?
Структурные изменения поверхности образцов ванадия под воздействием импульсных потоков высокотемпературной дейтериевой плазмы и ионов дейтерия
Проведено исследование структурных изменений поверхности ванадия в зависимости от режимов облучения импульсными потоками высокотемпературной дейтериевой плазмы и ионов дейтерия в установке Плазменный фокус. Обнаружено, что при плотности мощности потока плазмы в интервале q = 108 – 1010 Вт/см2, а потока ионов – в диапазоне q = 1010 – 1012 Вт/см2, происходят процессы частичного испарения, плавления и кристаллизации поверхностного слоя ванадия. На поверхности формируется волнообразный рельеф поверхности, присутствуют микротрещины, а также газонаполненные пузыри (блистеры) и следы их разрушения.Разрушение блистеров реализуется в твердом состоянии. Характер разрушения блистеров схож с наблюдаемым при обычном ионном облучении на ускорителях.В образцах, облученных при относительно невысокой плотности мощности (q = 107 - 108 Вт/см2) обнаружен выброс микрочастиц (фрагментов поверхности) со стороны, обращенной к плазме. Предполагается, что данный процесс обусловлен выходом волны разгрузки, образующейся в объеме образца-мишени, на его облучаемую поверхность.Проведено исследование структурных изменений поверхности ванадия в зависимости от режимов облучения импульсными потоками высокотемпературной дейтериевой плазмы и ионов дейтерия в установке Плазменный фокус. Обнаружено, что при плотности мощности потока плазмы в интервале q = 108 – 1010 Вт/см2, а потока ионов – в диапазоне q = 1010 – 1012 Вт/см2, происходят процессы частичного испарения, плавления и кристаллизации поверхностного слоя ванадия. На поверхности формируется волнообразный рельеф поверхности, присутствуют микротрещины, а также газонаполненные пузыри (блистеры) и следы их разрушения.Разрушение блистеров реализуется в твердом состоянии. Характер разрушения блистеров схож с наблюдаемым при обычном ионном облучении на ускорителях.В образцах, облученных при относительно невысокой плотности мощности (q = 107 - 108 Вт/см2) обнаружен выброс микрочастиц (фрагментов поверхности) со стороны, обращенной к плазме. Предполагается, что данный процесс обусловлен выходом волны разгрузки, образующейся в объеме образца-мишени, на его облучаемую поверхность.