• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Книги
  • Российский форум «Микроэлектроника 2025». 11-я Научная конференция «ЭКБ и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Научно-технологический университет «Сириус», 21-27 сентября 2025 г.
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
15 октября 2026 г.
Ученые НИУ ВШЭ выяснили, куда смотрят дети и взрослые при чтении
Исследователи Центра языка и мозга НИУ ВШЭ совместно с зарубежными коллегами показали, что в конце первого класса у детей уже сформирован один из важных навыков движений глаз при чтении. Они, как и взрослые, быстро адаптируют длину саккад — быстрых скачков взгляда — к длине слов в предложениях. При этом место, куда приземляется взгляд, у детей смещено к началу слова, в отличие от взрослых, которые смотрят в середину слова. Чем выше беглость чтения, тем ближе эта позиция к центру. Результаты исследования опубликованы в Journal of Experimental Child Psychology.
13 октября 2026 г.
Российские ученые поставили под сомнение установление рекорда в замерах свойств сверхпроводников
Топологические изоляторы проводят ток только по поверхности и поэтому рассматриваются как перспективные материалы для будущей электроники и квантовых технологий. Особый интерес представляет их контакт со сверхпроводниками. Физики из НИУ ВШЭ показали, что недавний эксперимент, в котором в такой гибридной структуре якобы наблюдалось объединение электронных пар на рекордном расстоянии 1,5 мкм, допускает более прозаичное объяснение. По их мнению, тот же сигнал может быть обусловлен обычным прохождением электронов через сверхпроводник. Дискуссия исследователей развернулась на страницах Nature Physics.
12 октября 2026 г.
Устойчивое управление и стоимость бизнеса: экономисты ВШЭ выяснили, как они связаны на российском рынке
На российском рынке устойчивое развитие повышает стоимость бизнеса прежде всего тогда, когда становится частью корпоративной стратегии. К такому выводу пришли исследователи НИУ ВШЭ и их зарубежные коллеги, проанализировав практики управления 152 публичных российских компаний. Статья опубликована в журнале Business Strategy and the Environment.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Российский форум «Микроэлектроника 2025». 11-я Научная конференция «ЭКБ и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Научно-технологический университет «Сириус», 21-27 сентября 2025 г.

М. : Техносфера, 2025.

В выпуск включены тезисы докладов конференции, освещающие актуальные вопросы разработки, производства и применения электронной компонентной базы и электронных модулей.

Главы книги
Исследование влияния температуры и мощности на интенсивность отказов транзистора
Чашкин Л. Б., Полесский С. Н., Тумковский С. Р., В кн.: Российский форум «Микроэлектроника 2025». 11-я Научная конференция «ЭКБ и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Научно-технологический университет «Сириус», 21-27 сентября 2025 г.: М.: Техносфера, 2025. С. 273–274.
Данное исследование анализирует взаимосвязь температуры и мощности в германиевом транзисторе МП37, выявляя их совместное влияние на интенсивность отказов через экспериментальные измерения и цифровое моделирование с использованием цифрового двойника. Основным результатом стало обнаружение критической точки температуры, после которой характер зависимости интенсивности отказов от температуры изменяется. ...
Добавлено: 24 октября 2025 г.
Агрегированные цифровые двойники электронных модулей
Чашкин Л. Б., В кн.: Российский форум «Микроэлектроника 2025». 11-я Научная конференция «ЭКБ и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Научно-технологический университет «Сириус», 21-27 сентября 2025 г.: М.: Техносфера, 2025. С. 1038–1039.
Разработана платформа для построения агрегированных цифровых двойников электронных модулей. Проведен эксперимент на базе электронного модуля транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером. Верифицированы параметры электронного модуля. ...
Добавлено: 24 октября 2025 г.
Язык: русский
Ключевые слова: микроэлектроникаЭКБ
Российский форум «Микроэлектроника 2025». 11-я Научная конференция «ЭКБ и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Научно-технологический университет «Сириус», 21-27 сентября 2025 г.
Похожие публикации
Микроэлектроника и информатика-2021 28-я всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов (Зеленоград, 29-30 апреля 2021 г.). тезисы докладов
М.: МИЭТ, 2021.
Микроэлектроника и информатика-2021 28-я всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов (Зеленоград, 29-30 апреля 2021 г.)., тезисы докладов / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Национальный исследовательский университет "МИЭТ". — Москва : МИЭТ, 2021. — 251 с.; 20. — ISBN 978-5-7256-0964-6. ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Исследование влияния температуры и мощности на интенсивность отказов транзистора
Чашкин Л. Б., Полесский С. Н., Тумковский С. Р., В кн.: Российский форум «Микроэлектроника 2025». 11-я Научная конференция «ЭКБ и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Научно-технологический университет «Сириус», 21-27 сентября 2025 г.: М.: Техносфера, 2025. С. 273–274.
Данное исследование анализирует взаимосвязь температуры и мощности в германиевом транзисторе МП37, выявляя их совместное влияние на интенсивность отказов через экспериментальные измерения и цифровое моделирование с использованием цифрового двойника. Основным результатом стало обнаружение критической точки температуры, после которой характер зависимости интенсивности отказов от температуры изменяется. ...
Добавлено: 24 октября 2025 г.
Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)
ИППМ РАН, 2021.
Выпуск III настоящего периодического издания содержит 31 доклад из числа представленных на X Юбилейную Всероссийскую научно-техническую конференцию «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2020» (Москва, Зеленоград, март-ноябрь 2021 г.). Работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами институтов РАН, специалистами российских научно-производственных организаций и предприятий, преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами вузов, а также сотрудниками ряда зарубежных организаций и вузов, работающих ...
Добавлено: 12 ноября 2021 г.
Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисов
М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021.
Российский форум «Микроэлектроника-2021» 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Сборник тезисов Республика Крым, г. Алушта, 03–09 октября 2021 г. ...
Добавлено: 31 октября 2021 г.
Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)
ИППМ РАН, 2021.
Выпуск II настоящего периодического издания содержит 12 докладов из числа представленных на X Юбилейную Всероссийскую научно-техническую конференцию «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2020» (Москва, Зеленоград, март-ноябрь 2021 г.). Работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами институтов РАН, специалистами российских научно-производственных организаций и предприятий, преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами вузов, а также сотрудниками ...
Добавлено: 25 октября 2021 г.
Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)
ИППМ РАН, 2021.
Выпуск I настоящего периодического издания содержит 12 докладов из числа представленных на X Юбилейную Всероссийскую научно-техническую конференцию «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем –2020» (Москва, Зеленоград, март-ноябрь 2021 г.). Работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами институтов РАН, специалистами российских научно-производственных организацийи предприятий, преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами вузов, а также сотрудниками ряда зарубежных организаций ...
Добавлено: 26 августа 2021 г.
Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.
М.: МАКС Пресс, 2020.
В выпуске представлены тезисы докладов XIII Международной конференции «Кремний – 2020» и XII Школы молодых ученых по актуальным проблемам физики и технологии кремниевой электроники и нанометровых приборов, освещающие актуальные темы разработки процессов создания перспективной элементной базы и новых путей её использования. Кроме традиционных тем исследования процессов в объёме кремния, на поверхности и на границах раздела, ...
Добавлено: 29 ноября 2020 г.
Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020).
ИППМ РАН, 2020.
Материалы сборника отражают современное состояние российской микро- и наноэлектроники, методов и средств разработки микро- и наноэлектронных схем и систем и являются важным источником информации по перспективным направлениям исследований и инвестиций в сфере микро- и наноэлектроники. Представленные работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами РАН, специалистами работающих в России научно-производственных организаций, преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами высших ...
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
Наноиндустрия. Специальный выпуск: Международный форум "Микроэлектроника-2019". 5-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микроэлектронные модули"
Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2020.
Специальный выпуск Международный форум «Микроэлектроника-2019» 5-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Республика Крым, г. Алушта, 30 сентября – 5 октября 2019 г. ...
Добавлено: 26 июня 2020 г.
XVIII Научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 24 - 27 июня 2019 года, г. Суздаль, Россия
НИИСИ РАН, 2019.
Сборник содержит программу и тезисы докладов 18-ой Научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 24 по 27 июня 2019 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук». Представленные тезисы отражают широкую панораму деятельности сотрудников российских вузов и научно-производственных организаций в областях электроники, микроэлектроники и наноэлектроники, а также специализирующейся в ...
Добавлено: 15 марта 2020 г.
Proceedings of SPIE 11022. International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018
SPIE, 2019.
Добавлено: 30 ноября 2019 г.
XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия
М.: НИИСИ РАН, 2018.
Сборник содержит программу и тезисы докладов 17-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 14 по 18 мая 2018 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук», а также ООО «Галактический поток», при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (Грант РФФИ № 18-07-20020). Представленные тезисы отражают широкую панораму деятельности сотрудников ...
Добавлено: 7 ноября 2018 г.
Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018)
М., Зеленоград: ИППМ РАН, 2018.
Материалы сборника отражают современное состояние российской микро- и наноэлектроники, методов и средств разработки микро- и наноэлектронных схем и систем и являются важным источником информации по перспективным направлениям исследований и инвестиций в сфере микро- и наноэлектроники. Представленные работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами РАН, специалистами работающих в России научно-производственных организаций, преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами высших ...
Добавлено: 21 октября 2018 г.
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия
М.: НИИСИ РАН, 2017.
Сборник содержит программу и тезисы докладов 16-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 3 по 7 июля 2017 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук», Московским научно-техническим обществом радиотехники, электроники и связи имени А.С. Попова при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (Грант ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Современные сверхпроводниковые устройства
Чулкова Г. М., Физика в школе 2015 № 8 С. 49–53
В статье рассказано об одном из современных направ лений микроэлектроники, которое может стать основой для создания элективных курсов или проектных исследо ваний учащихся. В статье даны основные теоретические положения и практические применения ...
Добавлено: 19 октября 2016 г.
Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем Сборник трудов конференции (МЭС-2016). Сборник трудов
М., Зеленоград: ИППМ РАН, 2016.
Часть II сборника научных трудов составлена по материалам секций 4 и 5 ("Верификация и тестирование", "Высокопроизводительные вычислительные микроэлектронные системы") VII Всероссийской научно-тенчнической конференции "Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем -2016" (Москва, Зеленоград 03.10 - 07.10.2016г.). Сборник трудов". Представленные работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами РАН, специалистами работающих в России научно-производственных организаций, преподавателями, научными сотрудниками, ...
Добавлено: 27 сентября 2016 г.
Разработка администратора базы данных коэффициентов математических моделей интенсивностей отказов ЭКБ
Зотов А. Н., Кулыгин В. Н., Стахи А. В. и др., В кн.: Современные проблемы радиоэлектроники : сб. науч. тр. [Электронный ресурс].: Красноярск: Сибирский федеральный университет, 2016. С. 440–443.
В докладе рассматривается проблема администрирования баз данных, содержащих данные по характеристикам надежности электронной компонентной базы для системы расчетов надежности электронных модулей АСОНИКА-К-СЧ. Обусловлена необходимость создания программных средств администрирования баз данных. Приведено описание функционирования модуля администрирования базы данных, содержащих коэффициенты математических моделей интенсивностей отказов, необходимых для расчета характеристик надежности элементов. ...
Добавлено: 26 апреля 2016 г.
Сб. трудов Международной конференции "Интегральные схемы и микроэлектронные модули -- проектирование, производство и применение" (Микроэлектроника -- 2015)
М.: Техносфера, 2016.
В сборник включены  тезисы докладов конференции, освещающие актуалные вопросы разаработки, производства и применения отечественных интегральных схем и высокоинтегрированных микроэлектронных модулей. ...
Добавлено: 13 апреля 2016 г.
2nd International Conference on Modeling Identification and Control. MIC 2015
P.: Atlantis Press, 2015.
Добавлено: 20 февраля 2016 г.
Формирование топологии в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне
Корпачев М. Ю., В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов МИЭМ, посвященная 50-летию МИЭМ.: М.: Московский государственный институт электроники и математики, 2012. С. 295–296.
В работе рассмотрены волновые процессы в экстремальном ультрафиолетовом и мягком рентгеновском диапазонах, приведены проходы к построению отражательных элементов и источников излучения системы формирования изображения для технологического оборудования нанолитографии. Для реализации технологического процесса ультрафиолетовой литографии в экстремальном ультрафиолетовом и мягком рентгеновском диапазонах предложено техническое решение, удовлетворяющее современным тенденциям по уменьшению минимального характеристического размера элементов интегральных схем ...
Добавлено: 26 мая 2014 г.
Обобщённый критерий качества технологического оборудования ультрафиолетовой литографии
Корпачев М. Ю., В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов МИЭМ, посвященная 50-летию МИЭМ.: М.: Московский государственный институт электроники и математики, 2012. С. 293–294.
Предложены функциональные, технологические, структурные, экономические, экологические и локальные критерии, на основании которых строится обобщённый критерий качества технологического процесса ультрафиолетовой литографии, а также оборудования, непосредственно участвующего в его осуществлении. Предложено концептуальное решение устройства осуществляющего формирование нанодорожек на подложке. ...
Добавлено: 26 мая 2014 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору