Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции

Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. № 8. С. 1122–1127.

Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Блохин С. А., Максимов М. В.

Исследованы микродисковые лазеры диаметром 10−30 мкм, работающие при комнатной температуре без
термостабилизации, с активной областью на основе наноструктур гибридной размерности — квантовых
ям−точек. Выполнены высокочастотные измерения отклика микролазеров в режиме прямой малосигнальной
модуляции, с помощью которых установлены параметры быстродействия и проведен их анализ в зависимости
от диаметра микролазера. Обнаружено, что K-фактор составляет (0.8 ± 0.2) нс, что соответствует оптиче-
ским потерям  6 см−1, и при этом не наблюдается регулярная зависимость от диаметра. Обнаружено, что
низкочастотная компонента коэффициента затухания релаксационных колебаний обратно пропорциональна
диаметру. Такой характер зависимости свидетельствует об уменьшении времени жизни носителей заряда
в микрорезонаторах малого диаметра, что может быть связано с преобладанием в них безызлучательной
рекомбинации на боковых стенках.

Ключевые слова: микрорезонатор, microlaser, высокочастотная модуляция, поверхностная рекомбинация