Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и Наноэлектроника» 2018 г., Нижний Новгород

Т. 2: секция 3. Н. Новгород : Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2018.

Полупроводниковые наноструктуры:электронные, оптические свойства, методы формирования

Главы книги

Резонансные туннельные контакты для гетероструктур AlAs/GaAs с пролётными эффектами

Козлов В. А., Павельев Д. Г., Вербус В. А. и др., В кн.: Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и Наноэлектроника» 2018 г., Нижний НовгородТ. 2: секция 3.: Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2018. С. 648–649.

В работе были рассмотрены туннельные контакты для устройств терагерцового диапазона частот. На основе квантовой модели транспорта электронов был рассчитан дизайн гетероструктур, который позволит повысить быстродействие та-ких устройств ...

Добавлено: 25 октября 2019 г.

Создание «черного кремния» для солнечных элементов на основе структур с Ge(Si) cсамоформирующимися островками

Шалеев М. В., Новиков А. В., Юрасов Д. В. и др., В кн.: Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и Наноэлектроника» 2018 г., Нижний НовгородТ. 2: секция 3.: Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2018. С. 815–816.

Развит оригинальный метод нанотекстурирования поверхности кристаллического кремния, основанного на использовании GeSi самофокусирующихся наноостровков в качестве маски для анизотропного травления Si. Развитый метод характеризуется малой толщиной удаляемого кремния и позволяет в широком спектральном диапазоне значительно уменьшить отражение от поверхности кремния и увеличить поглощение излучения ближнего и среднего ИК диапазона. Это делает перспективным применение этого метода нанотекстурирования ...

Добавлено: 25 октября 2019 г.

Формирование и исследование локально растянутых Ge микроструктур для кремниевой фотоники

Яблонский А. Н., Вдовичев С. Н., Вербус В. А. и др., В кн.: Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и Наноэлектроника» 2018 г., Нижний НовгородТ. 2: секция 3.: Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2018. С. 837–838.

В работе представлены результаты по формированию растянутых Ge микроструктур на основе слоев Ge, выращенных методом МПЭ но подложках Si(001) и SOI, и исследованию их излучательных свойств. Свободновисящие Ge микромостики были получены методом оптической литографии, плазмохимического и селективного химического травления. Измерения локальной деформации методом микроскопии КРС показали увеличение деформации растяжения в Ge микромостиках до 3%. Мкетодом ...

Добавлено: 25 октября 2019 г.

Ключевые слова: нанофизика, nanophysics