• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Passive mode-locking of p-doped quantum dot semiconductor lasers
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
30 июня 2026 г.
Аспирантка НИУ ВШЭ получила премию за выдающуюся научную статью
Международное научное общество по коллективному выбору и экономике благосостояния — Society for Social Choice and Welfare (SSCW) — присудило награду для молодых исследователей Ангелине Юдиной, аспирантке и преподавателю департамента математики ФЭН, младшему научному сотруднику Международного центра анализа и выбора решений НИУ ВШЭ. Ученые отметили ее статью, посвященную решениям задачи выбора наилучших альтернатив на основании результатов их попарных сравнений.
30 июня 2026 г.
«Я хотела бы, чтобы мои исследования помогали делать мир спокойнее и лучше»
Какую бы задачу ни решала младший научный сотрудник Лаборатории методов анализа больших данных Института искусственного интеллекта и цифровых наук ФКН ВШЭ Сараа Али, она думает, какую пользу она может принести людям. О своей большой семье, диагностике трехфазных двигателей и мечте построить на родине детский приют она рассказала проекту «Молодые ученые Вышки».
30 июня 2026 г.
Экономисты ВШЭ научились прогнозировать рождаемость по поисковым запросам
Сотрудники факультета экономических наук НИУ ВШЭ показали, что точность прогноза рождаемости в России можно улучшить почти в полтора раза, если добавить в модель динамику поисковых запросов по темам, связанным с беременностью и родами. В наиболее эффективных моделях ошибка прогноза снижается с 4,6 до 3,2%. Результаты исследования опубликованы в журнале Populations and Economics.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Passive mode-locking of p-doped quantum dot semiconductor lasers

P. 012068-1–012068-6.
Maximov M., Жуков А. Е.
Язык: английский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: quantum dotsmode-locked laser

В книге

7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures
Vol. 1695: 7th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2020": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation. , Bristol: Institute of Physics Publishing (IOP), 2020.
Похожие публикации
Quantum-dot surface-emitting lasers: micropillar cavities grown by molecular-beam epitaxy
Babichev A., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2026 Vol. 32 No. 6 Article 1700208
Добавлено: 23 марта 2026 г.
Поверхностная генерация в микролазерах на основе вертикального микрорезонатора
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 № 21 С. 58–62
Продемонстрирована генерация в микролазерах на основе вертикального микрорезонатора при температуре 244 K. Пороговая поглощенная оптическая мощность, длина волны генерации и добротность микролазера с диаметром 4 µm составили ∼ 2.8 mW, 989 nm и 12 000 соответственно. Минимальная пороговая поглощенная оптическая мощность (250 µW) соответствует температуре 168 K. ...
Добавлено: 13 марта 2026 г.
Advanced micropillar cavities: Room-temperature operation of microlasers
Babichev A., Blokhin A., Zadiranov Y. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 No. 5 Article 051105
Добавлено: 13 марта 2026 г.
Optical properties of disk microresonators based on wide-bandgap III-N materials
S.D. Komarov, Vainilovich A. G., G.A. Feigin и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.1 P. 209–213
Добавлено: 11 декабря 2025 г.
Высокочастотная модуляция микрокольцевого лазера с квантовыми точками при повышенной температуре
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Махов И. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 20 С. 32–35
Исследованы динамические характеристики микрокольцевого лазера с квантовыми точками InGaAs/GaAs с помощью малосигнальной высокочастотной токовой модуляции при 55 ◦С. Наибольшее значение полосы модуляции составило 3.7 GHz, энергозатраты при оптической передаче оценены в 4.2−6.4 pJ/bit. Также определены температурные зависимости параметров, влияющих на быстродействие (K-фактор, пороговый ток, эффективность токовой модуляции). ...
Добавлено: 29 октября 2025 г.
Phosphorene junctions as a platform for spin-selective quantum dots in next-generation devices
Пеетерс Ф. М., Mahdavifar M., Khoeini F., Journal of Applied Physics 2024 Vol. 136 Article 184301
Добавлено: 15 сентября 2025 г.
