?
Passive mode-locking of p-doped quantum dot semiconductor lasers
P. 012068-1–012068-6.
Maximov M., Жуков А. Е.
В книге
Vol. 1695: 7th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2020": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation. , Bristol: Institute of Physics Publishing (IOP), 2020.
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Оптика и спектроскопия 2026 Т. 134 № 3 С. 272–277
Представлены результаты по реализации генерации при повышенных температурах в лазерах с длиной волны генерации 980 nm на основе вертикального микрорезонатора с использованием непоглощающих на длине волны оптической накачки зеркал. Минимальная пороговая мощность накачки составила ~0.8 mW и соответствовала температуре 150 K. Добротность микрорезонатора, определенная на пороге генерации, превысила 13000. Максимальная рабочая температура микролазера составила 195 ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 12 С. 40–43
Реализована одночастотная генерация при 300 K в лазерах на основе вертикального микрорезонатора. Для лазеров с полупроводниковым выводным зеркалом пороговая плотность мощности накачки составила 6.5 kW/cm2. Добротность микрорезонатора и длина волны излучения, определенные на пороге генерации, равнялись 8800 и ~ 959.8 nm. Применение конструкции микрорезонатора с гибридным выводным зеркалом позволило повысить добротность микрорезонатора (до 12 360) ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 18 С. 30–34
Представлены результаты реализации генерации при комнатной температуре в планарных вертикальных микрорезонаторах на основе зеркал Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As. При 300 K пороговая плотность мощности и добротность на пороге генерации составили 11.4± 0.7 kW/cm2 и 5070± 160 соответственно. Двукратное превышение порога генерации привело к увеличению добротности микрорезонатора до 19 000. Эффективный латеральный теплоотвод подтвержден малым сдвигом энергии кванта, который составил ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Liang Y., Zhang X., Wang Q. и др., ACS Applied Nano Materials 2026 Vol. 9 No. 32 P. 15224–15232
Добавлено: 27 августа 2026 г.
Babichev A., Bobrov M., Vasil'ev A. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 No. 24 Article 241102
Добавлено: 8 июля 2026 г.
Babichev A., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2026 Vol. 32 No. 6 Article 1700208
Добавлено: 23 марта 2026 г.
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 № 21 С. 58–62
Продемонстрирована генерация в микролазерах на основе вертикального микрорезонатора при температуре 244 K. Пороговая поглощенная оптическая мощность, длина волны генерации и добротность микролазера с диаметром 4 µm составили ∼ 2.8 mW, 989 nm и 12 000 соответственно. Минимальная пороговая поглощенная оптическая мощность (250 µW) соответствует температуре 168 K. ...
Добавлено: 13 марта 2026 г.
Babichev A., Blokhin A., Zadiranov Y. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 No. 5 Article 051105
Добавлено: 13 марта 2026 г.
S.D. Komarov, Vainilovich A. G., G.A. Feigin и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.1 P. 209–213
Добавлено: 11 декабря 2025 г.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Махов И. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 20 С. 32–35
Исследованы динамические характеристики микрокольцевого лазера с квантовыми точками InGaAs/GaAs с помощью малосигнальной высокочастотной токовой модуляции при 55 ◦С. Наибольшее значение полосы модуляции составило 3.7 GHz, энергозатраты при оптической передаче оценены в 4.2−6.4 pJ/bit. Также определены температурные зависимости параметров, влияющих на быстродействие (K-фактор, пороговый ток, эффективность токовой модуляции). ...
Добавлено: 29 октября 2025 г.
Пеетерс Ф. М., Mahdavifar M., Khoeini F., Journal of Applied Physics 2024 Vol. 136 Article 184301
Добавлено: 15 сентября 2025 г.
Konstantin A. Ivanov, Alexey E. Zhukov, Eduard I. Moiseev и др., Journal of Applied Physics 2025 Vol. 138 No. 10 Article 103104
Добавлено: 11 сентября 2025 г.
Фоминых Н. А., Федосов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 19 С. 11–14
Исследован направленный вывод излучения микродисковых лазеров через сопряженный оптический волновод, выполненный из той же гетероструктуры. Использовались диски диаметром 30 и 40 µm с активной областью на основе InGaAs/GaAs квантовых точек. Для уменьшения потерь на поглощение в волноводе к нему прикладывалось прямое смещение. При величине тока в волноводе порядка 60 mA наблюдалось резкое (почти на порядок) ...
Добавлено: 27 августа 2025 г.
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 5 С. 41–44
Представлены результаты исследования расщепления мод шепчущей галереи в лазерах спектрального диапазона 930-950 nm на основе вертикального микрорезонатора. Использование распределенных брэгговских отражателей на основе чередующихся слоев Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As, не поглощающих на длине волны накачного лазера, позволило снизить величину пороговой мощности оптической накачки до 180 μW (для 3 μm-микролазера). Добротность микрорезонатора на пороге генерации для мод шепчущей галереи ...
Добавлено: 30 апреля 2025 г.
Solodovnik M., Balakirev S., Ivan S. Makhov и др., Applied Surface Science 2025 Vol. 700 Article 163211
Добавлено: 17 апреля 2025 г.
Solodovnik M. S., Kirichenko D., Dukhan D. и др., Applied Surface Science 2025 Vol. 688 Article 162373
Добавлено: 21 января 2025 г.
Зиновьев В. А., Смагина Ж. В., Зиновьева А. Ф. и др., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 5 С. 238–241
Исследованы люминесцентные свойства структур с линейными периодическими цепочками Si-нанодисков со встроенными GeSi-квантовыми точками. Получено, что формирование линейных цепочек резонаторов приводит к изменению интенсивности и направленности излучения квантовых точек. В спектре появляются узкие высокодобротные пики, связанные с коллективными модами в линейных цепочках. Теоретический анализ зависимости добротности мод от параметров линейных цепочек показал, что при определенных параметрах ...
Добавлено: 24 ноября 2024 г.
Добавлено: 25 сентября 2024 г.
Ustimenko R. V., Karaulov D. A., Vinnichenko M. Y. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 1.1 P. 105–112
Добавлено: 27 августа 2024 г.
Махов И. С., Крыжановская Н. В., Драгунова А. С. и др., Journal of Luminescence 2024 Vol. 276 Article 120819
One drawback of self-organized quantum dots is their low optical gain. The development of new shaping methods that would allow higher gain, for example, due to a higher surface density of the QD array, remains an important task to date. In the present work, arrays of quantum dots have been formed by substituting phosphorous atoms ...
Добавлено: 27 августа 2024 г.
A. A. Karaborchev, I. S. Makhov, Shandyba N. A. и др., Journal of Physics D: Applied Physics 2024 Vol. 57 No. 28 Article 285104
Добавлено: 26 августа 2024 г.
Андрюшкин В. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики 2022 Т. 22 № 5 С. 921–928
Предмет исследования. Представлены результаты исследования оптических свойств низкоплотных квантовых точек InGaPAs. Показано влияние на оптические и структурные свойства квантовых точек низких температур и параметров термического отжига. Метод. Квантовые точки InGaPAs получены методом молекулярно- пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Оптические свойства квантовых точек InGaPAs ...
Добавлено: 3 июня 2024 г.
Крыжановская Н. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Оптика и спектроскопия 2021 Т. 129 № 2 С. 218–222
Методами спектроскопии фотолюминесценции (ФЛ) выполнено исследование оптических свойств трех- мерных квантово-размерных островков InGaPAs, сформированных методом замещения фосфора на мышьяк в слое InGaP, осажденном на GaAs непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Линия ФЛ сформи- рованного массива островков лежит в диапазоне 950−1000 nm при комнатной температуре. Исследования ФЛ в диапазоне температур 78−300K свидетельствуют о существенной неоднородности массива ...
Добавлено: 3 июня 2024 г.