Equilibrium and Nonequilibrium Spin Polarization near Filling Factor 3/2

JETP Letters. 2018. Vol. 108. No. 6. P. 419–422.

Zhuravlev A. S., Kulik L.V., Kuznetsov V. A., Khit’ko M. A., Кукушкин И. В.

Экспериментально исследованы особенности спиновой поляризации электронной системы и релаксации неравновесных спиновых возбуждений в окрестности дробного состояния с четным знаменателем 3/2 в двумерной электронной системе на основе гетероструктуры GaAs/AlGaAs. Показано, что состояние 3/2 является особой точкой в зависимости спинового упорядочения двумерной электронной системы от фактора заполнения, на которой спиновая подсистема перестраивается. Обнаружена область факторов заполнения в окрестности 3/2, где наблюдается гигантское замедление релаксации спиновых возбуждений в основное состояние.

Ключевые слова: дробный квантовый эффект Холла, heterostructures, гетероструктуры, quantum Hall effect

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА: Развитие исследований в области физики конденсированного состояния (2018)