?
Резонансные туннельные контакты для гетероструктур AlAs/GaAs с пролётными эффектами
С. 648–649.
В работе были рассмотрены туннельные контакты для устройств терагерцового диапазона частот. На основе квантовой модели транспорта электронов был рассчитан дизайн гетероструктур, который позволит повысить быстродействие та-ких устройств
В книге
Т. 2: секция 3. , Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2018.