• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Simulation of the instrumentation amplifier implemented on a printed circuit board of nanoconductive dielectric
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
18 мая 2026 г.
В Вышке прошла XXX юбилейная научно-техническая конференция имени Е.В. Арменского
Организатором научного события выступает Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова ВШЭ. В этом году главный инженерный студенческий форум проходил 30-й раз и собрал рекордное число участников. Студенты, аспиранты и молодые специалисты из 50 вузов и организаций России представили научно-исследовательские доклады в ИТ-области. Отдельная секция была посвящена научно-исследовательским работам школьников.
15 мая 2026 г.
В НИУ ВШЭ разрабатывают нейросеть для сферы науки и инноваций
Исследователи НИУ ВШЭ учат большие языковые модели понимать русскоязычную научную терминологию, увеличивая при этом их энергоэффективность. Адаптированная модель работает в 2,7 раза быстрее и требует на 73% меньше памяти, чем исходная открытая модель, что позволяет запускать ее на более доступном оборудовании. Программа прошла государственную регистрацию.
15 мая 2026 г.
Стартовал совместный спецпроект бренд-медиа Вышки IQ Media и iFORA ИСИЭЗ
В мае 2026 года стартовал научно-популярный проект «Искусственный интеллект: технологии, данные и будущее», который стал результатом работы двух команд — проекта iFORA Института статистических исследований и экономики знаний НИУ ВШЭ и редакции бренд-медиа IQMedia. Медийно-аналитический спецпроект посвящен современному развитию искусственного интеллекта и аналитике больших данных.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Simulation of the instrumentation amplifier implemented on a printed circuit board of nanoconductive dielectric

P. 1–4.
Полищук Ф. С.
Язык: английский
DOI
Ключевые слова: dielectricsElectrostatic dischargesSpace vehiclesPrinted circuits

