• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Книги
  • Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
13 октября 2026 г.
Российские ученые поставили под сомнение установление рекорда в замерах свойств сверхпроводников
Топологические изоляторы проводят ток только по поверхности и поэтому рассматриваются как перспективные материалы для будущей электроники и квантовых технологий. Особый интерес представляет их контакт со сверхпроводниками. Физики из НИУ ВШЭ показали, что недавний эксперимент, в котором в такой гибридной структуре якобы наблюдалось объединение электронных пар на рекордном расстоянии 1,5 мкм, допускает более прозаичное объяснение. По их мнению, тот же сигнал может быть обусловлен обычным прохождением электронов через сверхпроводник. Дискуссия исследователей развернулась на страницах Nature Physics.
12 октября 2026 г.
Устойчивое управление и стоимость бизнеса: экономисты ВШЭ выяснили, как они связаны на российском рынке
На российском рынке устойчивое развитие повышает стоимость бизнеса прежде всего тогда, когда становится частью корпоративной стратегии. К такому выводу пришли исследователи НИУ ВШЭ и их зарубежные коллеги, проанализировав практики управления 152 публичных российских компаний. Статья опубликована в журнале Business Strategy and the Environment.
8 октября 2026 г.
Ученые НИУ ВШЭ выяснили, что рейтинг врача более убедителен для пациентов, чем стаж
Исследователи НИУ ВШЭ изучили, как стаж и рейтинг врачей влияют на доверие пациентов к медицинской информации. Оказалось, что люди считают более убедительным мнение врачей, у которых высокий рейтинг, а на опыт работы обращают меньше внимания. Результаты опубликованы в журнале Frontiers in Human Neuroscience.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).

Вып. 4. ИППМ РАН, 2020.
Научный редактор: А. Д. Иванников
Под общей редакцией: Стемпковский А. Л.

Материалы сборника отражают современное состояние российской микро- и наноэлектроники, методов и средств разработки микро- и наноэлектронных схем и систем и являются важным источником информации по перспективным направлениям исследований и инвестиций в сфере микро- и наноэлектроники.

Представленные работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами РАН, специалистами работающих в России научно-производственных организаций, преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами высших учебных заведений, а также сотрудниками ряда зарубежных компаний, лидирующих в области проектирования микро- и наноэлектронных изделий.

Сборник предназначен для научных работников, специалистов, аспирантов и студентов, занимающихся проблемами разработки, анализа, тестирования сложных микро- и наноэлектронных схем и систем и соответствующих программных средств.

Главы книги
TCAD and SPICE Models for Account of Radiation Effects in Nanoscale MOSFET Structures
K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade и др., , in: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).Вып. 4.: ИППМ РАН, 2020. P. 2–8.
Два типа моделей МОПТ, имеющихся в коммерческих версиях TCAD- и SPICE-симуляторов, дополнены уравнениями для учёта радиационных эффектов. Адекватность моделей иллюстрирована на двух примерах: 1) 0,2 и 0,24 мкм КНИ/DSOI МОПТ с учётом дозовых эффектов и ОЯЧ; 2) 28 нм МОПТ на объёмном кремнии, 45 нм и 28 нм КНИ МОПТ с high‑k диэлектриком с учётом дозовых эффектов. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Модификация высокоуровневой модели NoCModel 2.0 для моделирования сетей на кристалле с циркулянтными топологиями
Прилепко П. М., Романов А. Ю., Лежнев Е. В., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).Вып. 4.: ИППМ РАН, 2020. С. 23–30.
Процесс проектирования подсистемы связи сетей на кристалле (СтнК) в общем виде состоит в определении шести базовых характеристик сети: топологии (организация связи между элементами СтнК); маршрутизации (определение путей перемещения данных в сети); переключения (способ передачи данных в сети); управления потоком (выделение каналов передачи данных в сети); буферизации (способ промежуточного хранения пакетов); арбитража (планирование использования каналов и ...
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
Язык: русский
Ключевые слова: наноэлектроникамикроэлектроникаСАПР
Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).
Похожие публикации
Микроэлектроника и информатика-2021 28-я всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов (Зеленоград, 29-30 апреля 2021 г.). тезисы докладов
М.: МИЭТ, 2021.
Микроэлектроника и информатика-2021 28-я всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов (Зеленоград, 29-30 апреля 2021 г.)., тезисы докладов / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Национальный исследовательский университет "МИЭТ". — Москва : МИЭТ, 2021. — 251 с.; 20. — ISBN 978-5-7256-0964-6. ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Адаптация рабочей среды AutoCAD Mechanical к требованиям ЕСКД
Федоренков А. П., Полубинская Л. Г., Бяков К. Е., М.: Издательство МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2019.
Рассмотрены все стадии настройки программы AutoCAD Mechanical — от обустройства интерфейса до создания пользовательских шаблонов. Подробно представлены инструменты, обеспечивающие настройку графической системы для работы с конкретным аппаратным обеспечением и ее модификацию во время сеанса работы с программой. Практические рекомендации направлены на ускоренное освоение программы AutoCAD Mechanical. Для самостоятельной проработки студентами, обучающимися по специальностям 23.05.01 «Наземные ...
Добавлено: 7 августа 2026 г.
Исследование влияния температуры и мощности на интенсивность отказов транзистора
Чашкин Л. Б., Полесский С. Н., Тумковский С. Р., В кн.: Российский форум «Микроэлектроника 2025». 11-я Научная конференция «ЭКБ и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Научно-технологический университет «Сириус», 21-27 сентября 2025 г.: М.: Техносфера, 2025. С. 273–274.
Данное исследование анализирует взаимосвязь температуры и мощности в германиевом транзисторе МП37, выявляя их совместное влияние на интенсивность отказов через экспериментальные измерения и цифровое моделирование с использованием цифрового двойника. Основным результатом стало обнаружение критической точки температуры, после которой характер зависимости интенсивности отказов от температуры изменяется. ...
Добавлено: 24 октября 2025 г.
Российский форум «Микроэлектроника 2025». 11-я Научная конференция «ЭКБ и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Научно-технологический университет «Сириус», 21-27 сентября 2025 г.
М.: Техносфера, 2025.
В выпуск включены тезисы докладов конференции, освещающие актуальные вопросы разработки, производства и применения электронной компонентной базы и электронных модулей. ...
Добавлено: 24 октября 2025 г.
InGrid: Towards a Simulation-Based Automated Decision-Making System for Transportation
Степанянц В. Г., , in: 2025 International Russian Automation Conference (RusAutoCon).: IEEE, 2025. P. 982–986.
Добавлено: 3 октября 2025 г.
Электроэнергетика, электротехника и информационные технологии : материалы Всероссийской научно-технической конференции (30—31 мая 2024 г., Петрозаводск)
Издательство ПетрГУ, 2024.
В сборник включены доклады, представленные на Всероссийской научно-технической конференции «Электроэнергетика, электротехника и информационные технологии». Доклады охватывают широкий круг вопросов в области информационно-коммуникационных технологий и программно-технических комплексов, автоматизации технологических процессов и производств на базе современных технологий и оборудования, САПР, электромагнитной совместимости, релейной защиты и автоматики, передачи, распределения и потребления электроэнергии, электрического и электронного оборудования, математического моделирования в электроэнергетике, нейросетевых ...
Добавлено: 9 декабря 2024 г.
Исследование тепловых режимов работы электронных компонентов с применением различных видов охлаждающих конструкций
Цветков В. Э., Ландер Л. Б., Кононова Н. А. и др., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов имени Е.В. Арменского. Материалы конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2022. С. 200–203.
В работе рассмотрены различные виды теплопередачи в электронике, изучены методы теплоотвода в радиоэлектронных средствах (РЭС), а также проведено тепловое моделирование некоторых систем охлаждения в программном комплексе САПР SolidWorks. Данное исследование проводится в рамках разработки электронного учебного пособия по компьютерному моделированию РЭС с различными видами охлаждения. ...
Добавлено: 27 августа 2024 г.
Разработка методов автоматизации высокоуровневого моделирования сетей на кристалле
Американов А. А., Таржанов Т. В., Романова И. И. и др., Труды Института системного программирования РАН 2023 Т. 35 № 5 С. 67–80
В статье проведен анализ существующих методов для оптимизации временных затрат и вычислений при высокоуровневом моделировании сетей на кристалле. Приведено описание параметров и характеристик сетей на кристалле, рассчитываемых различными моделями, и проанализировано их влияние на скорость высокоуровневого моделирования. Проведена адаптация существующих методов оптимизации моделирования для внедрения в систему автоматизации проектирования сетей на кристалле. ...
Добавлено: 8 марта 2024 г.
Избранные труды II Всероссийской молодежной школы-конференции «СОВРЕМЕННЫЕ ФИЗИКА, МАТЕМАТИКА, ЦИФРОВЫЕ И НАНОТЕХНОЛОГИИ В НАУКЕ И ОБРАЗОВАНИИ (ФМЦН-23)»
Уфа: Издательство БГПУ, 2023.
В сборнике представлены статьи, опубликованные по итогам работы секций II Всероссийской молодежной школы-конференции. Статьи прошли рецензирование и сгруппированы по тематическим направлениям работы конференции. В сборнике помещены научные статьи студентов, магистров, аспирантов, преподавателей вузов, учителей и учеников школ. ...
Добавлено: 14 декабря 2023 г.
Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 13–16 марта 2023 г.) в 2х томах. Том 1
Н. Новгород: ИПФ РАН, 2023.
Том 1 Секция 1 Сверхпроводящие наносистемы Секция 2 Магнитные наноструктуры Секция 4 Измерения и технологии атомарного и нанометрового масштаба на основе зондовых, электронно-лучевых и ионно-лучевых методов Секция 6 Твердотельная элементная база квантовых технологий ...
Добавлено: 26 марта 2023 г.
Труды XXVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника»
Н. Новгород: Издательство Нижегородского университета, 2022.
Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г.) В 2 т. Том 1 ...
Добавлено: 7 декабря 2022 г.
Micromask Lithography for Cheap and Fast 2D Materials Microstructures Fabrication
Pugachev M., Duleba A., Arslan A. Galiullin и др., Micromachines 2021 Vol. 12 No. 8 Article 850
Добавлено: 14 ноября 2022 г.
Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)
ИППМ РАН, 2021.
Выпуск III настоящего периодического издания содержит 31 доклад из числа представленных на X Юбилейную Всероссийскую научно-техническую конференцию «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2020» (Москва, Зеленоград, март-ноябрь 2021 г.). Работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами институтов РАН, специалистами российских научно-производственных организаций и предприятий, преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами вузов, а также сотрудниками ряда зарубежных организаций и вузов, работающих ...
Добавлено: 12 ноября 2021 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору