?
Динамика температуры монокристалла кремния при нагревании непрерывным ND:YAG лазером
С. 51–54.
Лапшинов Б. А., Захаров А. О., Магунов А. Н.
Впервые проведена регистрация последовательности множества спектров теплового излучения при лазерном нагревании монокристалла кремния (время накопления единичного спектра 15-35 мс). Спектры фиксировались с помощью дифракционных спектрометров с ПЗС-линейками. Создана программа для автоматизированной обработки последовательности спектров и определения нестационарной температуры. Определены зависимости температуры монокристалла кремния от времени после начала нагревания.
В книге
Ч. 1. , М.: МГТУ МИРЭА – ИРЭ РАН, 2011.
Представлено метрологическое обеспечение единства измерений параметров высокоинтенсивного лазерного излучения технологического и специального оборудования. Разработана и исследована система стабилизации по мощности лазера с выходной мощностью 2-1·104 Вт. Представленная система стабилизации позволяет снизить погрешность передачи единицы средней мощности лазерного излучения при применении технологического лазера с нестабильной выходной мощностью в составе эталона. Утверждён Государственный первичный эталон единицы средней ...
Добавлено: 5 февраля 2024 г.
Ovcharenko H. V., Maizelis Z. A., Apostolov S. S. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 17 Article 174511
Добавлено: 6 февраля 2023 г.
Lounis B., Buzdin A. I., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 105 No. 2 Article L020504
Теоретически исследуется неравновесная динамика параметра порядка сверхпроводящего кольца, неоднородно закаленного через температуру его перехода. Численное моделирование, основанное на спектральной декомпозиции зависящего от времени уравнения Гинзбурга-Ландау, показывает, что сверхпроводящие состояния с током могут генерироваться в кольце при определенных условиях быстрой локальной температуры. Мы также показываем, что освещение кольца электромагнитным излучением с круговой поляризацией во время быстрого ...
Добавлено: 10 декабря 2022 г.
Muller J., Rotenberg E., Fyodor Tatarinov и др., New Phytologist 2021 Vol. 232 No. 6 P. 2535–2546
Описан метод коррекции измерений температуры хвои с помощью инфракрасной камеры ...
Добавлено: 26 октября 2022 г.
Кондратьев И. А., Моисеенко С. Г., Бисноватый-Коган Г. С. и др., Monthly Notices of the Royal Astronomical Society 2020 Vol. 497 No. 3 P. 2883–2892
Добавлено: 14 октября 2021 г.
Боровицкая И. В., Коршунов С. Н., Мансурова А. Н. и др., Вопросы атомной науки и техники. Термоядерный синтез 2021 Т. 44 № 3 С. 82–93
В работе представлен обзор исследований о влиянии интенсивных потоков ионов аргона и мощного импульсного лазерного излучения на свойства: микротвёрдость, радиационную эрозию, структурные изменения, сопротивление коррозии в жидком литии, а также изменение топографии поверхности в условиях отдельного и последовательного облучения ионами Ar+ и лазер-ного излучения малоактивируемых сплавов ванадия (V—0,59Ga; V—1,86Ga; V—3,49Ga; V—3,4Ga—0,62Si; V—4,51Ga—5,66Cr; V—4,8Ti—4,82Cr) в сравнении ...
Добавлено: 7 октября 2021 г.
Калиновский В. С., Контрош Е. В., Климко Г. В. и др., Физика и техника полупроводников 2020 № 3 С. 285–291
Создание соединительных туннельных диодов с высокой плотностью пикового туннельного тока, превышающей плотность тока короткого замыкания фотоактивных p-n-переходов, является важной задачей при разработке многопереходных фотопреобразователей (AIIIBV) мощного оптического излучения. На основе результатов численного моделирования вольт-амперных характеристик туннельных диодов предложен способ повышения плотности пикового туннельного тока путем включения между вырожденными слоями туннельного диода тонкого нелегированного i-слоя толщиной ...
Добавлено: 13 ноября 2020 г.
Боровицкая И. В., Коршунов С. Н., Мансурова А. Н. и др., В кн.: Труды ХХХ Международной конференции «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 22 августа – 29 августа 2020г.).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2020. С. 440–447.
Добавлено: 10 сентября 2020 г.
Балыкин В. И., Мелентьев П. Н., Успехи физических наук 2018 Т. 188 № 2 С. 143–168
Рассматривается взаимодействие лазерного света с единичными плазмонными наноструктурами. Из-за чрезвычайно слабого оптического отклика единичной наноструктуры исследования в наноплазмонике до недавнего времени осуществлялись с ансамблями наночастиц. В ансамбле наночастиц как структурные, так и материальные параметры варьируются от одной наночастицы к другой, поэтому оптический отклик является усреднённым по ансамблю. Измерения на уровне единичных наноструктур являются эффективным методом ...
Добавлено: 4 февраля 2019 г.
Епифанов Н. А., В кн.: Тезисы докладов XLVII Международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, МГУ, 30 мая – 1 июня 2017). М. МГУ, 2017.: КДУ, 2017.
Исследованы особенности повреждаемости керамического покрытия толщиной 20 мкм на основе оксида Al2O3 со структурой γ-корунда на алюминиевой подложке при импульсном воздействии концентрированных потоков энергии различной природы. Показано, что при воздействии лазерного излучения в милисекундном и наносекундном диапазонах длительности импульса на полупрозрачное керамическое покрытие происходит отславивание керамического слоя от металлической подложки. Экспериментально оценены пороговые значения плотности потока ...
Добавлено: 19 декабря 2018 г.
Завьялов В. В., Журнал радиоэлектроники 2015 Т. 1 С. 1–10
Представлена методика расчета потоков излучения и выведены формулы для вычисления коэффициентов отражения (R) и пропускания (T) образцов при использовании пассивного спектрометра, состоящего из холодной (с температурой жидкого гелия) и теплой (с комнатной температурой) камер, соединенных между собой лучеводом. Селективный приемник располагается в холодной камере. В теплой камере, перекрывая апертуру многоволновой моды лучевода и по нормали ...
Добавлено: 10 ноября 2018 г.
Maslyaev S. A., Morozov E. V., Romakhin P.A. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2016 Vol. 7 No. 3 P. 330–339
Добавлено: 17 мая 2016 г.
Масляев С. А., Морозов Е. В., Ромахин П. А. и др., Физика и химия обработки материалов 2015 № 3 С. 5–17
Представлены результаты облучения керамики на основе оксида алюминия со структурой корунда (α-Аl2О3), приготовленной методом порошковой металлургии, импульсными потоками ионов и высокотемпературной плазмы с использованием установки Плазменный фокус (ПФ), а также лазерного излучения (ЛИ) режиме свободной генерации. Облучение в установке ПФ-5М проводилось в атмосфере азота и воздуха при плотности мощности излучения для потока плазмы q ≈ ...
Добавлено: 28 мая 2015 г.
Лапшинов Б. А., Магунов А. Н., Захаров А. О., Микроэлектроника 2014 Т. 43 № 3 С. 200–206
Зарегистрированы спектры теплового излучения монокристаллов кремния, нагреваемых непрерыв
ным лазерным пучком (длина волны 1.064 мкм), в диапазоне длин волн λ = 200–2500 нм. Методом
спектральной пирометрии проведено определение температур кремния в интервале Т = 900–1700 К.
Обработка последовательности спектров, регистрируемых с частотой 100–1000 Гц, позволяет восста
новить эволюцию температуры кристалла при лазерном нагревании в случае, когда скорости нагрева
ния не ...
Добавлено: 19 июня 2014 г.
Лапшинов Б. А., Магунов А. Н., Пыльнев М. А., Приборы и техника эксперимента 2014 № 1 С. 128–132
Спектрометр с линейкой фотоприемников, состоящей из 512 пикселей на основе InGaAs, чувствительной к инфракрасному излучению в интервале длин волн 0.9–2.5 мкм, позволяет регистрировать спектры теплового излучения объектов с неизвестной излучательной способностью и вычислять их температуры вблизи 400 К при времени накопления 100–500 мс и вблизи 500–600 К при времени накопления 10 мс. ...
Добавлено: 19 июня 2014 г.
Лапшинов Б. А., Физика и химия обработки материалов 2014 № 2 С. 9–13
Исследовано влияние режимов лазерного удаления тонких пленок с поверхности стекла К8 на изменение его коэффициента пропускания. Удаление тонких пленок производилось при различных длинах импульсов лазерного излучения – 200 мкс, 100 нс и 12 нс. ...
Добавлено: 27 мая 2014 г.
М.: Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына, 2013.
В трудах школы рассмотрены физические основы концентрированных потоков энергии и их воздействия на материалы и изделия космической техники, методы обработки материалов концентрированным излучением, воздействие лазерного и микроволнового излучения на вещество, концентрированные потоки энергии в экологии и медицине, в электронике, проблемы физики нейтрино и ядерной спектроскопии. ...
Добавлено: 28 ноября 2013 г.
Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю., Костомаров П. С., В кн.: INTERMATIC - 2010. Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 23-27 ноября 2010 г., МоскваЧ. 2.: М.: Энергоатомиздат, 2010. С. 302–303.
В работе исследуется физико-техническая возможность преодоления 100 нм барьера, при формировании нанообъектов литографическим методом. Авторами работы предложено техническое решение обеспечивающее возможность высокопроизводительного формирования дорожек нанометрового диапазона с применением ультрафиолетовой литографии. ...
Добавлено: 22 сентября 2013 г.
Ивашов Е. Н., Князева М. П., Гамилова Т. П., В кн.: Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. Материалы Международной научно-технической конференции «INTERMATIC – 2012», 3–7 декабря 2012 г., МоскваЧ. 3: Материалы и технологии.: М.: МГТУ МИРЭА – ИРЭ РАН, 2012. С. 83–87.
Рассмотрена модель формирования нанорисунка на подложке с учётом двух внутренних степеней свободы. Предложено устройство для формирования нанорисунка на подложке. ...
Добавлено: 5 февраля 2013 г.
Лапшинов Б. А., Магунов А. Н., Захаров А. О., Приборы и техника эксперимента 2012 № 1 С. 143–148
Регистрация последовательности спектров теплового излучения позволяет определить нестационарную температуру T(t) без привлечения данных об излучательной способности объекта. При нагревании монокристалла кремния КЭФ_4.5 излучением непрерывного Nd : YAG_лазера (λ = = 1.064 мкм) зарегистрированы последовательности из сотен спектров излучения в интервалах длин волн λ = 350–760 нм и λ = 650–1000 нм при времени накопления сигнала ...
Добавлено: 23 апреля 2012 г.