?
Магнетотранспорт в тонких эпитаксиальных пленках Bi2Se3
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2016. Т. 104. № 9. С. 651–657.
Овешников Л. Н., Нехаева Е. И., Прудкогляд В. А., Кунцевич А. Ю., Селиванов Ю. Г., Чижевский Е. Г., Аронзон Б. А.
В работе исследовалась магнетопроводимость тонких пленок Bi2Se3 с защитным слоем Se, выра-
щенных на подложках (111) BaF2. Наблюдаемая отрицательная магнетопроводимость в малых полях,
обусловленная эффектом слабой антилокализации, так же как и осцилляции Шубникова–де Гааза в
больших полях, определяется только перпендикулярной к плоскости пленки компонентой магнитного
поля. Полученные экспериментальные результаты могут быть разумно объяснены в предположении на-
личия в исследуемых пленках двумерных топологически защищенных электронных состояний. При этом
вклад этих состояний в полную проводимость системы оказывается определяющим.