В книге

2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings
2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings
M.: IEEE, 2018.
Похожие публикации
Field Stability Investigation of Electrical Conductivity of a Dielectric Filled with a Conductive Compound
Агапов И. И., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–3.
Добавлено: 8 сентября 2022 г.
Engineering Methodology for the Selection of a Composite Polymer Dielectric that Ensures the Absence of Electrostatic Discharges in the Design of the Onboard Electronic Equipment of the Spacecraft
D. Abrameshin, S. Tumkovskiy, V. Saenko и др., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–4.
Добавлено: 5 июля 2022 г.
Идентификация модели радиационной проводимости полимерных материалов
Тумковский С. Р., Муллахметов И.Р., Пожидаев Е.Д. и др., Информационные технологии 2022 Т. 28 № 5 С. 233–239
Разработана методика идентификации модели радиационной проводимости полимерных материалов корпусов микроэлектронной аппаратуры (МЭА). На основе разработанной методики проведено компьютерное моделирование радиационного заряжения полимерных корпусов микроэлектронной аппаратуры, обладающих повышенной проводимостью. Результаты исследований направлены на разработку композитных полимерных материалов для корпусов микроэлектронной аппаратуры с проводимостью, обеспечивающей отсутствие электростатических разрядов и позволяющих существенно увеличить сроки активного существования космических аппаратов. ...
Добавлено: 1 июня 2022 г.
Calculation of The Absorbed Dose of Electron Radiation in Polymer Cases of Microelectronic Devices, Considering the Factor of Its Accumulation
Абрамешин Д. А., , Саенко В. С. и др., , in: 2021 International Seminar on Electron Devices Design and Production (SED).: IEEE, 2021. P. 1–5.
Проведено компьютерное моделирование глубинного хода поглощенной дозы в зависимости от энергии электронного облучения действующего в диапазоне 30-60 кэВ, и проведены расчеты коэффициента накопления дозы в этих условиях для полиэтилентерефталата, полиметилметакрилата, полистирола и полиэтилена низкой плотности, как модельных полимеров корпусов микроэлектронных устройств. Показано, что значения энергии электронов, соответствующие максимальному коэффициенту накопления дозы, зависят от плотности полимера. Проведенные исследования позволяют с большой точностью определять проводимость пластиковых корпусов ...
Добавлено: 8 сентября 2021 г.
Client-Server Implementation in Solving the Problem of Modeling the Small Spacecraft Flight at Low-Earth Orbit
Косинов А. Н., 2021 International Seminar on Electron Devices Design and Production (SED) 2021 P. 1–5
Добавлено: 5 августа 2021 г.
Компьютерное моделирование воздействия электростатических разрядов на мощные МОП транзисторы с учетом влияния емкости печатной платы
Константинов Ю. А., Горланов Е. С., Пожидаев Е. Д. и др., Системный администратор 2018 № 9 С. 84–89
Выполнено компьютерное моделирование воздействия электростатических разрядов (ЭСР) на мощные МОП транзисторы серии IRF. Исследовано влияние емкости печатной платы на напряжение затвор – исток транзисторов. Показано, что чем меньше величина емкости затвор – исток транзистора, тем больше возрастает напряжение затвор -исток при увеличении емкости печатной платы. Установлена связь между напряжением разряда, при котором происходит пробой подзатворного ...
Добавлено: 10 октября 2018 г.
Analysis of signal integrity in a microstrip transmission line on a substrate of the nanoconducting dielectric
Жадов А. Д., В кн.: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings.: M.: IEEE, 2018.
Добавлено: 18 мая 2018 г.
A Diamond Detector for Registration of Ionizing Radiation with Low Linear Energy Transfer
Гладченков Е. В., Захарченко К. В., Каперко А. Ф. и др., Measurement Techniques 2017 Vol. 60 No. 1 P. 75–81
Добавлено: 15 мая 2017 г.
Optimizations frequency the electromechanical transformation of devices for measuring small physical values
N.N.Grachev, Lazarev D. V., , in: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings.: M.: HSE, 2016. P. 1–5.
Добавлено: 29 сентября 2016 г.
Расчет ионизационных и радиационных потерь быстрых электронов в полистирольном композите
Павленко В. И., Бондаренко Г. Г., Черкашина Н. И., Перспективные материалы 2015 № 8 С. 5–11
Рассмотрено воздействие быстрых электронов энергий до 10 МэВ на полистирольные композиты с разным содержанием кремнийорганического наполнителя. Методом Монте – Карло проведены расчеты ионизационных и радиационных потерь быстрых электронов в рассматриваемом полистирольном композите. Рассчитаны изменения коэффициентов отражения, поглощения электронов энергии от 1 до 3 МэВ и глубина их проникновения в исследуемом полимерном композите с содержанием наполнителя ...
Добавлено: 10 сентября 2015 г.
Protection of the Spectr-R Spacecraft Against ESD Effects Using Satellite-MIEM Computer Code
V.S. Saenko, A.P. Tyutnev, Nikolski E. и др., IEEE Transactions on Plasma Science 2015 Vol. 43 No. 9 P. 2828 –2831
Добавлено: 25 мая 2015 г.
Исследование микрополосковых частотно-селективных устройств СВЧ на резонансных отрезках замедляющих металлодиэлектрических систем
Елизаров А. А., Кухаренко А. С., Антенны 2009 № 10 С. 31–37
Проведено исследование микрополосковых частотно-селективных устройств СВЧ на резонансных отрезках замедляющих металлодиэлектрических систем; показаны примеры моделирования таких структур, выполненных в виде фильтров низких частот и полосно-пропускающих фильтров, с помощью программных средств AWR Design Environment (Microwave Office v.8.03). ...
Добавлено: 10 апреля 2013 г.
Установка для измерения температурной зависимости показателя преломления твердых тел
Лапшинов Б. А., Магунов А. Н., Приборы и техника эксперимента 2010 Т. 53 № 1 С. 159–164
Описывается установка для измерения температурной зависимости показателя преломления n(T) полупроводников и диэлектриков в диапазоне температур 300-700К на длинах волн He-Ne-лазера λ=0.633, 1.15 и 3.39 мкм. Образцы в виде плоскопараллельных пластинок выполняют роль эталонов Фабри-Перо, оптическая толщина которых изменяется с температурой. При нагревании и последующем остывании образца регистрируются интерференционные осцилляции интенсивности отраженного света, по которым определяется ...
Добавлено: 23 апреля 2012 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору