?
Компьютерное моделирование воздействия электростатических разрядов на мощные МОП транзисторы с учетом влияния емкости печатной платы
Системный администратор. 2018. № 9. С. 84–89.
Выполнено компьютерное моделирование воздействия электростатических разрядов (ЭСР) на мощные МОП транзисторы серии IRF. Исследовано влияние емкости печатной платы на напряжение затвор – исток транзисторов. Показано, что чем меньше величина емкости затвор – исток транзистора, тем больше возрастает напряжение затвор -исток при увеличении емкости печатной платы. Установлена связь между напряжением разряда, при котором происходит пробой подзатворного оксида, и емкостью печатной платы. Показано, что мощным МОП транзисторам, имеющим незначительные емкости затвор – исток, следует предусматривать схемотехническую защиту от ЭСР с использованием защитных TVS диодов.
Ключевые слова: computer simulationкомпьютерное моделированиемощные МОП транзисторыпечатная платаPrinted Circuit BoardElectrostatic dischargesэлектростатические разрядыpower MOS transistors
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Кофанов Ю. Н., Сотникова С. Ю., М.: Грифон, 2025.
В монографии предложен новый подход к комплексированию моделирования физических процессов, направленный на повышение точности результатов при автоматизированном проектировании бортовых инфокоммуникационных устройств.
Суть метода – в предварительной идентификации неизвестных геометрических и физических параметров математических моделей печатных узлов с заданной компонентной базой. Для этого сочетаются фрагментарное макетирование и компьютерное моделирование: изготавливается не полный макет узла, а его репрезентативный ...
Добавлено: 5 февраля 2026 г.
Добавлено: 21 ноября 2025 г.
Чашкин Л. Б., Маршутина Е. Н., В кн.: Девятнадцатая конференция «Свободное программное обеспечение в высшей школе» : материалы конференции / Переславль-Залесский, 28–30 июня 2024 года.: М.: МАКС Пресс, 2024. С. 151–154.
Данная работа посвящена развитию проекта VPCS при моделировании компьютерных сетей в программном эмуляторе GNS3. В работе предлагается решение проблемы ограниченных возможностей виртуальных компьютеров VPCS при моделировании IPv6-адресации в GNS3. Разработан механизм добавления и использования статического маршрута по умолчанию при IPv6-адресации для виртуальных компьютеров VPCS. ...
Добавлено: 25 октября 2025 г.
Чашкин Л. Б., В кн.: Российский форум «Микроэлектроника 2025». 11-я Научная конференция «ЭКБ и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Научно-технологический университет «Сириус», 21-27 сентября 2025 г.: М.: Техносфера, 2025. С. 1038–1039.
Разработана платформа для построения агрегированных цифровых двойников электронных модулей. Проведен эксперимент на базе электронного модуля транзисторного усилителя по схеме с общим эмиттером. Верифицированы параметры электронного модуля. ...
Добавлено: 24 октября 2025 г.
Чашкин Л. Б., В кн.: XXIX Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского. Москва, 22–28 апреля 2025 года.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2025. С. 186–188.
В работе рассматривается вопрос создания цифровых двойников электронных модулей. Разработана интегрированная платформа для построения агрегированных цифровых двойников электронных модулей с учётом электрических и тепловых характеристик. Проведён эксперимент на примере создания цифрового двойника электронного модуля транзисторного усилительного каскада по схеме с общим эмиттером. ...
Добавлено: 24 октября 2025 г.
Чашкин Л. Б., В кн.: 32 Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых с международным участием "Микроэлектроника и информатика – 2025" (Зеленоград, 24–25 апреля 2025 г.). Тезисы докладов.: М.: МИЭТ, 2025. С. 140–140.
Цифровой двойник электронного модуля представляет собой систему,
состоящую из цифровой модели устройства и двусторонних информационных связей с модулем или его составными частями. Это ключевой инструмент в современных инженерных разработках, позволяющий оптимизировать процессы проектирования, производства и эксплуатации электронных
устройств. Основная проблема при построении цифровых двойников —
повышение точности модели за счёт агрегации множества входных параметров, включая электрические и тепловые ...
Добавлено: 24 октября 2025 г.
Степанянц В. Г., , in: 2025 International Russian Automation Conference (RusAutoCon).: IEEE, 2025. P. 982–986.
Добавлено: 3 октября 2025 г.
