?
Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).
Вып. 4.
ИППМ РАН, 2020.
Научный редактор: А. Д. Иванников
Под общей редакцией: Стемпковский А. Л.
Материалы сборника отражают современное состояние российской микро- и наноэлектроники, методов и средств разработки микро- и наноэлектронных схем и систем и являются важным источником информации по перспективным направлениям исследований и инвестиций в сфере микро- и наноэлектроники.
Представленные работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами РАН, специалистами работающих в России научно-производственных организаций, преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами высших учебных заведений, а также сотрудниками ряда зарубежных компаний, лидирующих в области проектирования микро- и наноэлектронных изделий.
Сборник предназначен для научных работников, специалистов, аспирантов и студентов, занимающихся проблемами разработки, анализа, тестирования сложных микро- и наноэлектронных схем и систем и соответствующих программных средств.
Главы книги
Прилепко П. М., Романов А. Ю., Лежнев Е. В., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).Вып. 4.: ИППМ РАН, 2020. С. 23–30.
Процесс проектирования подсистемы связи сетей на кристалле (СтнК) в общем виде состоит в определении шести базовых характеристик сети: топологии (организация связи между элементами СтнК); маршрутизации (определение путей перемещения данных в сети); переключения (способ передачи данных в сети); управления потоком (выделение каналов передачи данных в сети); буферизации (способ промежуточного хранения пакетов); арбитража (планирование использования каналов и ...
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade и др., , in: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).Вып. 4.: ИППМ РАН, 2020. P. 2–8.
Два типа моделей МОПТ, имеющихся в коммерческих версиях TCAD- и SPICE-симуляторов, дополнены уравнениями для учёта радиационных эффектов. Адекватность моделей иллюстрирована на двух примерах: 1) 0,2 и 0,24 мкм КНИ/DSOI МОПТ с учётом дозовых эффектов и ОЯЧ; 2) 28 нм МОПТ на объёмном кремнии, 45 нм и 28 нм КНИ МОПТ с high‑k диэлектриком с учётом дозовых эффектов. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Язык:
русский
Nauka, 2025.
Журнал «Микроэлектроника / Russian Microelectronics» – рецензируемое академическое издание, посвященное современным исследованиям в области микро- и наноэлектроники.
Публикации в журнале «Микроэлектроника / Russian Microelectronics» охватывают широкий спектр вопросов по литографии (оптической, рентгеновской, электронной, ионной), технологиям травления и осаждения, легирования, моделированию технологических процессов и современных нанотранзисторов, плазменным технологиям, сухому травлению и многим смежным тематикам. Журнал предназначен для специалистов научно-исследовательских институтов, высших ...
Добавлено: 1 июля 2026 г.
Чашкин Л. Б., Полесский С. Н., Тумковский С. Р., В кн.: Российский форум «Микроэлектроника 2025». 11-я Научная конференция «ЭКБ и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Научно-технологический университет «Сириус», 21-27 сентября 2025 г.: М.: Техносфера, 2025. С. 273–274.
Данное исследование анализирует взаимосвязь температуры и мощности в германиевом транзисторе МП37, выявляя их совместное влияние на интенсивность отказов через экспериментальные измерения и цифровое моделирование с использованием цифрового двойника. Основным результатом стало обнаружение критической точки температуры, после которой характер зависимости интенсивности отказов от температуры изменяется. ...
Добавлено: 24 октября 2025 г.
М.: Техносфера, 2025.
В выпуск включены тезисы докладов конференции, освещающие актуальные вопросы разработки, производства и применения электронной компонентной базы и электронных модулей. ...
Добавлено: 24 октября 2025 г.
Степанянц В. Г., , in: 2025 International Russian Automation Conference (RusAutoCon).: IEEE, 2025. P. 982–986.
Добавлено: 3 октября 2025 г.
Издательство ПетрГУ, 2024.
