• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Книги
  • Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
30 апреля 2026 г.
«Моя цель - стать ординарным профессором»
Михаил Саматов занимается теоретическими исследованиями перовскитных солнечных батарей. В интервью проекту «Молодые ученые Вышки» он рассказал о работе на суперкомпьютере Вышки, сотрудничестве с Пекинским университетом и умении делать мебель.
29 апреля 2026 г.
Научить машину читать прошлое: на ФГН создают нейросеть для расшифровки рукописей
Дневники и письма — бесценный источник для гуманитария-исследователя. Но что делать, если текст невозможно прочитать? На факультете гуманитарных наук (ФГН) ВШЭ эту проблему решили перевести на язык математики: команда филологов, историков и специалистов по машинному обучению создала информационную систему, которая не только распознает неразборчивый почерк, но и помогает анализировать содержание архивов.
29 апреля 2026 г.
8 драйверов технологического будущего: что изменит экономику
Какие отрасли определят облик ближайших десятилетий? Премьер-министр  Михаил Мишустин назвал 8 направлений, которые будут развиваться в ближайшие годы. О том, какие образовательные программы НИУ ВШЭ готовят специалистов по этим направлениям — в материале IQ медиа.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).

Вып. 4. ИППМ РАН, 2020.
Научный редактор: А. Д. Иванников
Под общей редакцией: Стемпковский А. Л.

Материалы сборника отражают современное состояние российской микро- и наноэлектроники, методов и средств разработки микро- и наноэлектронных схем и систем и являются важным источником информации по перспективным направлениям исследований и инвестиций в сфере микро- и наноэлектроники.

Представленные работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами РАН, специалистами работающих в России научно-производственных организаций, преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами высших учебных заведений, а также сотрудниками ряда зарубежных компаний, лидирующих в области проектирования микро- и наноэлектронных изделий.

Сборник предназначен для научных работников, специалистов, аспирантов и студентов, занимающихся проблемами разработки, анализа, тестирования сложных микро- и наноэлектронных схем и систем и соответствующих программных средств.

Главы книги
Модификация высокоуровневой модели NoCModel 2.0 для моделирования сетей на кристалле с циркулянтными топологиями
Прилепко П. М., Романов А. Ю., Лежнев Е. В., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).Вып. 4.: ИППМ РАН, 2020. С. 23–30.
Процесс проектирования подсистемы связи сетей на кристалле (СтнК) в общем виде состоит в определении шести базовых характеристик сети: топологии (организация связи между элементами СтнК); маршрутизации (определение путей перемещения данных в сети); переключения (способ передачи данных в сети); управления потоком (выделение каналов передачи данных в сети); буферизации (способ промежуточного хранения пакетов); арбитража (планирование использования каналов и ...
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
TCAD and SPICE Models for Account of Radiation Effects in Nanoscale MOSFET Structures
K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade и др., , in: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).Вып. 4.: ИППМ РАН, 2020. P. 2–8.
Два типа моделей МОПТ, имеющихся в коммерческих версиях TCAD- и SPICE-симуляторов, дополнены уравнениями для учёта радиационных эффектов. Адекватность моделей иллюстрирована на двух примерах: 1) 0,2 и 0,24 мкм КНИ/DSOI МОПТ с учётом дозовых эффектов и ОЯЧ; 2) 28 нм МОПТ на объёмном кремнии, 45 нм и 28 нм КНИ МОПТ с high‑k диэлектриком с учётом дозовых эффектов. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Язык: русский
Ключевые слова: наноэлектроникамикроэлектроникаСАПР
Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).
Похожие публикации
Исследование влияния температуры и мощности на интенсивность отказов транзистора
Чашкин Л. Б., Полесский С. Н., Тумковский С. Р., В кн.: Российский форум «Микроэлектроника 2025». 11-я Научная конференция «ЭКБ и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Научно-технологический университет «Сириус», 21-27 сентября 2025 г.: М.: Техносфера, 2025. С. 273–274.
Данное исследование анализирует взаимосвязь температуры и мощности в германиевом транзисторе МП37, выявляя их совместное влияние на интенсивность отказов через экспериментальные измерения и цифровое моделирование с использованием цифрового двойника. Основным результатом стало обнаружение критической точки температуры, после которой характер зависимости интенсивности отказов от температуры изменяется. ...
Добавлено: 24 октября 2025 г.
Российский форум «Микроэлектроника 2025». 11-я Научная конференция «ЭКБ и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Научно-технологический университет «Сириус», 21-27 сентября 2025 г.
М.: Техносфера, 2025.
В выпуск включены тезисы докладов конференции, освещающие актуальные вопросы разработки, производства и применения электронной компонентной базы и электронных модулей. ...
Добавлено: 24 октября 2025 г.
InGrid: Towards a Simulation-Based Automated Decision-Making System for Transportation
Степанянц В. Г., , in: 2025 International Russian Automation Conference (RusAutoCon).: IEEE, 2025. P. 982–986.
Добавлено: 3 октября 2025 г.
Электроэнергетика, электротехника и информационные технологии : материалы Всероссийской научно-технической конференции (30—31 мая 2024 г., Петрозаводск)
Издательство ПетрГУ, 2024.
В сборник включены доклады, представленные на Всероссийской научно-технической конференции «Электроэнергетика, электротехника и информационные технологии». Доклады охватывают широкий круг вопросов в области информационно-коммуникационных технологий и программно-технических комплексов, автоматизации технологических процессов и производств на базе современных технологий и оборудования, САПР, электромагнитной совместимости, релейной защиты и автоматики, передачи, распределения и потребления электроэнергии, электрического и электронного оборудования, математического моделирования в электроэнергетике, нейросетевых ...
Добавлено: 9 декабря 2024 г.
Исследование тепловых режимов работы электронных компонентов с применением различных видов охлаждающих конструкций
Цветков В. Э., Ландер Л. Б., Кононова Н. А. и др., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов имени Е.В. Арменского. Материалы конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2022. С. 200–203.
В работе рассмотрены различные виды теплопередачи в электронике, изучены методы теплоотвода в радиоэлектронных средствах (РЭС), а также проведено тепловое моделирование некоторых систем охлаждения в программном комплексе САПР SolidWorks. Данное исследование проводится в рамках разработки электронного учебного пособия по компьютерному моделированию РЭС с различными видами охлаждения. ...
Добавлено: 27 августа 2024 г.
Разработка методов автоматизации высокоуровневого моделирования сетей на кристалле
Американов А. А., Таржанов Т. В., Романова И. И. и др., Труды Института системного программирования РАН 2023 Т. 35 № 5 С. 67–80
В статье проведен анализ существующих методов для оптимизации временных затрат и вычислений при высокоуровневом моделировании сетей на кристалле. Приведено описание параметров и характеристик сетей на кристалле, рассчитываемых различными моделями, и проанализировано их влияние на скорость высокоуровневого моделирования. Проведена адаптация существующих методов оптимизации моделирования для внедрения в систему автоматизации проектирования сетей на кристалле. ...
Добавлено: 8 марта 2024 г.
Избранные труды II Всероссийской молодежной школы-конференции «СОВРЕМЕННЫЕ ФИЗИКА, МАТЕМАТИКА, ЦИФРОВЫЕ И НАНОТЕХНОЛОГИИ В НАУКЕ И ОБРАЗОВАНИИ (ФМЦН-23)»
Уфа: Издательство БГПУ, 2023.
В сборнике представлены статьи, опубликованные по итогам работы секций II Всероссийской молодежной школы-конференции. Статьи прошли рецензирование и сгруппированы по тематическим направлениям работы конференции. В сборнике помещены научные статьи студентов, магистров, аспирантов, преподавателей вузов, учителей и учеников школ. ...
Добавлено: 14 декабря 2023 г.
Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 13–16 марта 2023 г.) в 2х томах. Том 1
Н. Новгород: ИПФ РАН, 2023.
Том 1 Секция 1 Сверхпроводящие наносистемы Секция 2 Магнитные наноструктуры Секция 4 Измерения и технологии атомарного и нанометрового масштаба на основе зондовых, электронно-лучевых и ионно-лучевых методов Секция 6 Твердотельная элементная база квантовых технологий ...
Добавлено: 26 марта 2023 г.
Труды XXVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника»
Н. Новгород: Издательство Нижегородского университета, 2022.
Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г.) В 2 т. Том 1 ...
Добавлено: 7 декабря 2022 г.
Micromask Lithography for Cheap and Fast 2D Materials Microstructures Fabrication
Pugachev M., Duleba A., Arslan A. Galiullin и др., Micromachines 2021 Vol. 12 No. 8 Article 850
Добавлено: 14 ноября 2022 г.
Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)
ИППМ РАН, 2021.
Выпуск III настоящего периодического издания содержит 31 доклад из числа представленных на X Юбилейную Всероссийскую научно-техническую конференцию «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2020» (Москва, Зеленоград, март-ноябрь 2021 г.). Работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами институтов РАН, специалистами российских научно-производственных организаций и предприятий, преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами вузов, а также сотрудниками ряда зарубежных организаций и вузов, работающих ...
Добавлено: 12 ноября 2021 г.
Этапы проектирования перспективных радиолокационных станций в специализированной САПР
Коновальчик А. П., Конопелькин М. Ю., Щирый А. О. и др., Вестник воздушно-космической обороны 2020 Т. 28 № 4 С. 111–118
Статья посвящена этапам проектирования в разрабатываемой отечественной системе автоматизированного проектирования (САПР) радиолокационных станций (РЛС), комплексов и систем. Представлена концепция проектирования в САПР, включающая три уровня представления РЛС: системный, функциональный и структурно-конструктивный. Рассмотрен инструментарий САПР. Описан маршрут проектирования РЛС, состоящий из следующих основных этапов: этап предварительной оценки параметров РЛС, этап имитационного моделирования, этап технико-экономического анализа варианта ...
Добавлено: 2 ноября 2021 г.
Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021
М.: МАКС Пресс, 2021.
Сборник включает в себя научные работы, отражающие современные мировые достижения в области материаловедения электронных компонентов и представляет новые методы математического моделирования и программные решения для разработки прикладных программных систем. Для специалистов в области вычислительного материаловедения, прикладной математики, математического моделирования, проектирования и автоматизации изделий наноэлектроники, разработчиков современных прикладных программных систем, аспирантов и студентов старших курсов университетов ...
Добавлено: 31 октября 2021 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору