Труды ХХIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 11-14 марта 2019, Нижний Новгород, т.2,

Т. 2: Полупроводниковые наноструктуры:. Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2019.

Полупроводниковые наноструктуры: электронные, оптические свойства, методы формирования

Главы книги

Локально деформированные структуры на основе Ge как активная среда для кремниевой оптоэлектроники

Юрасов Д. В., Байдакова Н. А., Вербус В. А. и др., В кн.: Труды ХХIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 11-14 марта 2019, Нижний Новгород, т.2,Т. 2: Полупроводниковые наноструктуры:.: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2019. С. 898–899.

Представлены результаты по формированию локально растянутых Ge микроструктур и исследованию их оптических свойств. Свободновисящие Ge структуры были получены с помощью оптической литографии, плазмохимического и селективного хими ческого травления, используя метод “концентрации напряжений”. Для обеспечения теплоотвода от свободновисящих структур схема их формирования была модифицирована таким образом, чтобы обеспечить механический контакт подвешенной части микроструктуры с подложкой. Было ...

Добавлено: 28 октября 2019 г.

Ключевые слова: нанофотоника, nanophotonics