В сборник включены доклады, представленные на Всероссийской научно-технической конференции «Электроэнергетика, электротехника и информационные технологии». Доклады охватывают широкий круг вопросов в области информационно-коммуникационных технологий и программно-технических комплексов, автоматизации технологических процессов и производств на базе современных технологий и оборудования, САПР, электромагнитной совместимости, релейной защиты и автоматики, передачи, распределения и потребления электроэнергии, электрического и электронного оборудования, математического моделирования в электроэнергетике, нейросетевых ...
Добавлено: 9 декабря 2024 г.
Цветков В. Э., Ландер Л. Б., Кононова Н. А. и др., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов имени Е.В. Арменского. Материалы конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2022. С. 200–203.
В работе рассмотрены различные виды теплопередачи в электронике, изучены методы теплоотвода в радиоэлектронных средствах (РЭС), а также проведено тепловое моделирование некоторых систем охлаждения в программном комплексе САПР SolidWorks. Данное исследование проводится в рамках разработки электронного учебного пособия по компьютерному моделированию РЭС с различными видами охлаждения. ...
Добавлено: 27 августа 2024 г.
Американов А. А., Таржанов Т. В., Романова И. И. и др., Труды Института системного программирования РАН 2023 Т. 35 № 5 С. 67–80
В статье проведен анализ существующих методов для оптимизации временных затрат и вычислений при высокоуровневом моделировании сетей на кристалле. Приведено описание параметров и характеристик сетей на кристалле, рассчитываемых различными моделями, и проанализировано их влияние на скорость высокоуровневого моделирования. Проведена адаптация существующих методов оптимизации моделирования для внедрения в систему автоматизации проектирования сетей на кристалле. ...
Добавлено: 8 марта 2024 г.
Уфа: Издательство БГПУ, 2023.
В сборнике представлены статьи, опубликованные по итогам работы секций II Всероссийской молодежной школы-конференции. Статьи прошли рецензирование и сгруппированы по тематическим направлениям работы конференции. В сборнике помещены научные статьи студентов, магистров, аспирантов, преподавателей вузов, учителей и учеников школ. ...
Добавлено: 14 декабря 2023 г.
Н. Новгород: ИПФ РАН, 2023.
Том 1
Секция 1 Сверхпроводящие наносистемы
Секция 2 Магнитные наноструктуры
Секция 4 Измерения и технологии атомарного и нанометрового масштаба на основе зондовых, электронно-лучевых и ионно-лучевых методов
Секция 6 Твердотельная элементная база квантовых технологий ...
Добавлено: 26 марта 2023 г.
Н. Новгород: Издательство Нижегородского университета, 2022.
Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (Нижний
Новгород, 14–17 марта 2022 г.) В 2 т. Том 1 ...
Добавлено: 7 декабря 2022 г.
Добавлено: 14 ноября 2022 г.
ИППМ РАН, 2021.
Выпуск III настоящего периодического издания содержит 31 доклад из числа представленных на X
Юбилейную Всероссийскую научно-техническую конференцию «Проблемы разработки
перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2020» (Москва, Зеленоград, март-ноябрь 2021 г.).
Работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами институтов РАН, специалистами
российских научно-производственных организаций и предприятий, преподавателями, научными
сотрудниками, аспирантами и студентами вузов, а также сотрудниками ряда зарубежных организаций
и вузов, работающих ...
Добавлено: 12 ноября 2021 г.
Коновальчик А. П., Конопелькин М. Ю., Щирый А. О. и др., Вестник воздушно-космической обороны 2020 Т. 28 № 4 С. 111–118
Статья посвящена этапам проектирования в разрабатываемой отечественной системе автоматизированного проектирования (САПР) радиолокационных станций (РЛС), комплексов и систем. Представлена концепция проектирования в САПР, включающая три уровня представления РЛС: системный, функциональный и структурно-конструктивный. Рассмотрен инструментарий САПР. Описан маршрут проектирования РЛС, состоящий из следующих основных этапов: этап предварительной оценки параметров РЛС, этап имитационного моделирования, этап технико-экономического анализа варианта ...
Добавлено: 2 ноября 2021 г.