Добавлено: 13 марта 2025 г.
Springer, 2025.
Добавлено: 21 февраля 2025 г.
Springer, 2025.
Добавлено: 21 февраля 2025 г.
Баланина С. Н., Березнер Т. А., В кн.: Психология познания: материалы Всероссийской научной конференции. ЯрГУ, 6–8 декабря 2024 г. Материалы Всероссийской научной конференции памяти Дж. С. Брунера.: Яр.: ЯрГУ им. П. Г. Демидова, 2024. С. 45–48.
В настоящей работе мы предложили метод моделирования эмоциональной реакции, вызываемой стимулами в задаче Струпа. Наша модель отражает изменение валентности вызываемой реакции, то есть аффективной оценки стимула, по мере прохождения эксперимента. Мы использовали модель из класса алгоритмов обучения с подкреплением, разработанную Silvetti et al. (Silvetti et al., 2018). Результаты симуляции подтвердили, что вначале аффективная оценка выше ...
Добавлено: 28 декабря 2024 г.
Миколаенко В. В., Анохин В. В., Кудряшов М. Д., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов имени Е.В. Арменского. Материалы конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2022.
Сверхпластическая газовая формовка – это один из способов обработки материалов давлением, используемый при производстве тонкостенных изделий сложной геометрической формы. Для проектирования технологических режимов производства таких изделий используется компьютерное моделирование технологического процесса, для которого необходимо задать свойства материала. Основной экспериментальный метод исследования свойств сверхпластичных материалов – одноосное растяжение плоских образцов с постоянной скоростью деформации. Однако, стандартная ...
Добавлено: 12 декабря 2024 г.
Добавлено: 27 ноября 2024 г.
Омск: Омский государственный технический университет, 2024.
Сборник содержит доклады о результатах исследований по различным аспектам в области математики и информатики, представленные на XIV Международной молодежной научно-практической конференции с элементами научной школы. Издание адресовано научным сотрудникам, преподавателям, аспирантам и студентам. ...
Добавлено: 23 ноября 2024 г.
Influence of anisotropy on the study of critical behavior of spin models by machine learning methods
Суховерхова Д. Д., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2410.14523.
...
Добавлено: 21 октября 2024 г.
Karnaukhov V. K., Shcherbinin D. S., Chugunov A. O. и др., Nature Computational Science 2024 Vol. 4 No. 7 P. 510–521
Добавлено: 19 сентября 2024 г.
Полянский А. А., Ефремов Р. Г., Биологические мембраны 2024 Т. 41 № 4 С. 403–421
Представлены результаты исследований в компьютерном эксперименте молекулярных механизмов адаптации модельных клеточных мембран, реализующейся в ходе их взаимодействия с белками и пептидами. Речь идет об изменении структурно-динамических параметров водно-липидной
среды, гидрофобной/гидрофильной организации поверхности липидного бислоя (так называемой
«мозаичности») и пр. Взятые в совокупности, эти эффекты получили название «мембранного ответа» (МО) – важнейшей способности клеточных мембран специфично и устойчиво ...
Добавлено: 19 сентября 2024 г.
Цветков В. Э., Ландер Л. Б., Кононова Н. А. и др., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов имени Е.В. Арменского. Материалы конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2022. С. 200–203.
В работе рассмотрены различные виды теплопередачи в электронике, изучены методы теплоотвода в радиоэлектронных средствах (РЭС), а также проведено тепловое моделирование некоторых систем охлаждения в программном комплексе САПР SolidWorks. Данное исследование проводится в рамках разработки электронного учебного пособия по компьютерному моделированию РЭС с различными видами охлаждения. ...
Добавлено: 27 августа 2024 г.
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Тегин М. С., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 1 С. 65–78
Большие скачки температуры в структурах мощных полупроводниковых приборов при их включении и выключении существенно снижают надежность работы силовых схем. Широко используемые маршруты электротеплового моделирования тепловых схем имеют ряд недостатков: использование взаимосвязанных Spice-симуляторов электрических цепей и пакета 3D численного моделирования тепловых полей требует детального описания 3D-конструкций и больших затрат компьютерного времени; использование только Spice-подобных симуляторов электрических ...
Добавлено: 7 мая 2024 г.
Каган М. Ю., Аксёнов С. В., / Series Research Square "Research Suqare". 2024. No. 1.
Добавлено: 10 апреля 2024 г.