol. 25 Article 121
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
I. D. Lazarev, Narozniak M., Byrnes T. и др., Physical Review A: Atomic, Molecular, and Optical physics 2025 Vol. 111 No. 012416 Article 012416
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Гурина Д. Л., Fashchevsky K. A., Oparin R. D. и др., Surfaces and Interfaces 2026 Vol. 98 Article 110545
Добавлено: 8 сентября 2026 г.
Huang D., Chen Y., Luo X. и др., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Марычев П. М., Шаненко А. А., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Kudryavtsev D., Mozhaeva V., Ivanov I. и др., Nanoscale 2024 Vol. 16 No. 26 P. 12424–12430
Существующие методы массового обнаружения вирусов ограничиваются регистрацией небольших количеств вирусного генома или специфических белковых маркеров. Несмотря на высокую чувствительность, применяемые методы не позволяют различать вирулентные вирусные частицы и неинфекционные вирусные частицы. Мы сообщаем о подходе к решению этой давней проблемы на примере вируса SARS-CoV-2. Мы показываем, что широкопольная оптическая микроскопия с использованием современных мезоскопических флуоресцентных ...
Добавлено: 10 января 2025 г.
Cosacchi M., Wiercinski J., Seidelmann T. и др., Physical Review Research 2020 Vol. 2 Article 033489
Добавлено: 24 февраля 2022 г.
Beliaev L., Takayama O., Мелентьев П. Н. и др., OPTO-ELECTRONIC ADVANCES 2021 Vol. 4 No. 8 Article 210031
Фотолюминесценция, в том числе флуоресценция, играет огромную роль в широком спектре приложений, от биомедицинского зондирования и визуализации до оптоэлектроники. Таким образом, усиление и контроль фотолюминесценции имеет огромное влияние как на фундаментальные научные исследования, так и на вышеупомянутые приложения. Среди различных нанофотонных схем и наноструктур для усиления фотолюминесценции мы рассматриваем определенный тип наноструктур, образующих, так называемые, гиперболические метаматериалы (ГММ). ГММ ...
Добавлено: 16 октября 2021 г.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2020.
Труды ХХIV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 10-13 марта 2020, Нижний Новгород, в двух томах, т1 и т.2, ...
Добавлено: 9 ноября 2020 г.
Кузин А. А., Мелентьев П. Н., Афанасьев А. Е. и др., Журнал экспериментальной и теоретической физики 2017 Т. 152 № 3 С. 438–452
Представлены результаты исследования локализации и транспорта фотона при помощи нейтрального атома через субволновое отверстие. В основе предложенного и реализованного метода лежит поглощение фотона нейтральным атомом непосредственно перед субволновым отверстием, пролет атома через отверстие и испускание фотона с другой стороны экрана. Проведена оценка влияния взаимодействия пролетающего через субволновой канал возбужденного атома с материалом экрана. Эта оценка ...
Добавлено: 3 декабря 2019 г.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2019.
Полупроводниковые наноструктуры: электронные, оптические свойства, методы формирования ...
Добавлено: 28 октября 2019 г.
Кузин А. Ю., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2019. С. 184–185.
Данная работа посвящена моделированию оптического брэгговского фильтра для видимого диапазона на чипе. С применением моделирования получены основные характеристики брэгговского фильтра для видимого диапазона: центральная длина волны, коэффициент пропускания, полуширина вырезаемой мощности от геометрических размеров и количество периодов. Сделаны соответствующие выводы зависимости физических параметров брэгговского фильтра от геометрических, которые качественно совпадают с экспериментально полученными данными. ...
Добавлено: 22 мая 2019 г.