Analysis of factors determining the azimuthal and radial order of lasing mode in III–V quantum dot disk microlasers
Konstantin A. Ivanov, Alexey E. Zhukov, Eduard I. Moiseev и др., Journal of Applied Physics 2025 Vol. 138 No. 10 Article 103104
Добавлено: 11 сентября 2025 г.
Монолитная интеграция микродисковых лазеров на основе InGaAs/GaAs квантовых точек с просветляемыми оптическими волноводами
Фоминых Н. А., Федосов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 19 С. 11–14
Исследован направленный вывод излучения микродисковых лазеров через сопряженный оптический волновод, выполненный из той же гетероструктуры. Использовались диски диаметром 30 и 40 µm с активной областью на основе InGaAs/GaAs квантовых точек. Для уменьшения потерь на поглощение в волноводе к нему прикладывалось прямое смещение. При величине тока в волноводе порядка 60 mA наблюдалось резкое (почти на порядок) ...
Добавлено: 27 августа 2025 г.
Бимодальная генерация на модах шепчущей галереи в лазерах на основе вертикального микрорезонатора
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 5 С. 41–44
Представлены результаты исследования расщепления мод шепчущей галереи в лазерах спектрального диапазона 930-950 nm на основе вертикального микрорезонатора. Использование распределенных брэгговских отражателей на основе чередующихся слоев Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As, не поглощающих на длине волны накачного лазера, позволило снизить величину пороговой мощности оптической накачки до 180 μW (для 3 μm-микролазера). Добротность микрорезонатора на пороге генерации для мод шепчущей галереи ...
Добавлено: 30 апреля 2025 г.
Fundamental difference in the mechanisms of transformation of InAs nanostructures due to indium segregation on flat and patterned GaAs surfaces
Solodovnik M., Balakirev S., Ivan S. Makhov и др., Applied Surface Science 2025 Vol. 700 Article 163211
Добавлено: 17 апреля 2025 г.
New way to nanopattern GaAs surface for subcritical formation of InAs quantum dots
Solodovnik M. S., Kirichenko D., Dukhan D. и др., Applied Surface Science 2025 Vol. 688 Article 162373
Добавлено: 21 января 2025 г.
Высокодобротные состояния в спектрах излучения линейных периодических цепочек Si-нанодисков со встроенными GeSi-квантовыми точками
Зиновьев В. А., Смагина Ж. В., Зиновьева А. Ф. и др., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 5 С. 238–241
Исследованы люминесцентные свойства структур с линейными периодическими цепочками Si-нанодисков со встроенными GeSi-квантовыми точками. Получено, что формирование линейных цепочек резонаторов приводит к изменению интенсивности и направленности излучения квантовых точек. В спектре появляются узкие высокодобротные пики, связанные с коллективными модами в линейных цепочках. Теоретический анализ зависимости добротности мод от параметров линейных цепочек показал, что при определенных параметрах ...
Добавлено: 24 ноября 2024 г.
The origin of broadband blue emission in zero-dimensional organic lead iodine perovskites: a first-principles study
Тань Ц., Цзян С., Лю Д. и др., Journal of Chemical Physics 2024 Vol. 161 No. 14 Article 144307
Добавлено: 25 сентября 2024 г.
Photoinduced light absorption in Ge/Si quantum dots
Ustimenko R. V., Karaulov D. A., Vinnichenko M. Y. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 1.1 P. 105–112
Добавлено: 27 августа 2024 г.
Photoluminescence of dense arrays of InGaPAs/InGaAs quantum dots formed by substitution of group V elements
Махов И. С., Крыжановская Н. В., Драгунова А. С. и др., Journal of Luminescence 2024 Vol. 276 Article 120819
One drawback of self-organized quantum dots is their low optical gain. The development of new shaping methods that would allow higher gain, for example, due to a higher surface density of the QD array, remains an important task to date. In the present work, arrays of quantum dots have been formed by substituting phosphorous atoms ...
