?
A method for calculating the thermal characteristics of silicon TVS-diodes in the pulse mode
Russian Microelectronics. 2016. Vol. 45. No. 7. P. 469–473.
Григорьев Ф. И., Александрова А. Б., Gafurov V. A.
The dependence of the thermal characteristics of TVS-diodes during the passage of the pulse overload has been studied. The time dependences of the pulse voltage limitation and current are analyzed. Based on the analysis of the dependences, the thermal characteristics of the TVS-diode are calculated. It is shown that the parameters of the TVS-diodes deteriorate on reaching a current density of 160–300 A/cm2 and critical temperature of 250–300°С. The dependences of the thermal resistance and critical temperature of the TVS-diodes on the current density and the pulse duration are presented.
Ивашенцева И. В., Каурова Н. С., Воронов Б. М. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 129–133
Сверхпроводящие пленки NbN, изготовленные методом реактивного магнетронного распыления, являются чувствительным элементом болометров на эффекте © Ivashentseva I.V., Kaurova N.S., Voronov B.M., Goltsman G.N., Tretyakov I.V., 2025. Published by Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University. 129 St. Petersburg Polytechnic University Journal. Physics and Mathematics. 2025. Vol. 18. No. 3.2 электронного разогрева HEB. Основной принцип HEB ...
Добавлено: 24 декабря 2025 г.
A.S. Ilin, Strugova A. O., I.A. Cohn и др., PHYSICAL REVIEW MATERIALS 2024 Vol. 8 No. 7 Article 074801
Добавлено: 25 февраля 2025 г.
Чертенков В. И., Щур Л. Н., Lecture Notes in Computer Science 2025 Vol. 15406 P. 434–449
Добавлено: 10 февраля 2025 г.
Арутюнов К. Ю., Седов Е. А., Завьялов В. В. и др., Physics of Metals and Metallography, USA 2023 Vol. 124 No. 1 P. 53–57
The R(T) dependences of thin superconducting aluminum films deposited on leucosapphire and gallium arsenide substrates by electron beam sputtering and molecular beam epitaxy have been experimentally studied. Regardless of morphology, a noticeable increase in the critical temperature of the superconducting transition with a decrease in the film thickness is found. The effect is interpreted as a ...
Добавлено: 31 января 2024 г.
Diana Sukhoverhova, Чертенков В. И., Буровский Е. А. и др., Lecture Notes in Computer Science 2023 Vol. 14389 P. 314–329
Добавлено: 9 ноября 2023 г.
Ильин А. С., Стругова А. О., Кон И. А. и др., В кн.: Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 13–16 марта 2023 г.) в 2х томах. Том 1Т. 1: Секции 1, 2, 4, 6.: Н. Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 105–106.
Обнаружена сверхпроводимость в пленках RuN, полученных методом реактивного магнетронного распыления. Критическая температура сверхпроводящего перехода составляет от 0,77 до 1,29 К, в зависимости от подложки. Определены параметры кристаллической решетки сверхпроводящих пленок: решетка кубическая с параметрами a = b = c = 4.5586 Å, a = b = g = 87.96°. Результаты измерения температурных зависимостей второго критического магнитного ...
Добавлено: 26 марта 2023 г.
Арутюнов К. Ю., Седов Е. А., Завьялов В. В. и др., Физика металлов и металловедение 2023 Т. 124 № 1 С. 56–60
Экспериментально исследованы R(T) зависимости тонких сверхпроводящих пленок алюминия, изготовленных на подложках из лейкосапфира и арсенида галлия методом электронно-лучевого распыления и молекулярно-лучевой эпитаксии. Безотносительно к морфологии, был обнаружен заметный рост критической температуры сверхпроводящего перехода с уменьшением толщины пленки. Эффект интерпретируется как проявление квантового размерного эффекта. ...
Добавлено: 24 ноября 2022 г.
T. Karabassov, A.A. Golubov, Silkin V. M. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 103 P. 224508-1–224508-9
Добавлено: 4 июня 2021 г.
Крутиков В. Н., Kanzyuba M. V., BERLIZOV A. B. и др., Measurement Techniques 2019 Vol. 61 No. 11 P. 1052–1056
Добавлено: 26 января 2021 г.
Koralov L., Молчанов С. А., Vainberg B., Applicable Analysis 2020
Добавлено: 28 октября 2020 г.
Падеров В. П., Силкин Д. С., Горячкин Ю. В. и др., Радиотехника и электроника 2017 Т. 62 № 6 С. 616–620
Рассмотрено воздействие мелких водородсодержащих доноров и акцептороподобных дефектов,
возникающих при протонном облучении кремния, на напряжение пробоя высоковольтного p–n перехода. Получены соотношения, позволяющие рассчитать напряжение пробоя облученного p–n перехода с учетом роста критической напряженности поля при попадании водородсодержащих доноров в область ударной ионизации p–n перехода. Предложена методика определения положения
слоя и минимальной дозы водородсодержащих доноров, позволяющих уменьшить напряжение
пробоя ...
Добавлено: 7 октября 2020 г.
Арутюнов К. Ю., Седов Е. А., Голоколенов И. А. и др., Физика твердого тела 2019 Т. 61 № 9 С. 1609–1613
Экспериментально исследовались высококачественные пленки алюминия на подложках из GaAs. Был обнаружен заметный рост критической температуры сверхпроводящего перехода с уменьшением толщины пленки. Эффект интерпретируется как проявление квантового размерного эффекта, влияющего как на плотность состояний электронов, так и на электрон-фононное взаимодействие. ...
Добавлено: 14 сентября 2019 г.
Арутюнов К. Ю., Седов Е. А., Голоколенов И. А. и др., Physics of the Solid State, Springer Nature Switzerland AG 2019 Vol. 61 No. 9 P. 1559–1562
Добавлено: 14 сентября 2019 г.
Karabassov T., Stolyarov V. S., Golubov A. A. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2019 Vol. 100 No. 10 P. 104502-1–104502-9
Добавлено: 5 сентября 2019 г.
It is shown that, for the Lennard-Jones potential, there exist far-range van-der-Waals forces. It is claimed that such potentials occur rarely, just as potentials for the Schrödinger equation whose semiclassical solutions coincide with exact solutions. ...
Добавлено: 8 июня 2016 г.
Добавлено: 21 декабря 2014 г.
Добавлено: 20 декабря 2014 г.
Добавлено: 30 ноября 2014 г.
Маслов В. П., Теоретическая и математическая физика 2014 Т. 180 № 3 С. 394–432
Рассматривается парастатистика, не различающая объективно различимые объекты. Она описывает кластеры в надкритическом состоянии. Определена связь мезоскопической физики кластеров и макроскопической термодинамики надкритических изотерм. Строится надкритическая картина изохор и изотерм при условии, что известны температура Бойля, плотность Бойля и критическая точка. Математически обоснована двухфлюидная модель надкритической термодинамики. Для “кластерной губки” это приводит к новым соотношениям, отличным ...
Добавлено: 26 октября 2014 г.
Добавлено: 5 июня 2014 г.
Добавлено: 5 июня 2014 г.