Формирование и исследование локально растянутых Ge микроструктур для кремниевой фотоники

С. 837–838.

Яблонский А. Н., Вдовичев С. Н., Вербус В. А., Володин Н. С., Гусев Н. С., Кудрявцев К. Е., Машин А. И., Морозова Е. Е., Нежданов А. В., Новиков А. В., Скороходов Е. Е., Юрасов Д. В.

В работе представлены результаты по формированию растянутых Ge микроструктур на основе слоев Ge, выращенных методом МПЭ но подложках Si(001) и SOI, и исследованию их излучательных свойств. Свободновисящие Ge микромостики были получены методом оптической литографии, плазмохимического и селективного химического травления. Измерения локальной деформации методом микроскопии КРС показали увеличение деформации растяжения в Ge микромостиках до 3%. Мкетодом спектроскопии микро-ФЛ продемонстрировано значительное возрастание интенсивности и существенная модификация спектра ФЛ в области максимальных растягивающих напряжений в Ge микромостиках и их окресности по сравнению со слабо растянутыми участками исходных слоёв Ge.

Ключевые слова: Ge microbridges, local strain, Ge микромостики, локальная деформация

В книге

Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и Наноэлектроника» 2018 г., Нижний Новгород

Т. 2: секция 3. , Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2018.