Добавлено: 27 августа 2024 г.
Effect of non-uniform carrier injection on two-state lasing in quantum dot microdisks with split electrical contact
A. A. Karaborchev, I. S. Makhov, Shandyba N. A. и др., Journal of Physics D: Applied Physics 2024 Vol. 57 No. 28 Article 285104
Добавлено: 26 августа 2024 г.
Влияние низких температур и термического отжига на оптические свойства квантовых точек InGaPAs
Андрюшкин В. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики 2022 Т. 22 № 5 С. 921–928
Предмет исследования. Представлены результаты исследования оптических свойств низкоплотных квантовых точек InGaPAs. Показано влияние на оптические и структурные свойства квантовых точек низких температур и параметров термического отжига. Метод. Квантовые точки InGaPAs получены методом молекулярно- пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Оптические свойства квантовых точек InGaPAs ...
Добавлено: 3 июня 2024 г.
Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
Крыжановская Н. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Оптика и спектроскопия 2021 Т. 129 № 2 С. 218–222
Методами спектроскопии фотолюминесценции (ФЛ) выполнено исследование оптических свойств трех- мерных квантово-размерных островков InGaPAs, сформированных методом замещения фосфора на мышьяк в слое InGaP, осажденном на GaAs непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Линия ФЛ сформи- рованного массива островков лежит в диапазоне 950−1000 nm при комнатной температуре. Исследования ФЛ в диапазоне температур 78−300K свидетельствуют о существенной неоднородности массива ...
Добавлено: 3 июня 2024 г.
Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом
Фоминых Н. А., Крыжановская Н. В., Иванов К. А. и др., Оптика и спектроскопия 2023 Т. 131 № 11 С. 1483–1485
Исследованы характеристики лазерной генерации микродисковых лазеров, сопряженных с оптическим волноводом и работающих в непрерывном режиме при повышенных температурах. Продемонстрированы лазерная генерация и волноводный эффект при температурах вплоть до 92.5 С. Измеренная характеристическая температура микролазеров составила 65 K в диапазоне 25-92.5 С. ...
Добавлено: 5 февраля 2024 г.
III–V microdisk lasers coupled to planar waveguides
N. V. Kryzhanovskaya, K. A. Ivanov, N. A. Fominykh и др., Journal of Applied Physics 2023 Vol. 134 No. 10 Article 103101
Добавлено: 30 октября 2023 г.
Influence of the Arsenic Pressure during Rapid Overgrowth of InAs/GaAs Quantum Dots on Their Photoluminescence Properties
Balakirev S., Kirichenko D., Chernenko N. и др., Crystals 2023 Vol. 13 No. 9 Article 1358
Добавлено: 14 сентября 2023 г.
Features of MBE growth of AlGaAs nanowires with InAs quantum dots on the silicon surface
Reznik R. R., Gridchin V. O., Kotlyar K. P. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.1 P. 153–157
Добавлено: 3 июля 2023 г.
Multi-state lasing in microdisk lasers with InAs/GaAs quantum dots
A. A. Karaborchev, I. S. Makhov, M. V. Maximov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.3 P. 157–162
Добавлено: 3 июля 2023 г.
Модель быстродействия волноводного фотодиода с квантовыми точками
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Махов И. С. и др., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 3 С. 215–220
Предложена модель, позволяющая в аналитическом виде проанализировать быстродействие p-i-n фотодиода волноводной конструкции со светопоглощающей областью, представляющей собой многослойный массив квантовых точек, разделенных нелегированными прослойками. Показано, что существует оптимальное число рядов квантовых точек, а также оптимальная толщина спейсеров, позволяющие получить наибольшую рабочую частоту. Показана возможность достижения частотного диапазона (по уровню -3дБ) свыше 20 ГГц для волноводных ...
Добавлено: 27 июня 2023 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору